【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能利用的光伏
,尤其涉及太阳能电池系统的分 光结构设计和制作。
技术介绍
石油、煤炭等常规能源的日益短缺及对其过度开发所导致的地球生态问题是人类21世纪所面临的最大的挑战。太阳能高效发电技术作为一种清洁 的、可再生能源利用技术不断取得突破。晶体硅太阳电池、非晶硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、ni-v族化合物半导体太阳电池、n-vi族化合物 半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换 效率的不断提高及制造成本的持续降低,使得光伏技术在空间和地面都得到 了广泛的应用。回顾光伏技术在最近io年的发展,在效率提高方面,多结级联式的太阳电池结构是最引人瞩目的。2007年,美国再生能源实验室的 R.R.King等人制作的InGaP/ (In) GaAs/Ge三结级联太阳电池大规模生产的 平均效率已经接近30%。在240倍聚光下,这种多结太阳电池的实验室 AM1.5D效率已经超过了 40%。多结结构可以有效地实现对太阳光的全光谱 吸收,从而提高光电转换效率。由于太阳光谱中的能量分布较宽,现有的任何一种半导体材料都只能吸 收能量大 ...
【技术保护点】
五结太阳能电池系统的分光制作方法,其特征在于:利用两个分光装置顺次将太阳光谱分为连续的高能区、次高能区和低能区,在高能区采用一个单结结构来匹配高能波段;而在次高能区和低能区分别通过两个具有不同带隙宽度的二结级联结构匹配次高能波段和低能波段,实现对太阳光全光谱的吸收转换。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:董建荣,陆书龙,石林,王亦,熊康林,杨辉,
申请(专利权)人:苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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