一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥，然后放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～３００℃，通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压，至完成单晶硅片的钝化。通过对钝化过程的控制，可以去除单晶硅表面的污染物，饱和硅片表面的悬挂键，同时避免硅片由于过腐蚀或等离子轰击形成新的缺陷，降低了异质结的界面态密度，实现了非晶硅／单晶硅异质结界面的有效钝化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)太阳能电 也，即带有本征薄层 的异质结太阳能电池，其异质结结构是通过在单晶硅衬底上用化学气相淀积法制备非晶硅 薄膜而形成的。由于掺杂非晶硅具有高缺陷态密度，单晶硅具有高表面态密度，当二者直接 接触时，隧道效应引起的背电流使得转换效率低下。为降低界面、表面复合，研究人员在掺 杂非晶硅层和单晶硅衬底之间插入一层极薄的低缺陷密度本征a-Si层作为缓冲层，从 而使高缺陷态密度的掺杂非晶硅层与异质结界面分离，降低了异质结的界面态密度，构成 了所谓的HIT结构。 但是，HIT太阳能电池本征非晶硅/单晶硅异质结界面仍然存在相当数量的缺陷 态密度。这些缺陷态一方面来自于非晶硅/单晶硅界面的能带不连续以及晶格失配所引起 的悬挂键；另一方面，在异质结的制备过程中，非晶硅/单晶硅界面的污染物，尤其是单晶 硅片表面氧化物和杂质的存在也是界面高缺陷态密度的重要来源。异质结界面缺陷态的存 在使得载流子在界面附近复合而损失，影响了太阳能电池的性能。
技术实现思路
鉴于HIT太阳能电池非晶硅/单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，通过对单晶硅实施以下步骤得以实现：（１）对单晶硅片背面进行保护处理；（２）将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥；（３）将干燥后单晶硅片放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～３００℃；（４）通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压；（５）关闭反应气体，抽真空到背景真空度，得到界面钝化后的单晶硅片。

【技术特征摘要】
一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，通过对单晶硅实施以下步骤得以实现(1)对单晶硅片背面进行保护处理；(2)将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥；(3)将干燥后单晶硅片放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～300℃；(4)通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压；(5)关闭反应气体，抽真空到背景真空度，得到界面钝化后的单晶硅片。2. 如权利要求1所述的一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，其特征在于，所述对保护处理后的单晶硅片处理的稀释氢氟酸的体积浓度为1% 10%，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志文，曾祥斌，宋佩珂，
申请(专利权)人：广东志成冠军集团有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]