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本发明涉及一种太阳能电池单晶硅片的界面钝化方法，将保护处理后的单晶硅片浸入稀氢氟酸处理后，进行清洗和干燥，然后放入等离子增强化学气相淀积系统的真空室中，并加热单晶硅片到室温～３００℃，通入能产生原子氢的气体到真空室，并对真空室施加射频电压，...
该专利属于广东志成冠军集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东志成冠军集团有限公司授权不得商用。

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