硅太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加Ｈ等离子体处理步骤，在Ｈ２气体放电等离子体气氛中进行Ｈ化处理，Ｈ等离子体中含有大量的Ｈ离子，这些Ｈ离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗粒等缺陷，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等会使系统的自由能降低，转变为热力学中更稳定的状态。能有效的减小电池的表面复合，提高太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池的制作工艺，尤其涉及一种。
技术介绍
太阳能电池主要以半导体材料为基础制作，其工作原理是光电材料吸收光能后发 生光电子反应而产生电流，目前广泛采用的是硅太阳能电池。 晶体硅电池是太阳能电池的一种，硅太阳能电池是一种少数载流子工作的器件。 当光照射到P-N型半导体的表面上，光在材料内的吸收产生电子与空穴对。在这种情况下， 电子是少数载流子，它的寿命定义为从其产生到其与空穴复合之间所生存的时间。少数载 流子在电池内的寿命决定了电池的转换效率。因此要提高电池的转换效率，就必须设法减 少少数载流子在电池内的复合，从而增加少数载流子的寿命。 现有技术中，太阳能电池的制作流程包括如下工艺步骤 硅片清洗一表面腐蚀一制绒一扩散制PN结一刻蚀一表面成膜一电极印刷一低温 烘干一背场钝化一高温烧结一测试分档等； 其中，在表面成膜工艺中，使用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)进行氮化硅沉积，实现减反射膜的沉积，完毕后直接进入到下一步电极印刷工艺。 上述现有技术至少存在以下缺点 在减反射膜沉积工艺完毕后，电池表面由于等离子体的轰击会造成相当部分的缺 陷，包括悬挂键缺陷和空位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅太阳能电池的制造方法，包括表面成膜步骤，其特征在于，所述的表面成膜步骤之后包括Ｈ等离子体处理步骤。

【技术特征摘要】
一种硅太阳能电池的制造方法，包括表面成膜步骤，其特征在于，所述的表面成膜步骤之后包括H等离子体处理步骤。2. 根据权利要求l所述的硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述的H等离子体处 理步骤在PECVD腔室内进行。3. 根据权利要求2所述的硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述的H等离子体处 理过程中，所用的工艺气体包括^气体，所述工艺气体的压力为10 150Pa，所述^气体 的流量为100 1500sccm。4. 根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述工艺气体的压 力为50Pa，所述H2气体的流量为800sccm。5. 根据权利要求3所述的硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述工艺气体还包 括惰性气体，所述惰性气体的流量为100...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣延栋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]