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本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加Ｈ等离子体处理步骤，在Ｈ２气体放电等离子体气氛中进行Ｈ化处理，Ｈ等离子体中含有大量的Ｈ离子，这些Ｈ离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。