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本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以ＧａＮ基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述ＧａＮ基底为厚膜结构，其厚度为１００ｕｍ～２００ｕｍ，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于ＧａＮ基底的两侧表面上。由于本发明使用的...
该专利属于苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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