保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法技术

本发明专利技术揭露一种保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法。首先提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件，接着在该晶片的正面形成保护层，然后利用第一黏着层将晶片固定于切割载具，之后进行晶片切割工艺，以形成多个管芯，最后移除该第一黏着层以及该保护层，以分离所述管芯供后续封装之用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种保护晶片正面结构的方法，特别是一种以一水溶^m保护层覆 盖于晶片的正面，在晶片切割工艺形成多个管芯后，再以热水去fiHi水溶函交保护 层的方法。
技术介绍
因应消费性电子产品的超薄化晶片及微机电产品的特殊工艺需求，各种 晶片的承载技术纷纷被开发且应用于产品上，以现有的技术来说每片晶片上 制造了数百或数千个包含电路、微机电结构或是光学元件的管芯(管芯的数 量将取决于该晶片的尺寸，及各个管芯的尺寸)，这些元件被整齐地制造于 晶片上，因此，要把每一个集成电路从晶片上分割下来予以封装成具有独立功能的个体，必须将其切割。目前使用的技术可略分成下列几类1) 将该晶片接于另一晶片上以加强以其强度，当工艺结束时，再使用特 殊工艺将两晶片分离；常用的两种接合方式如下(A) 利用双面具黏性的胶带，在两晶片接合并切割工艺结束后，再利用 特殊工艺将两晶片分开；或(B) 使用特殊胶或是蜡当作接合物，当切割工艺完成后再泡入可去除该 特殊胶或蜡的特定溶剂中，去除该接合物。除了前述以双面胶带、特殊胶或 蜡将欲切割的晶片接合在另 一 晶片上的方式外，另一种方式则为2) 将晶片贴于单面胶带上，配合切割用的胶圈或金属圈作为框架，以支 撑该晶片，在晶片切割工艺结束后，再将单面胶带和框架移除。然而，上述的几种方式在接合用的胶带或接合物移除后，在接合物和晶 片的接触面、或是单面胶带和晶片的接触面，都会发现有残胶滞留在晶片表 面(或更明确的说，滞留在独立管芯表面的微机电结构或光学元件表面)，更 令人担心的是，这些滞留的残胶去除不易，不仅造成工艺污染，同时也会使 产品的成品率降低。专利
技术实现思路
有鉴于此，申请人为解决习知切割工艺后常见的残胶问题，特提出一种 保护晶片正面并进行晶片切割的方法，依本专利技术所述的方法所切割完成的管 芯，不仅工艺成品率稳定，亦无残胶污染的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种保护晶片正面结构的方法。首先提供 一晶片，且该晶片的一正面设有多个元件，接着形成一保护层覆盖于该晶片 的该正面，然后提供一第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于一 切割载具，之后进行一晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，形成 多个管芯，最后移除该第一黏着层及该保护层。此外，申请人另提出一种。最 初先提供一晶片，而该晶片的一正面设有多个元件，然后形成一水溶性胶保 护层覆盖于该晶片的该正面，并且提供一第一黏着层贴附于该保护层上，并 将该晶片固定于一切割载具，之后进行一晶片切割工艺，自该晶片的一背面 切割该晶片，单体化所述元件以形成多个管芯，再者提供一第二黏着层贴附 于所述管芯的背面，并翻转所述管芯，之后移除该第一黏着层及该水溶性胶 保护层，最后移除该第二黏着层以单体化所述管芯。附图说明图1至图8，是依据本专利技术的一优选实施例所绘示的保护晶片正面图案 及进行晶片切割的操作步骤。主要元件符号说明10 晶片14 元件18 保护层22 第一黏着层26 管芯12 正面16 光阻层20 背面24 框架28 第二黏着层下文列举本专利技术的数个优选实施例，并具体实施方式为了突显本专利技术的优点及特征， 配合图示作详细说明如下首先请参考图1至8图，是依据本专利技术的一优选实施例所绘示的保护晶片正面图案及进行晶片切割的操作步骤。如图1所示，首先提供一晶片10,晶片10已完成前段元件制作的工艺，在晶片IO的一正面12形成有多个元 件14，其中元件14可以是具有立体结构的微机电元件、可感应或投射影像 的光学元件或是其他可传递电子信号的电路。接着如图2所示，在晶片IO的正面12形成一光阻层16,接着再形成一 保护层18覆盖于晶片10的正面12。在此必须说明的是，形成于晶片10的 正面12的光阻层16或保护层18，其功能都是在于保护设于正面12的元件 14，由于保护层18已具有保护元件14的功能，因此光阻层16的设置并非 本专利技术所述的方法操作时的必要步骤，即光阻层16的设置与否可依元件14 的态样而选择性地形成，例如，当元件16为具有立体结构的微机电元件时， 则可利用光阻层16先覆盖于该些微机电元件，同时光阻层16可填补该些微 机电元件立体空间内的空隙，更能强化光阻层16保护该些微机电元件的功 能。此外，在保护层18形成后，另可进行一固化(curing)工艺，使保护层18 失去原有的黏性。由于本优选实施例所使用的保护层18材料为一水溶性胶， 其特性在于固化后并不溶于一般的水或是溶液，必须以温度较高的热水才能 将固化后的保护层18移除。之后如图3所示，可视晶片IO的种类及厚薄度，选择性地进行一晶片 薄化工艺，例如利用一化学机械研磨工艺(CMP)，自晶片10的一背面20薄 化该晶片，减少晶片IO的厚度。如晶片IO已为一薄晶片，则可略过此一步 骤，直接进行后续所述的工艺。然而薄化晶片10的方法并不限于本优选实 施例所示的化学机械研磨工艺，其他适用于薄化基板或晶片的方法，例如蚀 刻或利用晶片薄化机台薄化晶片IO等方法，亦适用于本专利技术。此时，如图4所示，提供一第一祐着层22贴附于保护层18上，并将晶 片IO固定至一晶片载具，如利用一框架24支撑第一黏着层22及晶片IO或 利用第一黏着层22将晶片10固定于一承栽晶片(图未示)。且第一黏着层22 可使用习知技术中晶片切割常用的切割胶带，其特性在此不多作说明。在晶片IO固定后，进行一晶片切割工艺，如图5所示，利用一晶片切 割机台自晶片10的背面20切割晶片10,分离该些元件14以形成各具功能 的多个管芯26。由于第一黏着层22周围有框架24支撑，切割形成的管芯 26将井然有序排列于第一黏着层22上，而框架24的支撑避免了第一黏着层 22的皱折与管芯26间相互碰撞。其后如图6所示，另提供一第二黏着层28，贴附于该些管芯26的背面，并翻转该些管芯26。于本实施例中，以一具有 黏性的第二黏着层28辅助翻转已分割完成的管芯26,然并不以此为限，其 他可用于协助管芯26翻转的工具或方法，此外，翻转晶片IO的方式不限于 本实施例所述另提供第二l占着层28协助晶片翻转，在不损及元件14及管芯 26的前提下，以任何可能的方式翻转晶片，如晶片夹具、静电吸盘等，亦可 运用于本专利技术。晶片切割的步骤至此已大致完成，然后如图7所示，移除贴附于保护层 18表面的第一黏着层28,并利用加热后具有较高温度的热水直接冲刷保护 层18，以迅速移除保护层18。最后如图8所示，移除固定管芯26的第二黏 着层，以分离各个管芯26，供后续的产品封装使用。由上述的优选实施例可知，本专利技术的一特性在于利用保护层当作晶片及 切割胶带间的中间物，除具有保护元件的功能外，以可避免习知残胶滞留元 件表面、影响元件性能、或造成产品成品率下降等问题。再者，以本专利技术所 述的方法进行晶片切割的晶片，并不受晶片本身的厚薄度限制，若欲切割的 晶片为薄晶片，亦可放心利用本专利技术所述的方法进行切割，不需另行添购薄 晶片专用的切割机台或昂贵的薄晶片清洗设备，以降低制造生产上的成本。 最后，本专利技术所述的实施例在形成保护层保护晶片正面结构元件后，进行晶 片切割工艺作简单的说明，然而，本专利技术的精神不仅能应用于晶片切割，其 他需要先保护晶片正面元件结构、再进行后续动作的半导体工艺，例如欲另 在晶片背面制作其他元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护晶片正面结构的方法，包含有：　　　　提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件；　　　　形成保护层覆盖于该晶片的该正面；　　　　提供第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于切割载具；　　　　进行晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，形成多个管芯；以及　　　　移除该第一黏着层及该保护层。

【技术特征摘要】
1. 一种保护晶片正面结构的方法，包含有提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件；形成保护层覆盖于该晶片的该正面；提供第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于切割载具；进行晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，形成多个管芯；以及移除该第一黏着层及该保护层。2、 如权利要求1所述的方法，其中于形成该保护层覆盖于该晶片的该 正面前，可选择性地形成光阻层，以保护所述元件。3、 如权利要求l所述的方法，其中该保护层为水溶性胶。4、 如权利要求1所述的方法，其中于该保护层形成后，另包含固化工 艺，并使该保护层失去黏性。5、 如权利要求1所述的方法，其中于该晶片固定于该切割载具后，可 选择性地进行晶片薄化工艺，自该晶片的该背面薄化该晶片。6、 如权利要求1所述的方法，其中于该晶片切割工艺后，另包含提供 第二黏着层，将该第二黏着层黏附于所述管芯的背面以固定所述管芯，以利 翻转所述管芯。7、 如权利要求3所述的方法，其中该保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈至贤，
申请(专利权)人：探微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]