制造电路板的方法及电路板技术

本发明专利技术提供了制造电路板的方法和电路板。该方法包括：在半导体衬底中形成多个第一孔，每个第一孔朝着半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底侧填充有绝缘层的第一孔；从后表面研磨半导体衬底，直到填充在多个第一孔中的相应绝缘层被暴露出来为止；以及在每个暴露的绝缘层中形成延伸到第一导电层的第二孔，并且通过用第二导电层填充每个第二孔来形成与第一导电层连接的第二导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造电路板的方法及电路板，具体而言，涉及制造具有贯 穿半导体衬底的导电层的电路板的方法以及该电路板。
技术介绍
.作为存储器的容量扩大及LSI的功能更高级的结果，研发了其中堆叠 有多个半导体芯片的LSI芯片(例如参见第2004-228598号(下文称为专利文献1)和第2005-072596号(下文称为专利文献2)日本未 实审专利申请公布)。在目前的堆叠芯片中，半导体芯片之间的连接通过 在硅(Si)衬底中形成通孔、用导电层填充通孔并使用精细焊点(fme bump)来建立。这里，通孔中与导电层的接触通过采用使用背面磨削(BGR， back grinding)切割导电层的方法(例如参见第2005-191255号日 本未实审专利申请公布(下文称为专利文献3))或者从后表面(backsurface)回蚀(etchback)硅衬底以暴露导电层的方法来建立。 参考图6A至图IO说明制造电路板的已知方法。首先，如图6A所示，充当硬掩膜的Si02膜12'形成在由具有诸如晶 体管之类的元件的Si晶片构成的半导体衬底11上。接着，用于在半导体 衬底11中形成通孔的抗蚀图案IV通过现有的光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电路板的方法，包括：在半导体衬底中形成多个第一孔，所述多个第一孔的每一个朝着所述半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充所述多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底侧填充有所述绝缘层的所述第一孔；从后表面研磨所述半导体衬底，直到填充在所述多个第一孔中的相应绝缘层被暴露出来为止；以及在所述暴露的绝缘层的每一个中形成延伸到所述第一导电层的第二孔，并且通过用第二导电层填充每个第二孔来形成与所述第一导电层连接的所述第二导电层。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-8 2007-0585961.一种制造电路板的方法，包括在半导体衬底中形成多个第一孔，所述多个第一孔的每一个朝着所述半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充所述多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底侧填充有所述绝缘层的所述第一孔；从后表面研磨所述半导体衬底，直到填充在所述多个第一孔中的相应绝缘层被暴露出来为止；以及在所述暴露的绝缘层的每一个中形成延伸到所述第一导电层的第二孔，并且通过用第二导电层填充每个第二孔来形成与所述第一导电层连接的所述第二导电层。2. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村卓矢，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]