硅纳米线/非晶硅异质结太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化铟锡导电薄膜层和Ｐ型硅基底层之间含有ｐ型纳米硅线／ｎ型非晶硅三维异质结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为：Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极，作为正面引出电极；透明ＩＴＯ导电薄膜层，起透光作用并作为正面引出电极；ｎ型非晶硅位于ｐ型纳米硅线之上，与ｐ型纳米硅线形成ｐ－ｎ异质结；ｐ型纳米硅线位于Ｐ型硅基底层之上，与ｎ型非晶硅形成三维ｐ－ｎ异质结。同时也作为太阳电池的减反射层；Ｐ型硅基底层，作为太阳能电池的基区；铝金属膜背电极，作为背面引出电极。本发明专利技术提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置，光吸收能力强，光电转换效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅纳米线太阳能电池装置，属于太阳能
技术背景面对全球能源短缺危机和生态环境的不断恶化，世界各国积极研究和开发利用可再生能 源，从而实现能源工业和社会的可持续发展。其中，太阳能以其独有的优势而成为可再生能 源的焦点。假如把地球表面0.1%的太阳能转为电能，转变率5%，每年发电量可达5.6xl012 千瓦小时，相当于目前世界上能耗的40倍。因而太阳能被认为是能源危机和生态环境恶化的 最佳解决途径。国内外专家预言到2100年太阳能有望占到全球一次能源的70%，其中太阳能 发电更是占64%。太阳能电池是通过半导体p-n结的光伏效应(photovoltaic effect)或者光化学效应直接把 光能转化成电能的装置。目前商业化太阳能电池以单晶硅和非晶硅为主。当前，人们除大量 应用单晶硅太阳电池外[参见专利专利号JP5243597-A;专利号KR2002072736-A]，还研制 成功了多晶硅电池[参见专利专利号US5949123-A]、非晶硅电池[参见专利专利号 〗P2002124689-A;专利号US6307146-B1]、薄膜太阳电池等各种新型的电池[参见专本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅纳米线／非晶硅异质结太阳能电池，它含有Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极、透明氧化铟锡（ＩＴＯ）导电层、ｎ型非晶硅、ｐ型纳米硅线、ｐ型硅基底层、铝金属膜背电极层，其特征在于：所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层，　　　　（１）Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极，位于透明ＩＴＯ导电薄膜层之上，其作用作为正面引出电极；　　　　（２）透明ＩＴＯ导电薄膜层位于ｎ型非晶硅／ｐ型纳米硅线异质结层之上，作为正面引出电极；　　　　（３）ｎ型非晶硅位于ｐ型纳米硅线之上，其作用是与ｐ型纳米硅线形成ｐ－ｎ异质结，产生光生伏特效应；　　　　（４）ｐ型纳米硅线位于Ｐ型硅基底层之上，其作用是与ｎ型非晶硅形成三维ｐ－ｎ异质结，产生光生伏...

【技术特征摘要】
1、硅纳米线/非晶硅异质结太阳能电池，它含有Ti/Pd/Ag栅形电极、透明氧化铟锡(ITO)导电层、n型非晶硅、p型纳米硅线、p型硅基底层、铝金属膜背电极层，其特征在于所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层，(1)Ti/Pd/Ag栅形电极，位于透明ITO导电薄膜层之上，其作用作为正面引出电极；(2)透明ITO导电薄膜层位于n型非晶硅/p型纳米硅线异质结层之上，作为正面引出电极；；(3)n型非晶硅位于p型纳米硅线之...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭奎庆，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]