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硅纳米线/非晶硅异质结太阳能电池制造技术
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文档序号:3172630
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本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化铟锡导电薄膜层和P型硅基底层之间含有p型纳米硅线/n型非晶硅三维异质结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为:Ti/Pd/Ag栅形电极,作为正面引...
该专利属于北京师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京师范大学授权不得商用。
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