【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及内联式非晶硅太阳能电池的制造方法属半导体器件制造技术，具体地说是一种内联式集成型非晶硅太阳能能电池及制造方法。非晶硅太阳能电池是一种新型光电转换器件，它是在玻璃基板上沉积形成非晶硅pin结的集成型平板式光电组件。它的弱光特性好，非晶硅太阳能电池对莹光灯光谱的吸收系数大约是单晶硅电池的10倍。附图说明图1为典型的非晶硅太阳能电池结构示意图案，它是由1玻璃基片，2透明导电膜，3非晶硅层，4金属背电极层，5保护层，6可焊接电极等六个部分组成。目前，一般常规的非晶硅太阳能电池的制造方法如下玻璃----透明导电膜制备----贴光刻胶膜----光刻胶膜曝光----光刻胶膜显影并干燥----腐蚀透明导电膜----去除光刻胶膜----沉积非晶硅层----激光刻划非晶硅层----真空蒸镀金属背电极----贴光刻胶膜----光刻胶膜曝光----光刻胶膜显影并干燥----腐蚀背电极----去除光刻胶膜----封装----切割----测试----包装入库。采用以上方法形成导电膜图形需要五至六步工作才能完成，如果按照专利90104410.5所提供的用激光刻蚀导电膜的方法...
【技术保护点】
一种内联式非晶硅太阳能电池及其制造方法，其特征在于，所述电池的制作方法按顺序包括下列步骤：选择玻璃－－－制造复合透明导电膜－－－－丝印正电极保护膜－－－－腐蚀导电膜－－－－去除保护膜，清洗干燥－－－－－沉积非晶硅薄膜－－－－－激光刻划非晶硅层－－－－真空镀铝－－－激光刻铝－－－－印背漆字符－－－－印可焊电极－－－－切割测试包装入库； ａ）丝印正电极保护膜，是在制作好复合膜的透明导电玻璃上用耐酸浆料印制电池正电极图形； ｂ）干燥后放入酸溶液中将裸露的导电膜腐蚀干净； ｃ）碱溶液将表面的导电膜保护层清除并清洗； ｄ）辉光放电的方法沉积Ｐ、Ｉ、Ｎ三层非晶硅...
【技术特征摘要】
1.一种内联式非晶硅太阳能电池及其制造方法，其特征在于，所述电池的制作方法按顺序包括下列步骤选择玻璃---制造复合透明导电膜----丝印正电极保护膜----腐蚀导电膜----去除保护膜，清洗干燥-----沉积非晶硅薄膜-----激光刻划非晶硅层----真空镀铝---激光刻铝----印背漆字符----印可焊电极----切割测试包装入库；a)丝印正电极保护膜，是在制作好复合膜的透明导电玻璃上用耐酸浆料印制电池正电极图形；b)干燥后放入酸溶液中将裸露的导电膜腐蚀干净；c)碱溶液将表面的导电膜保护层清除并清洗；d)辉光放电的方法沉积P、I、N三层非晶硅薄膜；e)激光刻蚀非晶硅层形成内联式集成电池的光电转换层；f)真空镀膜设备在非晶硅表面蒸镀背电极；g)激光刻蚀背电极；h)防腐铜浆印制制作可焊电极。2.根据权利要求1所述的一种内联式非晶硅太阳能电池及其制造方法，其特征在于上述的丝印正电极保护膜是用240--300目的丝网和耐酸浆料印制导电膜保护层，在温度60℃条件下，干燥一小时后，放入温度为70℃，酸溶液中，再用1％～3％的氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：李毅，周起才，丁孔贤，郑泽文，周帅先，陈刚，何承义，
申请(专利权)人：李毅，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
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