【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及MOS型晶体管以及含有MOS晶体管的半导体集成电路装置的构造和制造方法，特别涉及用于防止静电放电的结构。以下静电放电(破坏)将被简称为ESD。图50是已有技术中通常的抗ESD的输入保护电路的方框图。为了防止内部电路(初级中的CMOS变换器)5010遭受来自输入端5001的ESD，由与电阻器R5002和信号线Vdd5003连接的二极管D15005和与GND(称为地或VSS)连接的二极管D25005构成输入保持电路5007。该CMOS变换器包括N-沟道型MOS晶体管5009(以下称为NMOS晶体管)和P-沟道型MOS晶体管5008(PMOS晶体管)。箭头5011表示还与内部电路连接的信号线。这种结构代表了主要趋势。上述技术存在以下问。图51是已有技术的保护电路中所用的二极管在反向上电压与电流之间的性能(I-V性能)曲线。虽然IR为1nA或1μA的水平时，VR被定在BVox之下，但当电流IR到达100mA左右的水平时，二极管的耐压VR接近MOS晶体管的栅绝缘膜(称为栅SiO2或栅氧化物等)的耐压BVox。在以下所述中，与用于标准5V的Vdd的CMOS...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括Ｎ－沟道ＭＯＳ晶体管，其中靠近第一导电的半导体衬底表面处，分开形成第二导电的漏区和源区，在所述漏区与所述源区之间，栅电极通过栅绝缘膜形成于所述半导体衬底上，其特征在于所述漏区的最大杂质浓度大于５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］，在所述半导体衬底表面的所述漏区的杂质浓度，在所述栅电极之下，朝所述源区的方向呈单调下降的分布。
【技术特征摘要】
JP 1995-3-15 56140/95;JP 1994-3-31 63780/941.一种半导体器件，包括N-沟道MOS晶体管，其中靠近第一导电的半导体衬底表面处，分开形成第二导电的漏区和源区，在所述漏区与所述源区之间，栅电极通过栅绝缘膜形成于所述半导体衬底上，其特征在于所述漏区的最大杂质浓度大于5×1018cm-3，在所述半导体衬底表面的所述漏区的杂质浓度，在所述栅电极之下，朝所述源区的方向呈单调下降的分布。2.按权利要求1的半导体器件，其特征是所述漏区与所述栅电极有一个通过所述栅绝缘膜的重迭部分，所述重迭部分在所述源区方向的长度大于5微米。3.按权利要求1的半导体器件，其特征是，半导体器件有一种结构，其中所述栅电极与所述源区电连接。4.按权利要求1的半导体器件，其特征是，半导体器件有一种结构，其中所述栅电极按连续平面方式环绕所述漏区地形成5.按权利要求1的半导体器件，其特征是，所述N-沟道MOS晶体管，当所述栅区和所述源区电气接地并逐级地将电压加给所述漏区时，进行双极性工作，而且在所述双极性工作中的保持电压大于所述半导体器件工作电压的上限。6.按权利要求1的半导体器件，其特征是，还包括外端子，用于与外部和包括在所述半导体衬底上的MOS晶体管的内部电路电气连接，所述外端子与所述内部电路是电连接的，所述外端子与所述N-沟道MOS晶体管电连接，当所述栅区和所述源区电接地，并向所述漏区逐级地加电压时，所述N-沟道MOS晶体管进行双极性工作，所述双极性工作中的触发电压低于在所述内部电路中的MOS晶体管的双极性工作中的触发电压。7.按权利要求1的半导体器件，其特征是，还包括内部电路，该内电路有在所述半导体衬底上的MOS晶体管和用作使外电路与内部电路电连接的N-沟道MOS晶体管。8.按权利要求1的半导体器件，其特征是半导体器件在低于最小工作电压的1.5V电压工作。9.按权利要求1的半导体器件，其特征是半导体器件在大于最大工作电压的12V电压工作。10.按权利要求1的半导体器件，其特征是所述半导体衬底是通过绝缘膜形成在支撑衬底上的。11.按权利要求7的半导体器件，其特征是，还包括至少两端，用于给内部电路供电，其中所述N沟道MOS晶体管位于两端之间，并且电连接于两端之间。12.按权利要求11的半导体器件，其特征是半导体器件在低于最低工作电压的1.5V电压工作，或在高于最大工作电压的12V电压工作。13.按权利要求11的半导体器件，其特征是包括所述半导体衬底的芯片是平板形的，该正片一边的尺寸小于1.5mm。14.按权利要求1的半导体器件其特征是，还包括输入预定电压用的转换晶体管，控制所述转换晶体管用的开关控制电路与所述转换晶体管电连接的线圈，和转换调节器，其结构是所述N沟道MOS晶体管电连接于所述转换晶体管与所述线圈之间。15.按权利要求1的半导体器件，其特征是，还包括从外部输入信号用的输入端，与所述输入端电连接的内部电路，与所术输入端电连接的静电保护器件，所述静电保护器件由所述N-沟道MOS晶体管制成。16.按权利要求15的半导体器件，其特征是所述N-沟道MOS晶体管的所述漏区与所述输入端电连接，所述源区...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤丰，小山内润，
申请(专利权)人：精工电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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