一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳＯＮ型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离（ＳＴＩ）上的氮化硅侧墙，用常规ＣＭＯＳ工艺制作ＭＯＳＦＥＴ器件。本发明专利技术所提供的一种ＳＯＮ型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，由于采用了低剂量氖（Ｎｅ）离子注入，能产生更高密度的气泡，并采取两次不同能量低温注入形成两层气泡带，高温退火后这两层气泡带相互作用合并成为高致密度单层空洞，由此形成带有散热通道的超浅结ＳＯＮ器件结构，其工艺简单，成本低廉，其大部分步骤采用常规ＣＭＯＳ工艺完成，便于大规模集成电路工业生产，并且降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超大规模集成电路制造
，特别涉及的是一种有硅 作为散热通道的SON ( Silicon-On-Nothing )型金属-氧化物-半导体场效应 管(MOSFET)器件的制备方法。
技术介绍
为了提高集成电路芯片的性能和性能价格比，缩小器件特征尺寸从而 提高集成度是一个主要的途径。但随着器件体积的缩小，功耗与漏电流成 为最关注的问题。绝缘体上硅SOI ( Silicon-On-Insulator)结构因能很好地 抑制短沟效应，并提高器件按比例缩小的能力，已成为深亚微米MOS器件 的优选结构。随着SOI技术的不断发展，现有技术文献中电子器件第147巻2000 年第11期第2179页，由Malgorzata Jurcazak, Thomas Skotnicki, M.Paoli, B. Tormen等人(SON-—种高级CMOS的创新工艺；Silicon-on-Nothing ~~an Innovative Process for Advanced CMOS, IEEE Trans. Elec. Dev. ， pp.2179 ， vol47, Noll, 2000)提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＮ型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含以下步骤：Ａ、在Ｐ型硅衬底上热氧化生成二氧化硅掩蔽层，淀积氮化硅作为化学机械抛光停止层，光刻后形成浅槽隔离绝缘层窗口；Ｂ、淀积填充二氧化硅，化学机械抛光到氮化硅层停止 ；Ｃ、漂洗氮化硅，得到浅槽隔离绝缘层二氧化硅；Ｄ、在浅槽隔离绝缘层上淀积氮化硅；Ｅ、对淀积的氮化硅层进行大面积回刻，即只在垂直面进行刻蚀，没有水平面的横向刻蚀；Ｆ、利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退 火后在有源区下面形成空洞层；Ｇ、去除氮化硅侧墙，用常规ＣＭＯＳ工艺制作Ｍ...

【技术特征摘要】
1、一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含以下步骤A、在P型硅衬底上热氧化生成二氧化硅掩蔽层，淀积氮化硅作为化学机械抛光停止层，光刻后形成浅槽隔离绝缘层窗口；B、淀积填充二氧化硅，化学机械抛光到氮化硅层停止；C、漂洗氮化硅，得到浅槽隔离绝缘层二氧化硅；D、在浅槽隔离绝缘层上淀积氮化硅；E、对淀积的氮化硅层进行大面积回刻，即只在垂直面进行刻蚀，没有水平面的横向刻蚀；F、利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后在有源区下面形成空洞层；G、去除氮化硅侧墙，用常规CMOS工艺制作MOSFET器件。2、 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤F中是 在含氢气和氮气的混合气体中进行高温退火的。3、 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤F采用 的步骤还包括在二次不同能量大束流低温注入时，先形成两层气泡带， 在高温退火后合并长大成单层空洞层。4、 根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于，所述步 骤E还包括以下步骤El、采取回刻工艺对淀积的这层氮化硅层进行大面积刻蚀，形成浅...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭本贤，俞挺，于峰崎，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]