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本发明公开了一种ＳＯＮ型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离（ＳＴＩ）上的氮化硅侧墙，用常规ＣＭＯＳ工艺制作ＭＯＳＦＥＴ器件。本发明所提供的...
该专利属于深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳先进技术研究院授权不得商用。

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