晶片检测装置用载片台及具备该载片台的晶片检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶片检测装置用载片台，设在晶片检测装置，用于支撑晶片，具备冷却流路，并沿着上述冷却流路通过空气来冷却上述载片台，上述冷却流路包括：冷却路，不同直径的多个Ｃ型环以其中任何一个Ｃ型环的一端连接邻接的另一个Ｃ型环的一端的形态形成一个通道，上述多个Ｃ型环的中心对应上述载片台的中心；第一连通路，将上述多个Ｃ型环中最大直径的Ｃ型环的另一端与上述载片台的外部连通；及第二连通路，将上述多个Ｃ型环中最小直径的Ｃ型环的另一端与上述载片台的外部连通。利用本发明专利技术的晶片检测装置用载片台及具备这些载片台的晶片检测装置，通过向上述冷却流路通过冷却空气，能够迅速冷却载片台。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片检测装置用载片台及利用该载片台的晶片检测装置。 具体地说，涉及通过把冷却空气供应到内部的冷却流路来迅速冷却的晶片 检测装置用载片台及利用该载片台的晶片检测装置。
技术介绍
通常，半导体元件的后工艺是从检査形成在晶片W (Wafer)上的半导 体元件的缺陷的晶片检测开始。为了检测这些晶片，用载片台(Chuck)支撑 上述晶片W，使探针(Probe)接触上述晶片W上形成的上述半导体元件来 检测其合格与否的晶片检测装置被广泛使用。这时，上述晶片检测装置还 进行把形成在上述晶片上的半导体元件加热到85。C左右来检测的高温检 测。如上所述的晶片检测装置，如图1所示，具备载片台10，该载片台 IO用于放置上述晶片W。进行高温检测时，上述载片台IO与上述晶片W 同时被加热，因此，在检测之后，为了检测下一个晶片W，需要充分冷 却。为了达到上述目的，传统的晶片检测器包括在其内部形成有冷却流路 11的载片台10、及向上述冷却流路11供应空气以便通过空气的空气泵 20。如图2所示，上述载片台10在从其上表面起一定深度的内部形成有 上述冷却流路11。上述冷却流路11包括流入路lla，从上述载片台10 的外部向中心方向形成为螺旋形状；以及流出路llb，在上述载片台10的 中心转换180。方向形成为螺旋形状并与上述流入路lla并列地连通到上述 载片台IO外部。上述空气泵20把常温空气供应到上述流入路Ua。上述空气泵20供 应的空气按顺序通过上述流入路lla和上述流出路llb，冷却上述载片台10。被供应的常温空气吸取上述载片台10的热，因此越是从上述流入路lla行进到上述流出路llb，温度越高。因此，通过上述流出路lib排出 到上述载片台IO外部的空气成为高温空气。这些传统的晶片检测装置中，形成在上述载片台10内部的上述流入 路Ua和上述流出路llb相互邻接。因此，供应到上述流入路lla的常温 空气不仅吸收上述载片台C的热，而且也吸收通过上述流出路lib内部的 高温空气的热。艮P，通过上述流入路lla的被供应的常温空气和通过上述流出路lib 的高温空气之间相互传导热，而降低对上述载片台IO的冷却效率。尤其，如图2所示，上述流入路lla和上述流出路lib以上述流入路 lla的入口部分和上述流出路lib的出口部分相互邻接的状态并排形成， 从而被供应的常温空气邻接最高温状态的空气。另一方面，两个物体之间的导热量与两个物体之间的温度差成正比， 因此，如上述的通过上述流入路lla而供应的常温空气和通过上述流出路 lib的高温空气之间的导热更加活跃。随之对上述载片台10的冷却效率降 低。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题，提供一种晶片检测装置，该晶片检测装置 的冷却流路形成为使供应到载片台内部的空气和排出空气之间的传热达到 最小，从而能够迅速冷却载片台。为了解决上述问题，本专利技术的晶片检测装置用载片台，设在晶片检测 装置，用于支撑晶片，具备冷却流路，并沿着上述7令却流路通过空气来冷 却上述载片台，上述冷却流路包括冷却路，不同直径的多个C型环以其 中任何一个C型环的一端与邻接的另一个C型环的一端连接的形态形成一个 通道，上述多个C型环的中心对应上述载片台的中心；第一连通路，将上 述多个C型环中最大直径的C型环的另一端与上述载片台的外部连通；及第 二连通路，将上述多个C型环中最小直径的C型环的另一端与上述载片台的 外部连通。上述晶片检测装置用载片台，可以是上述多个c型环设置成各两端之间的开放部按相同方向排列，上述第二连通路位于上述开放部，并且不与上述多个c型环连接。上述晶片检测装置用载片台，可以是空气流入到上述第一连通路，并 从上述第二连通路流出，由此进行冷却。上述晶片检测装置用载片台，可以是-2(TC至(TC的冷却空气通过上 述冷却流路。并且，本专利技术的晶片检测装置，检测被载片台支撑的晶片，包括上 述载片台，具备冷却流路；以及空气供应部，向上述冷却流路供应加压的 空气来冷却上述载片台，上述冷却流路包括冷却路，不同直径的多个C 型环以其中任何一个C型环的一端与邻接的另一个C型环的一端连接的形态形成一个通道，上述多个C型环的中心对应上述载片台的中心；第一连通路，将上述多个C型环中最大直径的C型环的另一端与上述载片台的外 部连通；及第二连通路，将上述多个C型环中最小直径的C型环的另一端 与上述载片台的外部连通。上述晶片检测装置中，也可以上述多个C型环的各自的开放部朝向相 同方向排列，上述第二连通路位于上述开放部、并且不与上述多个C型环 连接。上述晶片检测装置还可以包括冷却器，该冷却器把供应到上述冷却流 路的空气冷却到-20'C至0'C。根据这些本专利技术的晶片检测装置，在载片台的内部，从载片台的外周 部分向中心部分将冷却流路形成为最大限度地隔离被供应的空气的流路和 流出的空气的流路，由此能够最大限度地防止被供应的空气和流出的高温 空气之间的热传导。因此，被供应的空气不发生因高温空气造成的热损失，全部用于冷却 上述载片台，从而极大化上述载片台的冷却效率。并且，具备冷却器，把冷却空气供应到上述冷却流路，从而更迅速地 冷却上述载片台。并且，通过使冷却空气经过冷却流路来冷却上述载片台，能够把上述 载片台冷却到比常温更低的温度，以便对晶片进行低温检测。附图说明图1是传统晶片检测装置的概略立体图。图2是传统晶片检测装置用载片台的图1所示的A-A剖视图。图3是本专利技术的晶片检测装置载片台的概略立体图。图4是本专利技术的晶片检测装置用载片台的图3所示的B-B剖视图。〈附图标记说明〉 100:载片台 110:冷却流路111:冷却路llla:冷却路的多个C型环中最大直径环的另一端部分 lllb:冷却路的多个C型环中最小直径环的另一端部分 112:第一连通路 113:第二连通路200 :空气供应部 300 :冷却器具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例，使之在本专利技术所属的技术 领域的技术人员易于实施。但是，本专利技术可以体现成各种方式，其范围并 不限定于在此说明的实施例。以下，参照图3及图4,具体说明本专利技术实施例的晶片检测装置的结 构及作用效果。根据本专利技术实施例的晶片检测装置包括载片台 (Chuck)100、空气供应部200、及冷却器300。上述载片台100是用于放置晶片w的装置，在所述晶片w的上表面形成有作为检测对象的半导体元件。在上述载片台100的上表面放入上述 晶片W时，上述载片台100吸附上述晶片w而将其放置于其上表面，并在检测期间支撑上述晶片w。因此，在对上述晶片w进行高温检测时，上述载片台100与上述晶片w —起被加热。对上述晶片w进行高温检测之后，为了检测下一个检测对象晶片 W，上述载片台100被冷却到常温25X:至28-C。为此，在上述载片台100内部具备通过空气的冷却流路110。上述冷 却流路110是为了使上述空气供应部200供应的空气通过而设在上述载片 台100内部的通道。即，通过上述空气供应部200供应的空气通过上述冷 却路U0，被供应的空气冷却上述载片台100。 以下，更详细地说明上述冷却流路110。如图4所示，上述7令却流路110包括冷却路111、第一连通路112、 及第二连通路113。上述冷却路111形成在上述载片台10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片检测装置用载片台，设在晶片检测装置，用于支撑晶片，其特征在于，　具备冷却流路，并沿着上述冷却流路通过空气来冷却上述载片台，　上述冷却流路包括：　冷却路，不同直径的多个Ｃ型环以其中任何一个Ｃ型环的一端与邻接的另一个Ｃ型环的一端连接的形态形成一个通道，上述多个Ｃ型环的中心对应上述载片台的中心；　第一连通路，将上述多个Ｃ型环中最大直径的Ｃ型环的另一端与上述载片台的外部连通；及　第二连通路，将上述多个Ｃ型环中最小直径的Ｃ型环的另一端与上述载片台的外部连通。

【技术特征摘要】
KR 2007-7-25 10-2007-00747521、一种晶片检测装置用载片台，设在晶片检测装置，用于支撑晶片，其特征在于，具备冷却流路，并沿着上述冷却流路通过空气来冷却上述载片台，上述冷却流路包括冷却路，不同直径的多个C型环以其中任何一个C型环的一端与邻接的另一个C型环的一端连接的形态形成一个通道，上述多个C型环的中心对应上述载片台的中心；第一连通路，将上述多个C型环中最大直径的C型环的另一端与上述载片台的外部连通；及第二连通路，将上述多个C型环中最小直径的C型环的另一端与上述载片台的外部连通。2、 根据权利要求l所述的晶片检测装置用载片台，其特征在于， 上述多个C型环设置成各两端之间的开放部按相同方向排列， 上述第二连通路位于上述开放部，并且不与上述多个C型环连接。3、 根据权利要求l所述的晶片检测装置用载片台，其特征在于， 空气流入到上述第一连通路，并从上述第二连通路流出，由此进行冷却。4、 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金应秀，南正道，崔时龙，丁均，
申请(专利权)人：赛科隆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]