形成晶片图的方法技术

本发明专利技术揭示了一种形成包括裸芯的晶片的晶片图的方法，所述裸芯上形成有发光装置。从其上形成有发光装置的裸芯和所述晶片分别获得参考图像和所述晶片的图像。比较所述图像与所述参考图像，以将所述裸芯分成检查目标裸芯和非检查裸芯。通过使用被分成检查目标裸芯和非检查裸芯的裸芯上的数据形成所述晶片图。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术示例实施例大体上涉及ー种。更特别的是，本专利技术示例实施例涉及ー种形成包括有裸芯(die)的晶片的晶片图的方法，所述裸芯上形成有发光装置，所述晶片图以电和光的方式检查所述发光装置。
技术介绍
通常，形成在半导体晶片上的诸如发光二极管(LED)芯片之类的发光装置，在通过用切割エ艺分开后，可以通过裸芯粘结エ艺，被附接在导线框架(lead frame)上。然后， 可以在所述发光装置上进行电和光检查エ艺。可以使用多个探针通过将电信号应用到所述发光装置上，在所述发光装置上进行检查エ艺。特别是，要检查所述发光装置是否正常工作，电检查エ艺测量流经发光装置的电流或者所述发光装置的电阻，光检查エ艺测量通过在所述发光装置上应用电信号所发出的光的强度。但是，所述检查エ艺是在每ー个发光装置上进行的，使所述检查エ艺所需要的时间增加，然后所述发光装置的产量会降低。为了解决上述问题，近年来研发了ー种晶片水平检查エ艺。所述晶片水平检查エ艺可以在晶片上进行，所述晶片包括在通过切割エ艺分开后附接到切割胶带的裸芯。需要晶片图来进行晶片水平检查エ艺，其包括每ー个裸芯是否为检查对象的数据。所述晶片图可以由操作人员手动获得。特别的是，操作人员可以通过显微镜用裸眼来确认，然后将裸芯上的数据输入到控制器中，以形成晶片图。但是，根据上文描述的现有技术，形成晶片图所需的时间可能会很长，同时晶片图的可靠性会随着操作人员的技术水平而变化。
技术实现思路
本专利技术示例的实施例提供一种自动获取构成晶片的裸芯上的数据以及使用所述数据。根据本专利技术的ー个方面，ー种可以包括，从其上形成有发光装置的裸芯上获取參考图像，获取包括多个裸芯的晶片的图像，将所述图像与所述參考图像进行比较，以将所述裸芯分成检查目标裸芯和非检查裸芯，使用被分成检查目标裸芯和非检查裸芯后的裸芯上的数据形成所述晶片图。根据本专利技术的ー些示例实施例，可以通过用图像获取系统扫描所述晶片获得所述图像。根据本专利技术的ー些示例实施例，所述裸芯可以被附接到切割带上。根据本专利技术的另ー个方面，ー种可以包括形成包括多个裸芯的晶片的初始晶片图，从其上形成有发光装置的裸芯上获得參考图像，获得所述晶片的图像， 将所述图像与所述參考图像进行比较，以将所述裸芯分成检查目标裸芯和非检查裸芯，使用被分成检查目标裸芯和非检查裸芯的裸芯上的数据更新所述初始晶片图，以完成所述晶片图。根据上文描述的本专利技术的示例实施例，所述晶片图可以用来在形成于所述晶片上的发光装置上执行电和/或光检查エ艺。特别的是，所述晶片图可以通过图像获取系统和控制器自动形成，而不用操作人员手动形成。因此，可以缩短在所述发光装置上进行电和/ 光检查ェ艺的时间。进ー步地，可以改善所述晶片图的可靠性，因而可以減少在所述电和/ 或光检查ェ艺中所用的时间。附图说明随着下文的详细描述，当与附图结合起来考虑时，本专利技术的示例实施例将会变得易于理解，其中图I是图示根据本专利技术的示例实施例的流程图2是图示从裸芯上获得的一例參考图像的示意图，在所述裸芯上形成有发光装直; 图3是图示晶片上的扫描方向的例子和由图像获取系统所获得的图像的例子的示意图。图4是图示根据本专利技术的另ー个示例实施例的的流程图5是图不由图4所不的方法形成的初始晶片图的不意图；和图6是图示如图4所示的方法完成的晶片图的示意图。具体实施方式接下来參考显示了本专利技术的示例实施例的附图更充分地描述本专利技术。但是，本专利技术可以体现为不同的形式，不应当理解为受到此处罗列的示例实施例的限制。更准确地说， 提供这些实施例是使本说明书详尽和完整，充分地将本专利技术的范畴传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，各层和区域的尺寸和相对尺寸可能会有夸大。将会理解到，当称一个部件或者层是“在......之上”或者“连接到”另ー个部件或者层时，它可以是直接在另ー个部件或者层上或者连接在另ー个部件或者层上，或者是有居于中间的元件或者层。相反，当称ー个部件是“直接在......之上”或者“直接连接到”另ー个部件或者层，那么就没有居于中间的部件或者层。在整个说明书中，相同的參考标号指的是相同的部件。本说明书中所使用的措词“和/或”包括所罗列的相关联的项目中的ー项或多项的所有组合。要理解的是，虽然此处可能使用第一、第二、第三等等措词来描述各种部件、元件、 区域、层和/或区块，这些部件、元件、区域、层和/或区块不应当受到这些措词的限制。这些措词仅用于区分ー个部件、元件、区域、层或者区块与另ー个区域、层或者区块。因此，在不偏离本专利技术的教导的情况下，下文讨论的第一部件、组件、区域、层或者区块可以被称为是第二部件、组件、区域、层或者区块。在本说明书中，可能会使用诸如“下方的”、“上方的”等等之类与空间位置相关的措词，以使附图中图示的一个部件或者特征与另ー个部件或者特征的关系描述起来容易。 要理解的是，与空间位置相关的措词g在涵盖除了附图中所描述的装置的方位之外，装置在使用中或者操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置翻转过来，则描述为在其它部件或者特征“下面”或者“下方”的部件的方位为在所述其它部件或者特征的“上方”。因此，示例的措词“在......下面”可以涵盖上方和下方两个方位。可以用别的方式确定装置的方位(转动90度或者在其它方位)，本说明书中所使用的空间相对位置的描述将作相应的解释。本说明书中所用的术语的目的只是为了描述特殊的实施例，并不g在限制本专利技术。如本说明书中所使用的単数形式的“ー个”和“所述”还g在包括复数形式，除非在语境里另有明确表述。进ー步应当理解的是，在说明书中所用的措辞“包括”，指定的是出现了所陈述的特征、整体(integer)、步骤、操作、部件和/或组件，但是不排除出现或者附加ー 个或多个其它特征、整体(integer)、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组合。除非另有定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术和科学术语)的意思和本专利技术所属领域技术的普通技术人员通常所理解的意思相同。进ー步理解的是，诸如常用字典中所定义的那些术语应当被理解为具有与它们在相关
情景中的意思相同的意思，不应解释为理想化或者过于正式的意思，除非另有定义。本专利技术的示例实施例是參考剖视图来描述的，这些剖视图是本专利技术理想化的实施例(和中间结构)的示意图。因而，由于例如制造技术和/或容差造成的所述示图中的形状的变形是可以预期的。因此，本专利技术示例的实施例不应当视为是受到此处图示的区域的特定形状的限制，而是包括例如由于制造所产生的形状的偏差。附图中图示的区域本质上是用于示意，它们的形状不是图示设备的区域的实际形状，不是g在限制本专利技术的范畴。图I是图示根据本专利技术示例实施例的的流程图，图2是图示从其上形成有发光装置的裸芯获得的參考图像的示意图。可以使用根据本专利技术的示例实施例的来对其上形成有诸如LED 芯片之类的发光装置的晶片上进行电或者光检查エ艺。例如，可以获得具有多个裸芯的晶片上的数据，特别是所述裸芯上的数据，可以使用所述数据形成晶片图。所述晶片图可以用来在所述晶片上进行晶片水平的检查エ艺。參考图I和图2，在步骤S 100中，可以从其上形成有发光装置10的裸芯20上获得參考图像40。可以从待检查的其中一个晶片上获得參考图像40。晶片30(參见图3)可以包括多个裸芯20，在每本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑柄旭，朴洸佑，金秀炫，
申请(专利权)人：赛科隆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：