非蒸发型吸气剂及其制造方法、以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供这样的非蒸发型吸气剂，该吸气剂能持续残留气体的吸附能力，而且，尤其经历在显示装置的制造工艺过程中的高温低真空状态，也能确保充分的特性。本发明专利技术是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有具有作为吸气剂的功能的基体材料，以及被配置在该基体材料表面的、以Ｔｉ为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。通过在其表面具有凹凸、同时在没有具有作为吸气剂的功能的基体材料的该凹凸表面上形成以Ｔｉ为主要成分的多晶膜，使得非蒸发型吸气剂的制造变成可能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能吸附残留在真空中的气体、维持真空的吸气剂，尤其涉及即使吸气剂在其性能容易恶化的空气中也能长时间地维持性能的非蒸发型吸气剂、以及具备这样的非蒸发型吸气剂的显示装置。
技术介绍
通常，将能用物理方法和化学方法吸附在真空中存在的残留气体的物质叫做吸气剂，对于作为吸气剂使用的材料，为了尽可能长时期保持配置系列的真空，希望在真空中的残留气体的吸附速度高、而且能够长期保持这种高吸附速度的材料。作为这样的吸气剂材料，以往人们知道Ba、Li、AI、Zr、Ti、Hf、Nb、Ta、Th、Mo以及V等金属单质或这些金属的合金，但在真空中对这些金属单质或金属合金进行加热、蒸发、露出洁净的金属表面后用化学方法吸附真空中的残留气体成分，将这样的吸气剂叫做蒸发型吸气剂，另一方面，通过在真空中加热、预先使在表面存在的氧化薄膜向内部扩散、每当加热时在最外层露出金属面、并吸附真空中的残留气体，将这样的吸气剂叫做非蒸发型吸气剂。非蒸发型吸气剂主要由以Zr、Ti为主要成分的金属单质、或由包含这些金属的合金形成，通常，在不锈钢、镍铬铁合金等基片上使这些金属或合金成膜，用通电加热的设备连同基片一起加热，并在发现吸气剂能力后使用。但是，当用一般所熟悉的真空蒸镀等设备在不锈钢、镍铬铁合金等基片上形成Zr、Ti等单质金属的薄膜的场合，在与大气曝露的同时在成膜表面形成非常稳定的氧化物，为要形成活性表面，在真空中必须加热到800～900℃的高温(Japan.J.Appl.Phys.Suppl.2，pt.1，49，1974)。并且，通常，由于在200℃以上，施行活性化处理后的这些单质金属薄膜和真空中的残留气体才起反应，因此，在室温附近几乎没有发挥吸气剂性能。因此，直到现在即使在低温也实行了与真空中的残留气体发生反应、具有充分的吸气剂性能的吸气剂的各种改良。但是，也存在这样的缺点，即，若首先从成本这一点考虑，在其制造过程中不希望费时费工夫，另外，所谓在接近室温的低温下发现充分的吸气剂性能，就是说吸气剂容易发生反应，即吸气剂的恶化快，根据使用环境不同不必长时间地维持所希望的特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供这样的非蒸发型吸气剂，即，该吸气剂能持续残留气体的吸附能力，而且，尤其经历显示装置的制造工艺过程中的高温低真空状态，也能确保充分的特性。另外，本专利技术的目的在于使用干式而且简便地提供具有所述性能的非蒸发型吸气剂。另外，本专利技术的目的在于提供内装具有所述性能的非蒸发型吸气剂、显示性能优良的显示装置。本专利技术是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有作为吸气剂的功能的基体材料、以及被配置在该基体材料表面、以Ti为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。另外，本专利技术是这样的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，在其表面具有凹凸同时不具有作为吸气剂的功能，在这样的基体材料的该凹凸面上形成Ti为主要成分的多晶膜。另外，本专利技术是在封装外壳内部具备电子源和与它对向配置的荧光体的显示装置，其特征在于，在所述封装外壳内具备上述的非蒸发型吸气剂。附图说明图1A、图1B是表示涉及本专利技术的图象显示装置的一个形态的图。图2是表示涉及本专利技术的图象显示装置的其它形态的图。图3是进一步表示涉及本专利技术的图象显示装置的其它形态的图。图4A、4B是表示在涉及本专利技术的图象显示装置中使用的荧光膜的图。图5是表示在制造涉及本专利技术的图象显示装置中使用的真空处理装置的概要的模式图。图6A、6B、6C、6D、6E、6F是用于说明涉及本专利技术的图象显示装置的电子源基片的制造方法的图。图7是用于说明用来制造涉及本专利技术的图象显示装置的制造评价装置的模式图。具体实施例方式首先，第1本专利技术是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备不具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及被配置在该基体材料表面、以Ti为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。另外，上述第1本专利技术作为理想的形态应包含如下内容所述基体材料在配置所述多晶膜的表面具有凹凸部分，所述凹凸的凸部分平均具有0.2μm～20μm范围内的高度，所述凹凸的凸部分的平均间距在0.5μm～20μm的范围内，所述多晶膜的晶粒的大小在100～2000的范围内，所述多晶膜由Ti组成。另外，第2本专利技术是这样的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征为，在基体材料的表面具有凹凸部分，同时，在不具有作为吸气剂的功能的基体材料的凹凸面上形成以Ti作为主要成分的多晶膜。另外，上述第2本专利技术作为理想的形态应包含如下内容所述凹凸用喷砂法形成，所述凹凸用印刷法形成，所述凹凸部分是平均具有0.2μm～20μm范围内的高度的凹凸，所述凹凸的凸部分的平均间距在0.5μm～20μm的范围内，所述基体材料是以镍铬铁合金作为主要成分的基体材料，所述基体材料是以银组为主要成分的基体材料，所述以Ti主要成分的薄膜的形成用溅射法进行。另外，第3本专利技术是在封装外壳内具备电子源和与它对向配置的荧光体的显示装置，其特征在于，在所述封装外壳内具备上述的非蒸发型吸气剂。此处，一种非蒸发型吸气剂，其特征在于，在本专利技术中它具备不具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及配置在该基体材料表面、以Ti作为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜，这样的非蒸发型吸气剂通过在其表面具有凹凸的、不具有镍铬铁合金、银等吸气剂功能的基体材料的该凹凸面上形成由Ti组成的多晶膜而被制造。另外，将本专利技术的非蒸发型吸气剂的所述多晶膜的晶粒的大小控制在100～2000的范围内的技巧是将所述基体材料的至少纵向方向的基体材料表面的凹凸的凸部分的高度假定平均在0.2μm～20μm的范围内，即，最好是再将基体材料的至少纵向方向的所述凹凸的凸部分的平均间距假定在0.5μm～20μm的范围内。另外，这样的基体材料表面的凹凸的控制最好是使用喷砂法和印刷法进行，在这样的基体材料上的以Ti作为主要成分的薄膜的形成最好使用溅射法。上述的本专利技术的非蒸发型吸气剂从以Ti作为主要成分这一点和是在其内部具有多个空隙的多晶膜这一点来看，与以以往的Ti作为主要成分薄膜的非蒸发型吸气剂比较，是经过更长时间使残留气体的吸附能力能持续的吸气剂。另外，由于通过在不具有作为吸气剂的功能的基体材料的表面，就是说不是具有特别功能的基体材料、而是在通常的基体材料表面设置凹凸、并在这样的凹凸面上成膜，如上所述，能形成在其内部具有多个空隙的多晶膜，因此，在电子源或图象显示装置的制造过程中能以极低的成本进行制造。以下，关于本专利技术的非蒸发型吸气剂，以内装该吸气剂的显示装置为例，说明其实施形态。在本专利技术中合适的形态的第1例应假定这样构成，即，在图象显示装置的图象显示区的外侧设置配置在镍铬铁合金板等基体材料上的非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。此处，Ti薄膜是在其内部具有多个空隙的Ti的多晶膜，其多晶膜的晶粒的大小假定在100～2000的范围内。另外，在本实施形态中的这样的多晶膜在其表面是在平均为0.2μm～20μm的范围内的凹凸，并配置在具有其凸部的平均间距在0.5μm～20μm的范围内的凹凸的镍铬铁合金板上。即，本专利技术的实施形态的Ti薄膜是通过喷砂法或印刷法等在其表面形成平均为0.2μm～20μm的范围内的凹凸，并预先在镍铬铁合金板表面形成其凸部的平均间距为0.5μm～20μm的范围内的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及配置在该基体材料表面的、以Ｔｉ作为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-23 252777/20011.一种非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及配置在该基体材料表面的、以Ti作为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。2.如权利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述基体材料在配置了所述多晶膜的表面具有凹凸。3.如权利要求2记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述凹凸的凸部具有平均在0.2μm～20μm的范围内的高度。4.如权利要求3记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述凹凸的凸部的平均节距在0.5μm～20μm的范围内。5.如权利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述多晶膜的晶粒的大小在100～2000的范围内。6.如利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述多晶膜由Ti组成。7.一种非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：时冈正树，长谷川光利，重冈和也，荒井由高，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]