用于蒸发单元的再加载方法技术

本发明专利技术涉及用于将材料(7)蒸发到安放在真空沉积室中的基质上的蒸发单元(10)的再加载方法，使包含待蒸发材料的第一坩埚(110)与该蒸发单元的蒸发室(100)接合，设置蒸发装置(101，131，132)以将第一坩埚置于蒸发条件下以便生成材料蒸汽流(116)。该再加载方法包括：将含有待蒸发材料的第二坩埚(120)加载入与相邻蒸发室预先隔离的加载室(200)中的步骤，该加载室中的压力显著大于真空沉积室中的压力；在所述引入步骤之后的封闭步骤，用于使加载室内的压力回到与蒸发第一坩埚时蒸发室的压力相当的水平；释放步骤，在该步骤中第一坩埚被从蒸发室转移到加载室；接合第二坩埚与蒸发室的步骤；和将第二坩埚置于蒸发条件下的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在基质上蒸发和真空沉积材料的领域。更具体地，本专利技术涉及一种再加载蒸发单元的方法，该蒸发单元用于使材料蒸发，以将该材料沉积在安置于真空沉积室中的基质上。
技术介绍
真空沉积设备能使在蒸发室中蒸发的材料，如半导体材料或化合物(例如，硅、砷化镓、磷化铟等)、无机材料(例如，砸、锑、磷)、或者有机材料(例如，三(8-羟基喹啉)铝(III)或Alq3等)沉积到安置于保持真空的沉积室中的基质上。更具体地，这种设备包括用于蒸发该材料的蒸发单元、包含待蒸发材料并且与所述蒸发单元的蒸发室相接合的第一坩祸、以及蒸发装置，该蒸发装置设置成将该第一坩祸置于蒸发条件下，以产生经过蒸发室输出开孔的材料蒸汽流，该输出开孔接合到注射器上以将蒸气喷射到真空沉积室中。为了保证几乎连续的生产，可开发出一种蒸发单元，它利用包含大量待蒸发材料的大容量坩祸，使在大数量连续基质上沉积材料成为可能。然而，在使用大容量坩祸时，在能再加载蒸发单元之前需要为了替换坩祸而等待所述坩祸冷却，进而使蒸发室的热稳定性不受取出热坩祸和将冷坩祸导入蒸发室的干扰。而且，蒸发单元的再加载导致生产的长时间中断，因为在从蒸发单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
于蒸发单元(10)的再加载方法，该蒸发单元用于蒸发待沉积到基质(2)上的材料(7)，该基质被安置于真空沉积室(20)中，使包含所述待蒸发材料(7)的第一坩埚(110)与所述蒸发单元(10)的蒸发室(100)相接合，设置蒸发装置(101，131，132)以将所述第一坩埚(110)置于蒸发条件下，以生成经过所述蒸发室(100)的输出开孔(103)的材料蒸汽流(116)，所述输出开孔(103)附接在注射器(13)上，以将所述蒸汽注射到所述真空沉积室(20)中，所述再加载方法包括：‑向加载室(200)中加载含有待蒸发材料的第二坩埚(120)的步骤，该加载室是预先与所述相邻蒸发室(100)隔离的，所述加...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·埃斯特韦，F·施特梅伦，C·德奥利维拉，
申请(专利权)人：瑞必尔，
类型：发明
国别省市：法国;FR