等离子体显示板制造技术

技术编号:3154846 阅读:117 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种等离子体显示板,包括设计成有效地提高光学性能和减少放电单元之间的误放电。寻址电极具有可变的宽度,因而形成于放电单元内的寻址电极窄,而形成于放电单元外部的寻址电极相对宽些。充满于放电单元中的放电气体具有提高的Xe含量,最好是10至30%。其它的变型更进一步包括具有条状和矩阵型的阻隔壁、使放电维持电极形成凸块并成对的延伸到放电单元的中间部分、以及在放电单元外部的不同区域上改变寻址电极的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板,特别是涉及一种具有改进结构的寻址电极的等离子显示板,这种寻址电极防止了在放电单元中,特别是在高分辨率的等离子显示板中的误放电。
技术介绍
通常,等离子显示板(以下简称PDP)是一种通过采用放电单元中气体放电产生的真空紫外线激发荧光材料来显示图像的显示装置。PDP按应用电压分为交流型和直流型,按电极结构的形式分为面放电型和表面放电型。近来,一种具有三极表面放电结构的交流型PDP得到了广泛的应用。然而,随着PDP的分辨率越来越高,显示器的结构也越来越小,误放电或者意外放电的问题却越来越严重。因此,就需要一种PDP结构以减少或消除在高分辨率PDP中的误放电问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为PDP提供一种改进的结构。本专利技术的另一目的是为PDP提供一种改进的结构,以减少在放电单元间的误放电,特别是当PDP是具有提高的Xe含量的高分辨率的显示器时。本专利技术的另一目的是提供一种改进的PDP电极结构,来防止放电单元之间的交互放电以获得高分辨率PDPs。本专利技术的另一个目的是提供一种PDP,该PDP抑制了寻址电极和显示电极之间的相互作用,增加Xe在放电气体中的含量,并使得能准确地驱动PDP而不会导致不正常的单元间放电。上述及其它目的是通过一种具有如下特点的PDP来实现。根据本专利技术的一个方案,PDP包括相互面对并相距一定距离的第一基板和第二基板。寻址电极形成在第一基板上,阻隔壁形成于在第一基板和第二基板之间以隔开放电单元,荧光层形成于各自的放电单元内,放电维持电极形成于第二基板上。当在每个放电单元内的放电维持电极部分之间的距离称为主放电间隙,而在相邻放电单元上的放电维持电极之间的距离称为非放电间隙时,在靠近主放电间隙的寻址电极的宽度小于靠近非放电间隙的寻址电极的宽度。相应于主放电间隙的寻址电极的宽度为40-140μm。放电单元内部充满含有10-30%Xe的放电气体。相应于非放电间隙的寻址电极在其纵向上是部分不同的。可使相应于非放电间隙中心的寻址电极宽度小于相应于非放电间隙两个端部的寻址电极的宽度,可使相应于非放大间隙中心的寻址电极的宽度与相应于主放电间隙的寻址电极的宽度基本上相同。根据本专利技术的另一个方案,PDP包括相对面对并相距一定距离的第一基板和第二基板。寻址电极形成于第一基板上,阻隔壁位于在第一基板和第二基板之间以隔开放电单元,荧光层形成各自的放电单元内。放电维持电极形成于第二基板上。每个放电维持电极具有扫描电极和显示电极。当在扫描电极中心画的水平轴线称为第一水平轴线,而在显示电极中心画的水平轴线成为第二水平轴线时,位于任何单个放电单元内的第一水平轴线和第二水平轴线之间的部分称为主放电部分,相邻放电单元的第一水平轴线和第二水平轴线之间的部分称为非放电部分,在主放电部分中的寻址电极的宽度小于在非放电部分中的寻址电极的宽度。相应于非放电部分的寻址电极在其纵向上是部分不同的。可使相应于非放电部分中心的寻址电极的宽度比相应于非放电部分两个端部的寻址电极的宽度小,可使相应于非放电部分中心的寻址电极的宽度与相应于主放电部分的寻址电极的宽度基本上相同。阻隔壁构图为条状,并平行于寻址电极。阻隔壁也可以为格子状,其中第一阻隔壁沿寻址电极方向上延伸和第二阻隔壁沿放电维持电极方向上延伸。每个扫描电极和显示电极都含有透明部分和公共部分,公共部分形成于透明部分的一侧面边缘上并电连接到透明部分上。透明部分朝每个放电单元的中心突出,并成对地相互面对。附图说明通过参照如下详细描述并结合附图,将更清楚并更好地理解本专利技术、更完整的评价诸多优点,附图中相同附图标记代表相同或相似部件,其中图1为PDP的局部分解透视图;图2为根据本专利技术实施例的PDP的局部分解透视图;图3为在图2中所述的PDP的局部平面图,说明所述PDP的组合结构;图4为在图2中所述的PDP局部截面图,说明所述PDP的组合结构;图5为根据本专利技术实施例的驱动PDP方法的波形图;图6和图7为依据本专利技术实施例的PDP变型的局部平面图;图8和图9为依据本专利技术实施例的另外一种PDP变型的局部透视分解图和局部平面图。具体实施例方式参考附图,附图1描述了交流型PDP100。图1中的PDP100包括在每个放电单元的后基板1上形成的寻址电极3、阻隔壁5和荧光层7。放电维持电极形成于前基板9上,该放电维持电极是与显示电极13成对的扫描电极11。介电层17和19分别覆盖寻址电极3和放电维持电极15。放电单元内部充满放电气体(主要是Ne-Xe混合气体)。在图1的PDP100中,形成MgO保护层21以覆盖介电层19。在图1的PDP100中,当向寻址电极3和扫描电极11之间施加寻址电压Va时,在放电单元中发生寻址放电以至于壁电荷在靠近扫描电极11和显示电极13的介电层19上形成,同样也在靠近寻址电极3的介电层17上形成,于是选择放电单元发光。然后,当向扫描电极11和显示电极13之间施加维持电压Vs时,会导致壁电荷聚集在扫描电极11附近并同聚集在显示电极13附近的电荷相撞,然后产生等离子体放电或维持放电。这时,在等离子体放电期间激发的Xe原子发出真空紫外线。该真空紫外线激发荧光层7发出可见光并显示彩色图像。在PDP100中,如果阻隔壁是条状的,那么放电单元内部在寻址电极3的方向上(例如y方向)相互连接。因此,空间电荷(或壁电荷)能够沿上述y方向迁移到邻近放电单元的内部,导致单元间放电。此外,如果阻隔壁5为其它形状,一些放电单元的放电能影响在寻址电极y轴方向上的邻近的放电单元,从而导致不正常的单元间放电。近几年,PDP越来越被设计成具有高分辨率的结构,并因此缩短了单元间距,这更加剧了单元间的不正常放电问题。特别是如图1所描述的,当寻址电极3为具有相同径向宽度的条形形状时,具有预定距离的与寻址电极3面对扫描电极11的部分可以引起寻址放电发生,具有预定距离的与显示电极13面对的部分不会导致寻址放电。当操作具有上述结构的PDP时,即使在删除记忆在放电单元上的信息的复位周期后,由于寻址电极3和显示电极13的相互作用,壁电荷也可以在放电单元内产生,因此导致不正常放电。同时,在等离子体显示领域,为了提高放电效率,可以通过增加放电气体中Xe的含量以增强真空紫外线的强度。然而,只增加Xe的含量而没有改进PDP的内部结构,PDP的驱动电压相应地就需要提高,从而导致电源消耗增加。而且,当Xe的含量增加时,在寻址电极3和显示电极13之间的不正常放电就会更加频繁地发生,从而准确操作PDP也将变得更难。参见图2至4,图2描述了依据本专利技术实施例的PDP200的局部分解透视图,图3和图4分别是图2中所描述的PDP200的局部平面图和局部截面图,描述了所述PDP200的组合结构。如图2至4所述,PDP200包括以一定距离而相互隔开的第一基板2和第二基板4。放电单元6R、6G和6B排列在基板2和4之间,以在各自独立的放电机制下发出可见光,并显示预期的彩色图像。特别是,寻址电极8沿某一方向(图示的y方向)形成于第一基板2的内表面上,下部介电层10形成于第一基板2的整个表面上并覆盖寻址电极8。条状的阻隔壁12形成于下部介电层10上并使之平行于寻址电极8。红、绿和蓝荧光层14R、14G和14B形成于阻隔壁12的侧壁上和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板,包括:第一基板和第二基板,它们相互面对并相隔一定距离;寻址电极,形成于第一基板上;阻隔壁,形成于第一基板和第二基板之间,分隔第一基板和第二基板之间的空间以形成多个放电单元;荧光层,形成于每 个放电单元内;以及放电维持电极,形成于第二基板上,其中当在放电单元内相邻所述放电维持电极之间的间隙为主放电间隙,形成于两个相邻的放电单元内的放电维持电极之间的间隙为非放电间隙时,靠近主放电间隙的寻址电极的宽度比靠近非放电间隙的寻址电 极的宽度小。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:姜太京金镛埈
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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