等离子显示板制造技术

技术编号:3154752 阅读:136 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了一种等离子显示板(PDP)。提供的PDP包括:第一荧光层,由放电产生的紫外线和具有短于紫外线的波长的真空紫外线(VUV)产生可见光;和由VUV产生紫外线的第二荧光层。因而,PDP有效地利用了放电产生的紫外线并实现了高亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子显示板(plasma display panel,PDP),并尤其涉及一种具有提高的发光效率的PDP。
技术介绍
PDP利用从等离子放电获得的紫外线从荧光材料中产生预定波长的可见光。可见光的量依赖于放电距离;但是,在PDP的很小放电区域内增大放电距离存在限度。为了显示高亮度的图象,需要大量的紫外线,并且必须利用紫外线来有效地激发荧光材料。但是,大量的紫外线在不激发荧光材料的条件下终止。图1是常规的面放电型PDP的截面图。参见图1,在前板1和后板2之间安装预定的阻挡壁9。在前板1面对后板2的表面上形成第一和第二维持电极3a和3b,并且在第一和第二维持电极3a和3b上形成第一介电层4a和保护层5。在后板2面对前板1的表面上形成地址电极6,以对应于第一和第二维持电极3a和3b,并且在地址电极6上形成第二介电层4b。在阻挡壁9的侧壁以及后板2面对前板1的表面上形成荧光层7。在美国专利US 4,638,218中公开了一种面放电型PDP的放电法。在面放电型PDP中,通过一个维持电极和一个地址电极来引发初始放电,并且通过维持电极维持初始放电。放电区8中产生的紫外线被吸收在荧光层7中以激励荧光层7。紫外线辐射到各个方向,因而短波长的真空紫外线(VUV)的量不能前进到达荧光层7。换言之,放电区中产生的大量紫外线不能激励常规PDP中的荧光层。因而必须利用紫外线充分激励荧光层来开发出高质量的PDP。
技术实现思路
本专利技术提供了一种充分利用紫外线来显示高亮度图象的PDP。根据本专利技术的一个方面,提供了一种PDP,其包括一具有气体放电区的容器;和在放电区中产生放电的放电发生单元,其中放电区包括第一荧光层,通过放电产生的紫外光和波长短于紫外光的真空紫外光(VUV)来产生可见光;和第二荧光层,由VUV产生紫外光。根据本专利技术的另一方面,提供了一种PDP,其包括构成放电区的前板和后板;阻挡壁,布置在具有预定距离的前板和后板之间并具有预定高度;第一荧光层,分布在放电区的一侧,由放电产生的VUV和紫外线产生可见光;和第二荧光层,布置在放电区的另一侧并由VUV产生紫外线。第一荧光层可以形成在可见光发出的方向上,和第二荧光层可以形成为面对第一荧光层。第一荧光层可以形成在前板的面对后板的表面上,并且第二荧光层形成在后板的面对前板的表面上。在阻挡壁的内壁上可以形成维持电极,并且维持电极可以彼此面对。在后板面对前板的表面上、在阻挡壁之间可以形成地址电极。附图说明通过下面参考附图对优选实施例的详细描述,本专利技术的上述及其它特点和优点将变得更加清晰,其中图1是表示常规等离子显示板(PDP)的结构的截面图;图2是解释根据本专利技术的PDP的原理的截面图;图3是根据本专利技术第一实施例的PDP的截面图;图4是根据本专利技术第二实施例的PDP的截面图;和图5是根据本专利技术第三实施例的PDP的后板的透视图。具体实施例方式下面将参考附图更全面地描述本专利技术,附图中展示了本专利技术的实施例。图2是用于解释利用放电区中产生的紫外线包括真空紫外线(VUV)来产生可见光的方法的截面图。参见图2,前板10和后板20布置在气体等离子放电区的两侧,在前板10面对后板20的表面上形成第一荧光层70a,在后板20面对前板10的表面上形成第二荧光层70b。第一荧光层70a由一种荧光材料形成,其利用任意波长的紫外光产生可见光,更具体地说,是短波长的VUV和长波长的紫外光。第二荧光层70b由一种荧光材料形成,其利用VUV产生长波长的紫外光。因而,在放电区中产生的紫外光和VUV在各个方向上前进,并且到达第一荧光层70a的VUV和紫外光激励第一荧光层70a,以产生可见光。到达第二荧光层70b的VUV激励第二荧光层70b,以产生长波长的紫外光。由第二荧光层70b产生的紫外光前进到达第一荧光层70a以激励第一荧光层70a,导致可见光的产生。本专利技术最大限度地利用了放电区中产生的紫外光,以获得高亮度的可见光。参见图3,放电区可以延伸到第一和第二荧光层70a和70b的平面方向,因而在前板10和后板20之间彼此面对地布置维持电极30a和30b。维持电极30a和30b形成面对的面放电型,取代面放电型。根据本专利技术的第一实施例,放电区在前板10和后板20之间延伸,并且维持电极30a和30b彼此面对,由此提高放电效率并产生大量的紫外光。在后板20面对前板10的表面上形成地址电极60,在地址电极60上覆盖介电层40,并在介电层40上形成第二荧光层70b。图3所示的PDP是直流型,可以在维持电极30a和30b上涂覆一种防护维持电极30a和30b遭受离子撞击的材料。因而,在地址电极60与维持电极30a和30b之间的任何一个区域都可发生地址放电,并且在维持电极30a和30b之间维持直流等离子放电。但是,在图4的PDP中可以出现交流型放电。参见图4,前板10和后板20被具有预定高度的阻挡壁90分开,并且在前板10和后板20之间形成放电区。维持电极30a和30b形成在阻挡壁90和90b的内壁上。介电层91形成在维持电极30a和30b上,以在维持电极30a和30b之间产生交流放电。地址电极60布置在后板20面对前板10的表面上,并且在地址电极60上覆盖介电层40。在介电层40上形成由VUV产生紫外光的第二荧光层70b。在前板10面对后板20的表面上形成由任意波长的紫外光产生可见光的第一荧光层70a。在地址电极60与维持电极30a和30b之间的任何一个区域中都会发生短时间的地址放电,并且在维持电极30a和30b之间维持交流等离子放电。本专利技术的第一和第二实施例中,在第一荧光层70a的表面上可以形成保护层,如MgO层或MgF2层,以保护荧光层70不受离子撞击。图5是表示其上以栅格型形成阻挡壁90的后板20的透视图。在本专利技术的第一和第二实施例中,阻挡壁以带状形成;但是,阻挡壁也可以以矩阵形状形成以防止象素之间的串扰。阻挡壁90包括具有维持电极30a和30b的第一部分90b以及垂直于第一部分90b、并与第一部分90b一起定义单元象素区的第二部分90a。如图5所示,维持电极30a和30b垂直于地址电极60。在后板20的其上没有形成阻挡壁90的部分上形成第二荧光层70b,并且在第二荧光层70b之下形成地址电极60和用于保护地址电极60的绝缘层。图5中维持电极30a和30b不受介电层的保护;但是,介电层可以保护维持电极30a和30b,如图4所示。为了便于描述,图1、3和4中所示的维持电极和地址电极平行。可以根据常规的结构来设计上面没有描述的PDP的结构细节。在本专利技术的实施例中,维持电极形成在阻挡壁上;但是,维持电极也可以形成在前板上,如图1所示。此外,阻挡壁以栅格型形成;但是,阻挡壁的结构可以改变。如上所述,根据本专利技术的PDP包括由紫外光和VUV产生可见光的荧光层和由VUV产生紫外光的荧光层,因而有效地利用了等离子放电产生的紫外光和VUV。因此,PDP的亮度可以提高。虽然以上参考实施例展示并描述了本专利技术,但本领域的普通技术人员应该知道,在不脱离本专利技术由所附权利要求限定的范围和实质的前提下,可以对本专利技术做形式和细节上的各种改变。权利要求1.一种等离子显示板(PDP),包括一具有放电区的容器;和在所述放电区中产生放电的放电发生单元,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示板(PDP),包括:一具有放电区的容器;和在所述放电区中产生放电的放电发生单元,其中所述放电区包括由紫外光和真空紫外光(VUV)产生可见光的第一荧光层和由真空紫外光产生紫外光的第二荧光层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾小青畑中秀和金永模李圣仪藏尚勋孙承贤金起永朴亨彬
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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