一种等离子平板光源制造技术

一种等离子平板光源，涉及等离子体平板光源的技术领域，尤其涉及一种等离子体平板光源的低频驱动模式的技术领域。本发明专利技术包括前基板、后基板、放电腔，放电腔设置在前基板与后基板之间，前基板与放电腔之间平行等距设置若干条平行电极，平行电极与放电腔之间设置保护膜；后基板与放电腔之间设置荧光粉混合层。本发明专利技术目的是针对现有等离子体平板光源工作模式中负辉区放电模式，提出一种低频方波驱动模式，使等离子体平板光源产生正柱区放电的工作模式，同时改善发光效率和发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体平板光源的
，尤其涉及一种等离子体平板光源的低频驱动模式的

技术介绍
采用等离子体放电原理的光源目前成熟产品是管状的荧光灯，包括冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamps，简称CCFL)和热阴极荧光灯(Hot Cathode Fluorescent Lamps，简称HCFL)，广泛应用于液晶显示器的背光源、民用照明等广泛领域，这些光源虽然发光效率高，亮度高，但通常采用汞蒸气为工作气体，对环境存在污染问题，用于LCD背光源还存在亮度不均匀，响应时间慢等确定。采用平板状的荧光灯，通常采用惰性气体为工作气体，采用等离子体放电原理工作，如Ne+Xe混合气体，该种光源虽然省去了导光板和均光板，使发光的利用率提高，但目前存在的主要问题是发光效率不高，限制了等离子体平板光源的应用，另外由于平板玻璃间的间隙尺寸限制，这类光源多只在负辉区放电。
技术实现思路
本专利技术目的是针对现有等离子体平板光源工作模式中负辉区放电模式，提出一种低频方波驱动模式，使等离子体平板光源产生正柱区放电的工作模式，同时改善发光效率和发光亮度。本专利技术为实现上述目的采用如下技术方案：本专利技术包括前基板、后基板、放电腔，放电腔设置在前基板与后基板之间，前基板与放电腔之间平行等距设置若干条平行电极，平行电极与放电腔之间设置保护膜；后基板与放电腔之间设置荧光粉混合层。-->本专利技术的平行电极为带有平面凸起或立体凸起的平行电极。本专利技术的若干条平行电极相互之间的距离为3mm～10mm。本专利技术的放电腔的高度为0.7～1.5mm。本专利技术基于等离子平板光源的工作方法，其特征在于：将一定频率的方波作用在前基板的一对对平行电极上，方波电压幅值超过工作气体的着火电压，气体电离放电，产生的深紫外光激发混合荧光粉发出白色可见光；放电腔体充入的工作气体是Ne、Xe气体的混合气体，其中Xe的比例大于等于20％，工作气体的气压为400～700Torr；采用大电极间隙的电极结构，采用低频方波触发驱动，得到放电模式为正柱区放电，使亮度随频率提高趋于饱和。本专利技术的发光效率先升高再下降，在这种新模式下，存在一个最佳驱动频率，同时使亮度和发光效率都具有较大的值。当其它结构条件不变，该频率随等离子体平板光源的Xe气比例不同而不同，在20％的Xe气比例下，最佳频率为20KHz～30KHz。本专利技术采用上述技术方案，与现有技术相比具有如下优点：1、本专利技术的等离子体平板光源通过立体结构的电极将表面电极间的放电引向放电空间的内部，使等离子体放电产生的紫外光更有效地被吸收，从而提高发光效率。2、本专利技术的等离子体平板光源实现了放电电极间的长路径放电和放电空间的大间距放电，从而实现了在平板等离子体结构中的正柱区放电，极大的改善了发光效率和亮度。3、本专利技术的等离子体平板光源实现了放电电极间的长路径放电和放电空间的大间距放电，从而实现了在平板等离子体结构中的正柱区放电，极大的改善了发光效率和亮度。附图说明图1为本专利技术的等离子体平板光源的结构示意图。图2是本专利技术的等离子体平板光源低频方波示意图。图3是本专利技术的发光亮度随频率的变化曲线。-->图4是本专利技术的发光效率随频率的变化曲线。图5是本专利技术的前基板具有平面凸起电极示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的技术方案进行详细说明：实施例一，采用新放电模式的等离子体平板光源结构如图1所示，包括前基板1和后基板2，在前基板与后基板之间设有放电腔3，在前基板上设置平行电极4，电极间距为3mm～10mm，电极层上覆盖透明介质层及保护膜5，后基板涂覆三色荧光粉的混合层6以发出白光，前后基板的间距7为0.7mm～1.5mm，放电腔体充入的工作气体是Ne、Xe气体的混合气体，其中Xe的比例等于20％，工作气体的气压为400～700Torr。一种低频方波触发驱动波形如图2所示，驱动上述等离子体平板光源，以获得正柱区放电的工作模式。此类等离子体平板光源的工作模式及原理是，当一定频率的方波作用在前基板的一对对平行电极上，方波电压幅值超过工作气体的着火电压，气体电离放电，产生的深紫外光激发混合荧光粉发出白色可见光。通常等离子体平板光源的放电模式为负辉区放电，亮度随驱动频率提高而上升，发光效率随驱动频率提高显著下降。上述结构等离子体平板光源，采用大电极间隙的电极结构，采用低频方波触发驱动，得到放电模式为正柱区放电，使亮度随频率提高趋于饱和，发光效率随频率提高而下降，在低频范围内，亮度和发光效率随频率变化的曲线如图3、4所示，在这种新模式下，存在一个最佳驱动频率，同时使亮度和发光效率都具有较大的值。当其它结构条件不变，在20％的Xe气比例下，最佳频率为20KHz～30KHz。实施例二，采用新放电模式的等离子体平板光源结构如图1所示，其中的前基板1上平行电极为带有平面凸起的电极9，如图5所示，其余条件不变，当低频方波触发驱动上述等离子体平板光源，同样获得正柱区放电的工作模式，工作原理同实施例一。实施例三，当Xe比例高于20％，直至100％的纯Xe气体，在低频方波驱动下，同样获得正柱区放电的工作模式，但最佳频率随Xe比例不同而不同。-->工作原理同实施例一，构成了一组实施例。本实施例仅给出了部分具体的应用例子，但对于从事等离子体器件研究的专利人员而言，还可根据以上启示设计出多种变形产品，这仍被认为涵盖于本专利技术之中。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子平板光源，其特征在于：包括前基板（１）、后基板（２）、放电腔（３），放电腔（３）设置在前基板（１）与后基板（２）之间，前基板（１）与放电腔（３）之间平行等距设置若干条平行电极（４），平行电极（４）与放电腔（３）之间设置保护膜（５）；后基板（２）与放电腔（３）之间设置荧光粉混合层（６）。

【技术特征摘要】
1、一种等离子平板光源，其特征在于：包括前基板(1)、后基板(2)、放电腔(3)，放电腔(3)设置在前基板(1)与后基板(2)之间，前基板(1)与放电腔(3)之间平行等距设置若干条平行电极(4)，平行电极(4)与放电腔(3)之间设置保护膜(5)；后基板(2)与放电腔(3)之间设置荧光粉混合层(6)。2、根据权利要求1所述的等离子平板光源，其特征在于：上述平行电极(4)为带有平面凸起或立体凸起的平行电极。3、根据权利要求1所述的等离子平板光源，其特征在于：上述若干条平行电极(4)相互之间的距离为3mm～10mm。4、根据权利要求1所述的等离子平板光源，其特征在于：上述放电腔(3)的高度为0.7～1.5mm。5、基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青，哈姆托勒，郑姚生，杨兰兰，汤勇明，刘杰，张子南，崔渊，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[]