等离子显示装置制造方法及图纸

提供了一种等离子显示装置。该等离子显示装置包括：上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上衬底的下衬底上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且其中扫描电极和维持电极之间的介电常数与扫描电极和维持电极上的介电常数不同，或者介质层，其中与阻挡臂重叠的区域上的介电常数与不与阻挡臂重叠的区域上的介电常数不同。因此，可以减小在扫描电极和维持电极之间形成的寄生电容以及在阻挡臂上形成的寄生电容。此外，可以通过减小寄生电容而减小放电所需的电压大小并且由此减小功率消耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示装置，更具体，涉及能够通过减小面板的寄生电容降低放电电压，由此减小功率消耗的等离子显示装置。
技术介绍
直至现在主要使用的阴极射线管(CRT)或布劳恩管(Braun tube)具有大重量和大体积的缺陷。因此，发展了能够克服这种阴极射线管的限制的各种平板显示器(FPD)。作为平面显示器，有液晶显示器(LCD)、等离子显示板(在下文中，称为“PDP”)、场致发射显示器(FED)、电致发光(EL)等。在这种平板显示器中，能够容易地制造大尺寸面板的PDP成为焦点。PDP通过允许荧光体通过当He+Xe、Ne+Xe以及He+Ne+Xe气体放电时生成的147nm紫外线而显示包括字符或图形的图像和移动图像。这种PDP通过根据视频数据调整每个像素的放电周期显示图像，并且显示由于近来技术的发展而显著地改进的图像质量。具体的，三电极AC表面放电PDP通过当放电时使用介质层来积聚壁电荷而降低放电所需的电压，并且保护电极免受等离子的溅射，使得其具有低电压驱动和长使用寿命的优势。图1是示出在现有技术中的三电极AC表面放电PDP的放电单元的透视图。参照图1，三电极AC表面放电PDP的放电单元包括形成在上衬底10上的扫描电极(Y)和维持电极(Z)，和形成在下衬底18上的寻址电极(X)。扫描电极(Y)和维持电极(Z)的每一个包括透明电极(12Y，12Z)和金属总线电极(13Y，13Z)，所述金属总线电极(13Y，13Z)的线宽小于透明电极(12Y，12Z)的线宽并且形成在透明电极的一个边沿上。透明电极(12Y，12Z)通常由例如氧化锡铟(ITO)、氧化锌铟(IZO)以及氧化锌锡铟(ITZO)的金属构成，并且形成在上衬底10上。金属总线电极(13Y，13Z)通常由例如铬(Cr)的金属构成并形成在透明电极(12Y，12Z)上，以通过具有高阻抗的透明电极(12Y，12Z)减小电压降。在上衬底10上层叠上介质层14和保护膜16，扫描电极(Y)和维持电极(Z)平行地形成在该上衬底10上。保护膜16防止由于当放电等离子时生成的溅射对上介质层14的损坏，并且增加第二电子的发射效率。通常将氧化镁(MgO)用作保护膜16。在下衬底18上形成下介质层22和阻挡臂24，在下介质层22中形成寻址电极(X)，并且在下介质层22和阻挡臂24上涂敷荧光体层26。在与扫描电极(Y)和维持电极(Z)相交的方向上形成寻址电极(X)。由于放电在上介质层14和下介质层22上层叠而形成壁电荷。介质层14和22以及保护膜16能够降低从外界施加的放电电压。阻挡臂24以及上和下衬底10和18形成放电空间。平行于寻址电极20形成阻挡臂24，并且防止由气体放电生成的紫外线和可见光向相邻放电单元泄漏。例如He、Ne、Ar、Xe和Kr的用于气体放电的惰性气体、与这些气体结合的放电气体(或混合气体)、或者由于放电能够生成紫外线的激发气体被充入在上和下衬底10和18与阻挡臂24之间形成的放电空间。用当放电等离子时生成的紫外线激发荧光体层26，并且生成红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的任何一种可见光。图2A示出现有技术中的阻挡臂和上衬底，以及图2B示出现有技术中的形成在阻挡臂上的寄生电容。如图2A所示，在现有技术PDP中，在上衬底10上形成扫描电极(Y)和维持电极(Z)，并且形成介质层14以覆盖扫描电极(Y)和维持电极(Z)和上衬底10。由于在将保护膜16涂敷在介质膜14上之后，阻挡臂24位于保护膜16的右下部，分隔了放电空间。如图2B所示，形成在与阻挡臂24相交的方向上的扫描电极(Y)和维持电极(Z)位于该位置处，并且由施加到扫描电极(Y)和维持电极(Z)上的驱动信号充电电荷。即，由具有在电极(Y，Z)周围具有介电常数的元件形成寄生电容。在阻挡臂24和上衬底10之间形成的介质层14和保护膜16与上衬底10形成非放电区的寄生电容。这是因为用作上衬底10的材料的玻璃、介质层14以及保护膜16的介电常数彼此不同。在它们中，由于在保护膜16中生成的电极之间的寄生电容(Cs)远小于在上衬底10或介质层14中生成的寄生电容(C，Cg)，它并不非常要紧。此外，通过近来采用具有低介电常数的玻璃衬底，大大改进了在上衬底10中生成的电极之间的寄生电容(Cg)。即使在介质层14中，在电极(Y，Z)之间生成寄生电容(C)。具体的，由于阻挡臂24和上衬底10彼此接触，在图2B中所示的部分是分隔放电空间的区域，并且是不生成放电的非放电区域。放电区域中的介质层14用作通过放电时充电壁电荷而减小放电电压，但是有问题在于非放电区中的介质层14增加由在放电中没有考虑到的寄生电容(C)放电所需的电压的值。此外，如果放电时所需的电压值增大，有问题在于在整个等离子显示板中的消耗功率增加。
技术实现思路
因此，本专利技术的目标是解决现有技术中的至少一个问题和劣势。本专利技术的目标是提供通过降低面板的寄生电容而减小放电电压的等离子显示装置。根据本专利技术的一个方面，提供了一种等离子显示装置，包括上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上衬底的下衬底上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且其中扫描电极和维持电极之间的介电常数与扫描电极和维持电极上的介电常数不同。根据本专利技术的另一方面，提供了一种等离子显示装置，包括上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上电极的下电极上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且与阻挡臂重叠的区域上的介电常数与不与阻挡臂重叠的区域上的介电常数不同。根据本专利技术的还一方面，提供了一种等离子显示装置，包括上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上电极的下电极上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，其中扫描电极和维持电极之间的介电常数与扫描电极和维持电极上的介电常数不同，并且其中与阻挡臂重叠的区域上的介电常数与不与阻挡臂重叠的区域上的介电常数不同。附图说明将参考下面附图详细说明本专利技术，其中使用相同的标号指代相同元件。图1是说明现有技术中的等离子显示装置的结构的视图；图2A是说明现有技术中的隔离臂和上衬底的示图；图2B是说明现有技术中形成在隔离臂上的寄生电容的示图；图3是说明根据本专利技术第一实施例的等离子显示装置的示图；图4是说明根据本专利技术第二实施例的等离子显示装置的示图；图5是说明根据本专利技术第三实施例的等离子显示装置的示图；图6是说明根据本专利技术第四实施例的等离子显示装置的示图；图7是说明根据本专利技术第五实施例的等离子显示装置的示图；图8是说明根据本专利技术第六实施例的等离子显示装置的示图；图9是说明根据本专利技术第七实施例的等离子显示装置的示图；图10是说明根据本专利技术第八实施例的等离子显示装置的示图；图11是说明根据本专利技术第九实施例的等离子显示装置的示图；以及图12A至12E是示意说明根据本专利技术的用于制造等离子显示装置的过程的示图。具体实施例方式下面，将参照附图详细说明本专利技术的示例性实施例。在第一至第三实施例中，通过减小扫描电极和维持电极之间的介电常数而减小寄生电容，在第四至第六实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示装置，包括：上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上衬底的下衬底上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且其中扫描电极和维持电极之间的介电常数与扫描电极和维持电极上的介电常数不同。

【技术特征摘要】
KR 2005-1-13 10-2005-00034711.一种等离子显示装置，包括上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上衬底的下衬底上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且其中扫描电极和维持电极之间的介电常数与扫描电极和维持电极上的介电常数不同。2.如权利要求1所述的等离子显示装置，其中扫描电极和维持电极之间的介电常数小于扫描电极和维持电极上的介电常数。3.如权利要求1所述的等离子显示装置，其中扫描电极和维持电极之间的介质层的厚度小于扫描电极和维持电极上的介质层的厚度。4.如权利要求1所述的等离子显示装置，其中介质层包括在上衬底上形成的第一介质层，以覆盖上电极对；以及在第一介质层上形成的第二介质层，以露出扫描电极和维持电极之间的第一介质层。5.如权利要求4所述的等离子显示装置，其中第一介质层的介电常数小于第二介质层的介电常数。6.一种等离子显示装置，包括上电极对，包括形成在上衬底上的扫描电极和维持电极；寻址电极，形成在相对于上衬底的下衬底上；阻挡臂，形成在上衬底和下衬底之间；以及介质层，形成在上衬底上，以覆盖上电极对，并且其中与阻挡臂重叠的区域上的介电常数与不与阻挡臂重叠的区域上的介电常数不同。7.如权利要求6所述的等离子显示装置，其中与阻挡臂重叠的区域上的介电常数小于不与阻挡臂重叠的区域上的介电常数。8.如权利要求6所述的等离子显示装置，其中与阻挡臂重叠的区域上的介质层的厚度小于不与阻挡臂重叠的区域上的介质层的厚度。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：朱炯达，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]