等离子体显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子体显示面板，该等离子体显示面板包括：第一基底；第二基底，与第一基底分隔开并面对第一基底；多个障肋，设置在第一基底和第二基底之间，以限定第一基底和第二基底之间的多个放电室；多个成对的放电电极，埋在障肋中以环绕各放电室的至少一部分，其中，放电室以Ｚ字形的形式设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的方面涉及一种等离子体显示面板，更具体地讲，涉及一种具有能够通过使放电室的截面面积相对于显示面积最大化来提高放电强度和放电效率的新结构的等离子体显示面板。
技术介绍
已经广泛替代传统阴极射线管(CRT)显示装置的等离子体显示面板(PDP)显示装置，通过将其上形成有多个电极的两个基底之间的放电电压施加到放电室中的密封放电气体，来显示期望的图像。然后，放电气体发射紫外光子，从而顺次激发荧光体的电子。当电子回复到先前的能态时，激发的电子发射可见光。放电室按预定图案布置，使得可以显示图像。图1是传统的等离子体显示面板(PDP)的分解透视图。参照图1，典型的交流(AC)型PDP 10包括前板50，通过前板50显示图像；后板60，与前板50结合并与前板50平行。各包括X电极31和Y电极32的成对的维持电极12形成在前板50的第一基底或前基底11上。与第一基底11的X电极31和Y电极32交叉的寻址电极22位于后板60的面对第一基底11表面的第二基底21上，并位于后板60和前板50之间。此外，X电极31包括透明电极31a和形成在透明电极31a上的汇流电极31b，Y电极32包括透明电极32a和形成在透明电极32a上的汇流电极32b。保护成对的维持电极12的第一介电层15形成在第一基底11上。保护寻址电极22的第二介电层25形成在第二基底21上。第一介电层15和第二介电层25分别形成在彼此面对的前板50的表面和后板60的表面上。通常由MgO形成的保护层16位于第一介电层15的后表面上，这意味着保护层16在第一介电层15和后板60之间位于第一介电层15的表面上。提供了放电距离并防止放电室之间的光电串扰的障肋30形成在第二介电层25的前表面上，这意味着障肋30在第二介电层25和前板50之间位于第二介电层25的表面上。红色、绿色和蓝色荧光体层26涂覆在障肋30的两侧和第二介电层25中没有形成障肋30的前表面上。当产生放电时，从各放电区的荧光体层26发射的可见光透过传统的表面放电型PDP 10的前板50。然而，由于形成在前板50上的各种不同的组成，导致可见光的透射率仅为大约60％。通常，在传统的PDP 10中，电极形成在各放电区的上面，即，电极形成在前板50的内表面或前板50的面对后板60的表面上。因此，由于产生的将显示为图像的可见光传播穿过前板50时，被位于前板50表面上的元件阻塞，所以各放电室的放电效率降低。当传统的PDP 10被长时间地驱动时，放电气体的带电粒子被电场加速，并从荧光体层16溅射出离子，从而导致形成和显示余像(after-image)。包括带型和栅格型放电室的传统PDP 10的放电区受限，这是由于各放电区的开口是根据室间距(pitch)来确定的。具体地讲，由于PDP的放电强度和发光效率是根据各放电室的截面面积来确定的并受形成在前板50上的元件妨碍，所以这样有限的放电区会是不利的。
技术实现思路
根据本专利技术的方面，提供了一种等离子体显示面板(PDP)，该等离子体显示面板具有如下结构放电电极环绕各放电室，放电室以相对于水平轴成预定角度的Z字形的形式设置，这样增大了放电室的截面面积，从而提高了PDP的放电强度和发光效率。根据本专利技术的方面，提供了一种等离子体显示面板，该等离子体显示面板包括第一基底；第二基底，与第一基底分隔开并面对第一基底；多个障肋，设置在第一基底和第二基底之间，以限定第一基底和第二基底之间的多个放电室；多个成对的放电电极，埋在障肋中以环绕各放电室的至少一部分，其中，放电室以Z字形的形式设置。放电室可具有圆形或椭圆形的截面。各放电室可以是子像素，多个子像素形成主像素，设置放电室的方式为，在主像素中，子像素形成三角形。可以设置放电室的方式为，各三角形具有60度的内角。该等离子体显示面板还可包括凹槽和荧光体，凹槽形成在面对放电室的第一基底上，荧光体涂覆在凹槽上，以形成荧光体层。成对的放电电极中的每个可包括第一放电电极和第二放电电极，在从第一基底到第二基底的方向上，第一放电电极和第二放电电极彼此分隔开。第一放电电极和第二放电电极可以彼此平行地延伸。等离子体显示面板还可包括寻址电极，在从第一基底到第二基底的方向上，寻址电极与成对的放电电极分隔开，并且寻址电极延伸以与成对的放电电极交叉，其中，寻址电极环绕沿着寻址电极延伸的方向形成的各放电室的至少一部分。等离子体显示面板还可包括寻址电极，寻址电极形成在第二基底上，并延伸为与成对的放电电极交叉。等离子体显示面板还可包括介电层，介电层形成在第二基底上以埋藏寻址电极，介电层由介电物质形成。第一放电电极和第二放电电极可以延伸成彼此交叉。根据本专利技术的方面，提供了一种等离子体显示面板，该等离子体显示面板包括第一基底；第二基底，与第一基底分隔开并面对第一基底；多个障肋，设置在第一基底和第二基底之间，以限定第一基底和第二基底之间的多个放电室；多个成对的放电电极，设置在障肋中，以环绕各放电室的至少一部分；荧光体层，形成在放电室中，并由荧光体物质形成，其中，放电室是红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的各组组成主像素，设置所述放电室的方式为，连接红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素的中心的线在主像素中形成三角形。本专利技术的另外的方面和/或优点将在随后的描述中部分地阐述，并部分地将从描述中清楚，或者可以通过本专利技术的实践而得知。附图说明从下面结合附图的对实施例的描述中，本专利技术的这些和/或其它方面和优点将变得清楚并更易理解，在附图中图1是传统的等离子体显示面板(PDP)的分解透视图； 图2是示出了根据本专利技术方面的PDP的局部分解透视图；图3是示出了图2中的PDP的放电室和电极的剖视图；图4是沿着图2中的线IV-IV截取的图2中的PDP的剖视图；图5是示出了图2中的PDP的放电室和电极的剖视图；图6是示出了根据本专利技术方面的PDP的局部分解透视图；图7是示出了图6中的PDP的放电室和电极的剖视图；图8是沿着图6中的线VIII-VIII截取的图6中的PDP的剖视图；图9是示出了根据本专利技术方面的PDP的放电室和电极的剖视图；图10是图9中的PDP的剖视图。具体实施例方式现在将详细参照本专利技术的这些实施例，在附图中示出了本专利技术这些实施例的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。为了参照附图来说明本明，以下描述了这些实施例。图2是示出了根据本专利技术方面的PDP 100的局部分解透视图；图3是示出了图2中的PDP的放电室和电极的剖视图；图4是沿着图2中的线IV-IV截取的图2中的PDP的剖视图；图5是示出了图2中的PDP的放电室和电极的剖视图。参照图2，PDP 100包括形成有凹槽110a的第一基底110、第二基底120、障肋114、保护层115、荧光体层125、第一放电电极160和第二放电电极170。图2中也包括寻址电极150。第一基底110由具有优良的透射率的玻璃形成。第一基底110可以被着色，这降低了反射亮度以提高亮室对比度。第二基底120与第一基底110隔开预定间隙，并且第二基底120面对第一基底110。第一基底110和第二基底120限定了产生放电的多个放电室130和在放电室130之间的非放电室(未示出)。第二基底120由具有优良透射率的玻璃形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板，包括：第一基底；第二基底，与所述第一基底分隔开并面对所述第一基底；多个障肋，设置在所述第一基底和所述第二基底之间，以限定所述第一基底和所述第二基底之间的多个放电室；多个成对的放电电极，设置在所述障肋中，以环绕各所述放电室的至少一部分，其中，所述放电室以Ｚ字形的形式设置。

【技术特征摘要】
KR 2006-3-28 10-2006-00281131.一种等离子体显示面板，包括第一基底；第二基底，与所述第一基底分隔开并面对所述第一基底；多个障肋，设置在所述第一基底和所述第二基底之间，以限定所述第一基底和所述第二基底之间的多个放电室；多个成对的放电电极，设置在所述障肋中，以环绕各所述放电室的至少一部分，其中，所述放电室以Z字形的形式设置。2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述放电室具有圆形或椭圆形的截面。3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，各所述放电室是子像素，多个子像素形成主像素，设置所述放电室的方式为，在所述主像素中，所述子像素形成三角形。4.如权利要求3所述的等离子体显示面板，其中，设置所述放电室的方式为，各所述三角形具有60度的内角。5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，还包括形成在所述第一基底上以面对放电室的凹槽以及涂覆在所述凹槽中以形成荧光体层的荧光体。6.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述成对的放电电极中的每个包括第一放电电极和第二放电电极，在从所述第一基底到所述第二基底的方向上，所述第一放电电极与所述第二放电电极分隔开。7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中，所述第一放电电极和所述第二放电电极沿着第一方向基本上彼此平行地延伸。8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，还包括寻址电极，设置在所述障肋中，并在从所述第一基底到所述第二基底的方向上与所述成对的放电电极分隔开，并且所述寻址电极延伸成与所述成对的放电电极交叉，其中，所述寻址电极环绕沿着所述寻址电极延伸的方向形成的各所述放电室的至少一部分。9.如权利要求7所述的等离子体显示面板，还包括寻址电极，所述寻址电极形成在所述第二基底上，以沿着第二方向延伸成与所述成对的放电电极交叉。10.如权利要求9所述的等离子体显示面板，还包括介电层，所述介电层形成在所述第二基底上，以保护所述寻址电极，并且所述介电层由介电物质形成。11.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中，所述第一放电电极沿着第一方向延伸，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜景斗，李源周，安浩荣，李东映，朴洙昊，禹锡均，权宰翊，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]