【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及使用活化气体去除表面沉积物的方法，将包含氧气和碳氟化合物的气体混合物远距活化得到所述活化气体。更具体地，本专利技术涉及利用富含碳氟化合物的等离子对远距腔室至表面沉积物的通路的内表面进行预处理。2.相关技术描述产生氟原子的远距等离子源在半导体加工工业被广泛用于腔室清洗，尤其用于化学气相沉积(CVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)的腔室清洗。远距等离子源的使用避免了发生在现场腔室清洗中的内部腔室材料的某些刻蚀，所述现场腔室清洗通过在PECVD腔室内产生等离子放电实现清洗。尽管已为这类应用开发了电容和电感耦合射频与微波远距源，该工业正朝电感耦合变压器耦合源迅速发展，其中等离子体具有环形构型并作为变压器的次级。使用低频射频能量使磁芯的使用成为可能，相对于电容耦合，所述磁芯增强电感耦合；因此使得能量能更有效地转移到等离子而不需要过多的离子轰击，所述离子轰击会降低远距等离子源腔室内部的使用寿命。由于多种原因，半导体工业已经摈弃了用于腔室清洗的碳氟化合物和氧气的混合物，所述混合物最初是用于现场等离子清洗的主要气体。首先，这些方法排放的...
【技术保护点】
一种去除表面沉积物的方法，所述方法包括：（ａ）在远程腔室中将含有碳氟化合物和任选的氧气的预处理气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比小于１∶１，并且随后（ｂ）将所述活化的预处理气体混合物与远程腔室至表面沉积物的通路的至少一部分内表面接触；（ｃ）在远程腔室中将含有氧气和碳氟化合物的清洗气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比至少是１∶３；并且随后（ｄ）将所述活化的清洗气体混合物通过所述通路；（ｅ）将所述活化的清洗气体混合物与表面沉积物接触，由此去除至少某些所述表面沉积物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-12-30 60/640,444;US 2004-12-30 60/640,833;1.一种去除表面沉积物的方法，所述方法包括(a)在远程腔室中将含有碳氟化合物和任选的氧气的预处理气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比小于1∶1，并且随后(b)将所述活化的预处理气体混合物与远程腔室至表面沉积物的通路的至少一部分内表面接触；(c)在远程腔室中将含有氧气和碳氟化合物的清洗气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比至少是1∶3；并且随后(d)将所述活化的清洗气体混合物通过所述通路；(e)将所述活化的清洗气体混合物与表面沉积物接触，由此...
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