用于利用远程等离子体源的大面积等离子体增强化学气相沉积装置的清洗器具制造方法及图纸

本发明专利技术描述了一种用于清洗沉积室的方法，所述方法与大面积沉积是相容的。所述方法包括通过至少两个注射点且在用于反应性物质的等同路径上以均匀的方式将被活化的气体从远程等离子体源输送至所述室中的区域。一种相应的用于分布被活化的反应性气体的气体注射系统包括反应性气体源、用于分布所述气体的管道以及可抽真空的室。所述气体被排放至所述管道，所述管道具有被结构性地连接至所述源的至少一个入口以及通往所述室的至少两个出口，由此形成了至少部分独立的管道分支，其中在入口与每个相应的出口之间计算出的每条管道分支的长度以及与气体流垂直的横截面是基本上相等的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及半导体层的生产，且特别地，本专利技术涉及薄膜晶体管(TFT)的生产。
技术介绍
一种非常普遍的生产这种薄膜晶体管的方式是通过利用等离子体 增强化学气相沉积(PECVD)工艺。含硅的前驱气体在等离子体的辅助 下被沉积在基底上。这种半导体可用于不同的电子器件中，尤其是用于 例如液晶显示器中、用于太阳能电池中或用于有机发光二极管(0LBD，s ) 显示器中。例如，液晶显示器的生产需要在沉积物的材料性质方面具有 高质量标准，所述材料性质是就层的厚度和层的电阻均匀性而言的。在 沉积工艺过程中，在反应器壁上出现不希望的膜沉积是不可避免的且仅 涂覆基底是不可能的。因此，反应器壁上的膜将生长至使得产生了以颗 粒形式存在的杂质(剥落)的程度。当这些颗粒在膜沉积过程中降 落在基底上时，这些颗粒可大大降低产量。因此，在基底被容纳在反应 器底部上之前对反应器进行清洗是习惯的做法。反应器壁上的层被擦去 且防止了所述层产生剥落且防止了所述层污染基底上的半导体层。两种 众所周知的清洗技术是原位清洗和远程等离子体源(RPS)清洗，在所 述原位清洗中，蚀刻等离子体在反应器中被点燃。远程等离子体源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对被构造成用于１平方米或更大面积的基底的真空沉积装置进行清洗的方法，所述方法包括：通过至少两个注射点以均匀的方式将被活化的气体从远程等离子体源输送至室内，其中用于所述被活化的气体的路径是等同的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-10-17 60/727,4761、一种用于对被构造成用于1平方米或更大面积的基底的真空沉积装置进行清洗的方法，所述方法包括通过至少两个注射点以均匀的方式将被活化的气体从远程等离子体源输送至室内，其中用于所述被活化的气体的路径是等同的。2、 根据权利要求1所述的方法，其中所述等同的路径在材料、温 度、长度、直径、管路构型或压力降方面是等同的。3、 根据权利要求1或2所述的方法，其中所述远程等离子体源被 操作性地连接至多个真空沉积室以便进行平行清洗动作。4、 一种用于在被构造成用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：F法马基斯，M埃尔雅考比，B里奥，E乔马斯，M伊尔齐克，J库德拉，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔斯公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]