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本发明涉及一种改进的远距等离子清洗方法，该方法用于去除制造电子器件的沉积室的内部等表面的表面沉积物。所述改进涉及利用富含碳氟化合物的等离子对远距腔室至表面沉积物的通路的内表面进行预处理。...
该专利属于麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过麻省理工学院授权不得商用。

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