提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法技术

一种提高氧化铁纳米线场发射性能的方法，其特征在于，具体工艺步骤如下：　　　　第一步　　放入氧化铁纳米线材料　　　　将生长在合金衬底上的氧化铁纳米线的长度和直径分别为５～３０μｍ和１００ｎｍ～１μｍ的氧化铁纳米线材料连同衬底一起放入等离子体设备的真空腔中的两个电极之间；　　　　第二步　　抽真空　　　　将真空腔中的气压抽到１００～５００Ｐａ；　　　　第三步　　通入氢气　　　　将氢气通入真空腔中，流量为５～５０ｓｃｃｍ；　　　　第四步　　开启射频源　　　　开启频率为１３．６ＭＨｚ的射频源，功率调为１００～５００Ｗ，使生成的氢等离子体轰击氧化铁纳米线材料，时间为１０～９０ｍｉｎ；　　　　第五步　　得到成品　　　　将真空腔打开，得到成品－场发射性能好的氧化铁纳米线材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提高氧化铁(Fe2O3)纳米线材料场发射性能的方法，具体说，涉及一种在压强为100～500Pa的条件下，用氢等离子轰击氧化铁纳米线材料，提高其场发射性能的方法，属于光电子和半导体材料制备和应用的

技术介绍
Fe2O3作为一种在大气环境下最稳定的氧化物半导体材料，在科技上具有非常重要的作用。它具有禁带宽度小、抗腐蚀性好和容易获得等优点，可用来作光催化剂、太阳能转换材料和传感器材料。由于Fe2O3用途广泛和纳米级材料具有新颖的特性，所以合成纳米尺寸的Fe2O3是一个相当重要的课题。近来，各种Fe2O3纳米结构包括纳米线、纳米带、纳米管和纳米片已经被成功制备，它们的铁磁性等性能已经被广泛研究，但是对于如此重要的半导体纳米材料，它的场发射性能却很少被研究过。已有的报道中发现生长的Fe2O3纳米线材料的场发射性能不够理想。另一方面，用等离子体轰击处理纳米结构如碳纳米管，氧化铜纳米线等的方法已经被证实为一种改进纳米材料场发射性能的有效方法，但是关于等离子体处理对Fe2O3纳米结构表面形貌和场发射性能的影响还从未被研究过，所以如何通过用等离子体处理明显地提高Fe2O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高氧化铁纳米线场发射性能的方法，其特征在于，具体工艺步骤如下：第一步放入氧化铁纳米线材料将生长在合金衬底上的氧化铁纳米线的长度和直径分别为５～３０μｍ和１００ｎｍ～１μｍ的氧化铁纳米线材料连同衬底一起放入等离子体设备的真空腔中的两个电极之间；第二步抽真空将真空腔中的气压抽到１００～５００Ｐａ；第三步通入氢气将氢气通入真空腔中，流量为５～５０ｓｃｃｍ；第四步开启射频源开启频率为１３．６ＭＨｚ的射频源，功率调为１００～５００Ｗ，使生成的氢等离子体轰击氧化铁纳米线材料，时间为１０～９０ｍｉｎ；第五步得到成品将真空腔打开，得到成品－场发射性能好的氧化铁纳米线材料。

【技术特征摘要】
1.一种提高氧化铁纳米线场发射性能的方法，其特征在于，具体工艺步骤如下第一步 放入氧化铁纳米线材料将生长在合金衬底上的氧化铁纳米线的长度和直径分别为5～30μm和100nm～1μm的氧化铁纳米线材料连同衬底一起放入等离子体设备的真空腔中的两个电极之间；第二步 抽真空将真空腔中的气压抽到1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丰，郁可，朱自强，王青艳，石美荣，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31