闭回路多输出射频(RF)匹配制造技术

提供了一种用于对半导体晶片制造处理进行射频(RF)匹配的闭环多输出控制的设备和方法。一种用于向处理室的站提供信号的设备执行半导体制造处理。多个信号发生器产生具有第一和第二频率的信号。测量电路测量电压驻波比(VSWR)。匹配反射优化器具有被配置为响应于来自测量电路的输出信号而被调整的电抗组件。自测量电路的输出信号而被调整的电抗组件。自测量电路的输出信号而被调整的电抗组件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】闭回路多输出射频(RF)匹配

技术介绍

[0001]在此包含的背景及上下文的描述仅针对整体呈现公开内容的上下文的目的而提供。本公开内容的许多呈现专利技术人的成果，且单纯由于如此成果在
技术介绍
部分中描述或在本文其他位置呈现为上下文并不表示将认为是现有技术。
[0002]用于形成集成电路的半导体晶片的加工可包含大量且多种的处理步骤。在某些处理步骤(其可于在半导体晶片上沉积各种材料后进行)中，可将材料蚀刻掉，以允许沉积其他的材料(如金属)。这种沉积处理可涉及导电线路、晶体管栅极、通孔、电路组件等的形成。然而，在至少某些情况下，在半导体加工处理(例如涉及基于等离子体的蚀刻和/或等离子体增强原子层沉积的处理)中，不可控的处理变化可能导致较低的良率、成本增加、对半导体布局及掩模的不需要的重新设计等。因此，增加对于基于等离子体的晶片蚀刻和/或等离子体增强原子层沉积的控制的技术仍持续为研究的活跃领域。
附图说明
[0003]图1A显示了利用任何数目的处理在半导体衬底上沉积膜的衬底处理设备。
[0004]图1B为根据一实施方案的框图，其显示了用于执行半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于提供信号至处理室的站的设备，所述处理室被配置成执行半导体加工处理，所述设备包含：多个信号产生器，其被配置成产生具有第一和第二频率的信号；测量电路，其被配置成测量电压驻波比(VSWR)；以及匹配反射优化器，其具有电抗组件，所述电抗组件被配置成响应于来自所述测量电路的输出信号而被调整。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电抗组件被配置成进行调整，以将所测量的所述VSWR从第一值修改为第二值。3.根据权利要求1所述的设备，其中用于测量所述VSWR的所述测量电路对应于相敏电压/电流测量电路。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电抗组件对应于可变电容器。5.根据权利要求1所述的设备，其还包含第二测量电路，其用于在所述站的一或更多输入端口处测量第二VSWR。6.根据权利要求1所述的设备，其还包含隔离RF滤波器，其用于在所述设备的高频与低频部分之间提供介于25至40dB之间的隔离度。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述匹配反射优化器被配置成使所述VSWR降低至小于阈值的值。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述VSWR的所述阈值对应于1.15:1。9.根据权利要求7所述的设备，其中所述VSWR的所述阈值对应于1.10:1。10.一种将多个信号从相应数量的信号产生器耦合至处理室的多个站的方法，其包含：在功率分配器的输入端口处测量电压驻波比(VSWR)；以及响应于所测量的所述VSWR，对匹配反射优化器的电抗组件的值进行调整，对所述电抗组件进行调整以产生低于第一阈值的第二VSWR。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电抗组件包含可变电容器。12.根据权利要求10所述的方法，其中调整所述VSWR包含：使所述VSWR降低至小于1.15:1的值。13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃勒，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：