用于基板工艺腔室的杂散等离子体预防设备制造技术

本文提供一种用于基板处理腔室的杂散等离子体预防的设备。在一些实施例中，用于在基板处理腔室中预防杂散等离子体的设备包含：管状主体，所述管状主体由介电材料形成且限定从管状主体的第一端通过管状主体到管状主体的第二端的中心开口；以及轮缘，所述轮缘从管状主体的第一端径向延伸。设备可由工艺兼容的塑料材料形成，诸如聚甲醛(POM)、聚醚醚酮(PEEK)、或聚四氟乙烯(PTFE)。或聚四氟乙烯(PTFE)。或聚四氟乙烯(PTFE)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板工艺腔室的杂散等离子体预防设备


[0001]本公开的实施例总体涉及基板处理装备，并且更具体地涉及等离子体增强基板处理装备。

技术介绍

[0002]在半导体工业中，通过多个制造工艺(诸如蚀刻和沉积)来制造器件，从而产生尺寸不断减小的结构。通常在处理腔室中提供衬垫以最小化沉积在腔室壁上和不期望地重新沉积在基板上的工艺副产物。另外，许多蚀刻和沉积工艺经常利用等离子体来辅助对基板的处理。随着器件几何尺寸的缩小，一些工艺利用较高功率的等离子体工艺。专利技术人已观察到，这些较高功率的等离子体工艺能够不期望地导致在先前对等离子体点火或侵入是安全的腔室的位置处的等离子体点亮(light up)。
[0003]因此，专利技术人已提供了一种用于基板处理腔室的杂散等离子体预防设备。

技术实现思路

[0004]本文提供一种用于基板处理腔室的杂散等离子体预防的设备。在一些实施例中，用于在基板处理腔室中预防杂散等离子体的设备包含：管状主体，所述管状主体由介电材料形成并且限定从管状主体的第一端通过管状主体到管状主体的第二端的中心开口；以及轮缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在基板处理腔室中预防杂散等离子体的设备，包括：管状主体，所述管状主体由介电材料形成并且限定从所述管状主体的第一端通过所述管状主体到所述管状主体的第二端的中心开口；以及轮缘，所述轮缘从所述管状主体的所述第一端径向延伸。2.如权利要求1所述的设备，其中所述设备由工艺兼容的塑料材料形成。3.如权利要求1所述的设备，其中所述设备由以下各项中的至少一项形成：聚甲醛(POM)、聚醚醚酮(PEEK)、或聚四氟乙烯(PTFE)。4.如权利要求1所述的设备，其中所述轮缘在所述轮缘的与所述管状主体的所述第二端相对的一侧上具有倾斜的外半径。5.如权利要求1至4中任一者所述的设备，其中所述设备由所述管状主体和所述轮缘组成。6.如权利要求1至4中任一者所述的设备，其中所述中心开口具有约0.2英寸至约0.4英寸的直径。7.如权利要求1至4中任一者所述的设备，其中所述轮缘具有以下各项中的至少一项：至少约1英寸的外直径、或约0.1英寸至约0.15英寸的厚度。8.如权利要求1至4中任一者所述的设备，其中所述设备由所述管状主体和所述轮缘组成，其中所述中心开口具有约0.2英寸至约0.4英寸的直径，并且其中所述轮缘具有至少约1英寸的外直径和约0.1英寸至约0.15英寸的厚度。9.一种用于处理基板的设备，包括：腔室壁，所述腔室壁具有凹部，所述凹部在所述腔室壁的面向内部空间的侧面上在所述腔室壁中形成；以及用于预防杂散等离子体的设备，所述用于预防杂散等离子体的设备部分地设置在所述凹部中，所述用于预防杂散等离子体的设备包括：管状主体，所述管状主体由介电材料形成并且限定从所述管状主体的第一端通过所述管状主体到所述管状主体的第二端的中心开口；以及轮缘，所述轮缘从所述管状主体的所述第一端径向延伸，其中所述管状主体延伸到所述凹部中并且所述轮缘沿着所述腔室壁围绕所述凹部延伸。10.如权利要求9所述的设备，进一步包括：衬垫，所述衬垫设置成与所述腔室壁相邻，其中所述用于预防杂散等离子体的设备设置在所述腔室壁与所述衬垫之间。11.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：