一种反应腔体及其处理方法技术

本发明专利技术提供一种反应腔体及其处理方法，反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：衬底支撑座，衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热，衬底支撑座的表面和反应腔体内壁依次形成有第一保护膜和第二保护膜，第一保护膜为氧化物陶瓷薄膜，第二保护膜为含碳的无定型陶瓷膜。这样，通过在反应腔体内壁上和衬底支撑座表面形成结构致密的氧化物陶瓷薄膜，衬底支撑座的表面上的氧化物陶瓷薄膜将衬底与衬底支撑座隔离开，避免衬底支撑座上的离子扩散至衬底表面，同时反应腔体内壁上的氧化物陶瓷薄膜避免反应离子或杂质离子粘附在反应腔体内壁上对反应腔体造成污染。子粘附在反应腔体内壁上对反应腔体造成污染。子粘附在反应腔体内壁上对反应腔体造成污染。

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔体及其处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种反应腔体及其处理方法。

技术介绍

[0002]非晶碳膜是一种具有非晶态和微晶态结构的含氢碳膜(Hydrogenated Amorphous Carbon Film)，具有高硬度、抗耐磨、光学透光性、低摩擦系数及化学惰性等优异性能，广泛用于集成电路中。
[0003]目前在晶圆上沉积非晶碳膜，主要是通过将晶圆置于反应腔体内的加热盘上，而后向反应腔体内通入气体，以在晶圆上生成薄膜。
[0004]但是目前的加热盘采用铝制加热盘，加热盘中的离子容易扩散至晶圆背面，从而影响后续制程。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种反应腔体及其，避免加热盘中的离子进入晶圆背面。
[0006]为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：
[0007]一种反应腔体，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：
[0008]衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔体，其特征在于，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热；所述衬底支撑座的表面和所述反应腔体内壁依次形成有第一保护膜和第二保护膜；所述第一保护膜为氧化物陶瓷薄膜，所述第二保护膜为含碳的无定型陶瓷膜。2.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述在衬底上形成的含碳的无定型陶瓷膜与所述第二保护膜相同。3.一种反应腔体的处理方法，其特征在于，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，所述反应腔体包括：衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热，所述方法包括：在所述反应腔体的内壁和所述衬底支撑座表面形成氧化物陶瓷薄膜；在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的无定型陶瓷膜。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：将衬底置于权利要求1或2所述的反应腔体内的衬底支撑座上，在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷膜。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述反应腔体中形成氧化物陶瓷薄膜包括：向所述反应腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚梅，蔡新晨，叶五毛，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：