用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室制造技术

本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于大气压力取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或上方。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。通道。通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的实施方式总体涉及工艺腔室，诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室之类。更具体地，本公开内容的实施方式涉及用于工艺腔室的盖组件。
[0004]相关技术的描述
[0005]在太阳能面板或平板显示器的制造中，采用许多工艺来在基板(诸如半导体基板、太阳能面板基板和液晶显示器(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)基板)上沉积薄膜，以在基板上形成电子器件。沉积一般通过将前驱物气体引入到具有设置在温度受控的基板支撑件上的基板的腔室中而完成。前驱物气体典型地被引导通过位于腔室的顶部附近的气体分配板。通过将射频(RF)功率从耦接到腔室的一个或多个RF源施加到设置在腔室中的导电喷头，可将腔室中的前驱物气体激励(例如，激发)成等离子体。被激发的气体反应以在定位在温度受控的基板支撑件上的基板的表面上形成材料层。
[0006]现在，用于形成电子器件的基板的表面积的大小通常超过1平方米。难以实现跨这些基板的膜厚度均匀性。随着基板大小的增加，膜厚度均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于盖组件的板，所述板包括：等离子体生成系统，所述等离子体生成系统包括平行地设置在所述板中的一个或多个腔，所述腔中的每一者包括：用于多个介电板的凹槽，所述介电板中的每一者具有：底表面，所述底表面能够操作以相对于第一压力取向；和顶表面，所述顶表面能够操作以与所述底表面相对并且相对于第二压力取向，所述第二压力与所述第一压力不同；和一个或多个线圈，所述一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或在所述多个介电板上方；和气体分配组件，所述气体分配组件包括第一扩散器，所述第一扩散器包括：一个或多个第一扩散器入口，所述一个或多个第一扩散器入口设置在所述板中；和多个第一通道，所述多个第一通道与所述第一扩散器入口中的至少一个第一扩散器入口流体连通，所述多个第一通道中的每个第一通道设置在所述板中并且与所述凹槽中的一个凹槽相邻。2.如权利要求1所述的板，其中所述腔中的每一者的每个线圈被配置为连接到独立电源。3.如权利要求2所述的板，其中每个线圈被配置为通过匹配电路连接到所述独立电源。4.如权利要求1所述的板，其中每个线圈具有一匝或多匝。5.如权利要求1所述的板，其中所述板包括含铝材料。6.如权利要求1所述的板，其中所述介电板包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、石英、二氧化锆(ZrO2)、氮化锆(ZrN)、石英和玻璃材料中的至少一种。7.如权利要求1所述的板，其中所述气体分配组件进一步包括第二扩散器，所述第二扩散器包括：一个或多个第二扩散器入口，所述一个或多个第二扩散器入口设置在所述板中；和多个第二通道，所述多个第二通道与所述第二扩散器入口中的至少一个第二扩散器入口流体连通，所述多个第二通道中的每个第二通道在所述板中设置在相邻腔之间。8.如权利要求1所述的板，其中所述板进一步包括：流体入口和流体出口，所述流体入口和所述流体出口设置在所述板中，所述流体入口和所述流体出口能够耦接到热交换器；和多个流体通道，所述多个流体通道与所述流体入口和所述流体出口流体连通，所述多个流体通道中的至少一者在所述板中设置在相邻腔之间。9.如权利要求1所述的板，其中流量控制器能够耦接到所述第一扩散器入口中的每一者。10.一种用于盖组件的板，所述板包括：等离子体生成系统，所述等离子体生成系统包括平行地...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏希尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：