一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质制造方法及图纸

本申请适用于干法刻蚀领域，提供了一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。其中，上述干法刻蚀设备的腔体清理方法具体包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。本申请的实施例能够在合适的时机进行腔体清理，以在保证晶圆良率的同时，降低制造成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质


[0001]本申请属于干法刻蚀领域，尤其涉及一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。

技术介绍

[0002]干法刻蚀(Dry etching)，也称为干法蚀刻，是利用等离子体进行薄膜刻蚀的工业技术。当气体以等离子体形式存在时，一方面，这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与被刻蚀材料进行反应，实现刻蚀材料的目的；另一方面，利用电场对这些气体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀材料的表面时，能够将被刻蚀材料表面的原子击出，从而达到利用能量转移来实现刻蚀的目的。目前，干法刻蚀常被应用于晶圆制造工艺中，一般是在晶圆进入到干法刻蚀设备的腔体后，向腔体通入等离子体形式的气体，以实现对晶圆刻蚀。
[0003]但是，干法刻蚀过程中产生的许多副产物往往会堆积在腔体内，随着多个晶圆依序进入干法刻蚀设备，堆积在腔体内的副产物浓度将发生变化，而过高浓度的副产物将会影响对晶圆进行干法刻蚀的效果。
[0004]为了保证干法刻蚀的效果，目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度的步骤中，对单个晶圆对应的元素浓度的获取步骤，包括：在所述单个晶圆进入所述干法刻蚀设备后，利用用于检测所述目标元素的目标光束对所述腔体进行照射；接收所述腔体对所述目标光束的反射光，并基于所述反射光确定所述单个晶圆对应的元素浓度。3.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数的步骤中，对单种间隔时长对应的自相关系数的计算步骤，包括：根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度，计算所述多个晶圆对应的平均元素浓度；根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度、所述平均元素浓度、以及自相关系数公式，计算所述单种间隔时长对应的自相关系数。4.如权利要求3所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，所述自相关系数公式为其中，r
k
表示所述单种间隔时长对应的自相关系数，k表示所述单种间隔时长，M表示所述多个晶圆的晶圆总数，μ表示所述平均元素浓度，x
t
表示所述多个晶圆中第t个进入所述干法刻蚀设备的晶圆对应的元素浓度。5.如权利要求1至4任意一项所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述对所述干...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾健忠，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：