硅料装料方法技术

本发明专利技术公开了一种硅料装料方法，所述硅料装料方法包括以下步骤：在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件；在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料；抽出所述安装件，使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。根据本发明专利技术的硅料装料方法，第一气流通道和硅料的缝隙之间可以形成气流通道，使气体可以顺利排出，可以避免杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。保证硅料具有较高的质量。保证硅料具有较高的质量。

【技术实现步骤摘要】
硅料装料方法


[0001]本专利技术涉及晶体硅铸锭
，尤其是涉及一种硅料装料方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，为了在坩埚内装入足够多的硅料，通常使硅料在坩埚内紧密排布。然而，这种排布方式会使硅料之间的缝隙较小，当向硅料内部通气体时，气体中的携带的氧碳杂质容易在硅料中的死角处停留，从而导致氧碳杂质在硅料中沉积，可能会影响硅料的质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种硅料装料方法，可以避免气体中的杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。
[0004]根据本专利技术实施例的硅料装料方法，包括以下步骤：在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件；在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料；抽出所述安装件，使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。
[0005]根据本专利技术实施例的硅料装料方法，通过在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件且使安装件的安装区域限定出第一气流通道，第一气流通道和硅料的缝隙之间可以形成气流通道，使气体可以顺利排出，可以避免杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，在所述坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个所述安装件之前，还包括：在坩埚内的底部铺设底部硅料，使所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的第一气流槽；在所述第一气流槽的上方覆盖沿所述第一气流槽的长度方向彼此间隔开的多个覆盖硅料，以使多个所述覆盖硅料与所述第一气流槽之间限定出与所述第一气流通道连通的第二气流通道。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的多个所述第一气流槽，多个所述第一气流槽的一端连通、且另一端彼此间隔开；所述安装件包括第一安装件和多个第二安装件，所述第一安装件设在多个所述第一气流槽的所述一端，每个所述第二安装件设在相邻两个所述覆盖硅料之间。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一气流槽的所述另一端邻近所述坩埚的侧壁。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第一气流槽的所述另一端沿周向均匀间隔设置。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第一气流槽呈“十”字形或“米”字形。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述坩埚内设有多个所述安装件，每个所述安装件的安装区域限定出一个所述第一气流通道，多个所述第一气流通道沿所述第一气流槽的长度
方向间隔设置，多个所述第一气流通道中的至少一个邻近所述坩埚的侧壁。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一气流槽的宽度为d1，每个所述第一气流通道的最大宽度为d2，所述底部硅料、所述覆盖硅料和所述硅料的平均直径为d，其中，所述d1、d2、d满足：d1≤d，d2≤d。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述d1、d2进一步满足：10mm≤d1≤30mm，10mm≤d2≤30mm。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，每个所述安装件为实心结构或中空管状结构。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，每个所述安装件的横截面形状为圆形、椭圆形、长圆形或多边形。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述安装件为聚丙烯件、钼件或钨件。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1a是根据本专利技术实施例的硅料装料方法的流程示意图；
[0020]图1b是根据本专利技术实施例的硅料装料方法的另一个流程示意图；
[0021]图2是根据本专利技术一个实施例的坩埚和底部硅料的俯视图；
[0022]图3是根据本专利技术另一个实施例的坩埚、底部硅料和覆盖硅料的俯视图；
[0023]图4是根据本专利技术实施例的坩埚、底部硅料和覆盖硅料的剖视图；
[0024]图5是根据本专利技术实施例的安装件在所述坩埚内的结构示意图。
[0025]附图标记：
[0026]1：坩埚；2：底部硅料；21：第一气流槽；
[0027]3：覆盖硅料；31：第二气流通道；4：安装件。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0029]下面参考图1a-图5描述根据本专利技术实施例的硅料装料方法。
[0030]如图1a所示，根据本专利技术实施例的硅料装料方法，包括以下步骤：
[0031]在坩埚1内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件4。其中，坩埚1可以为石英坩埚。但不限于此。
[0032]例如，在图3和图4的示例中，安装件4的下端可以设在坩埚1的底部，安装件4的上端可以伸入至邻近坩埚1的顶部。
[0033]在装有安装件4后的坩埚1内装入硅料。
[0034]抽出安装件4，使安装件4的安装区域限定出与第一气流通道。
[0035]在上述两个步骤中，当抽出安装件4时，第一气流通道可以与硅料之间的缝隙连通。当第一气流通道为一个时，气体可以从第一气流通道流入，流经硅料之间的缝隙后排
出；当第一气流通道为多个时，气体可以从多个第一气流通道中的其中一个流入，流经硅料之间的缝隙后，通过其余的第一气流通道和硅料之间的缝隙流出。由此，第一气流通道和硅料之间的缝隙之间可以形成气流通道，与现有的排布方式相比，使气体可以顺利排出，可以避免气体中的氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。
[0036]根据本专利技术实施例的硅料装料方法，通过在坩埚1内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件4且使安装件4的安装区域限定出第一气流通道，第一气流通道和硅料的缝隙之间可以形成气流通道，使气体可以顺利排出，可以避免杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留，从而可以避免氧碳杂质在硅料中沉积，保证硅料具有较高的质量。
[0037]在本专利技术的一些实施例中，参照图1b并结合图2和图3，在坩埚1内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件4之前，还包括：
[0038]在坩埚1内的底部铺设底部硅料2，使底部硅料2与坩埚1的底部之间限定出顶部敞开的第一气流槽21。例如，参照图2，在上述步骤中，当铺设底部硅料2时，可以预留出第一气流槽21，在坩埚1底部的除第一气流槽21以外的区域铺设底部硅料2。
[0039]在第一气流槽21的上方覆盖沿第一气流槽21的长度方向彼此间隔开的多个覆盖硅料3，以使多个覆盖硅料3与第一气流槽21之间限定出与第一气流通道连通的第二气流通道31。
[0040]在上述步骤中，结合图4，当多个覆盖硅料3覆盖在第一气流槽21的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅料装料方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件；在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料；抽出所述安装件，使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。2.根据权利要求1所述的硅料装料方法，其特征在于，在所述坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个所述安装件之前，还包括：在坩埚内的底部铺设底部硅料，使所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的第一气流槽；在所述第一气流槽的上方覆盖沿所述第一气流槽的长度方向彼此间隔开的多个覆盖硅料，以使多个所述覆盖硅料与所述第一气流槽之间限定出与所述第一气流通道连通的第二气流通道。3.根据权利要求2所述的硅料装料方法，其特征在于，所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的多个所述第一气流槽，多个所述第一气流槽的一端连通、且另一端彼此间隔开；所述安装件包括第一安装件和多个第二安装件，所述第一安装件设在多个所述第一气流槽的所述一端，每个所述第二安装件设在相邻两个所述覆盖硅料之间。4.根据权利要求3所述的硅料装料方法，其特征在于，每个所述第一气流槽的所述另一端邻近所述坩埚的侧壁。5.根据权利要求3所述的硅料装料方法，其特征在于，多个所述第一气流槽的所述另一端沿周向均匀间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：