【技术实现步骤摘要】
硅料装料方法
[0001]本专利技术涉及晶体硅铸锭
,尤其是涉及一种硅料装料方法。
技术介绍
[0002]相关技术中,为了在坩埚内装入足够多的硅料,通常使硅料在坩埚内紧密排布。然而,这种排布方式会使硅料之间的缝隙较小,当向硅料内部通气体时,气体中的携带的氧碳杂质容易在硅料中的死角处停留,从而导致氧碳杂质在硅料中沉积,可能会影响硅料的质量。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种硅料装料方法,可以避免气体中的杂质例如氧碳杂质在硅料中的死角处停留,从而可以避免杂质在硅料中沉积,保证硅料具有较高的质量。
[0004]根据本专利技术实施例的硅料装料方法,包括以下步骤:在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件;在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料;抽出所述安装件,使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。
[0005]根据本专利技术实施例的硅料装料方法,通过在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件且使安装件的安装区 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅料装料方法,其特征在于,包括以下步骤:在坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个安装件;在装有所述安装件后的所述坩埚内装入硅料;抽出所述安装件,使所述安装件的安装区域限定出第一气流通道。2.根据权利要求1所述的硅料装料方法,其特征在于,在所述坩埚内设置沿上下方向延伸的至少一个所述安装件之前,还包括:在坩埚内的底部铺设底部硅料,使所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的第一气流槽;在所述第一气流槽的上方覆盖沿所述第一气流槽的长度方向彼此间隔开的多个覆盖硅料,以使多个所述覆盖硅料与所述第一气流槽之间限定出与所述第一气流通道连通的第二气流通道。3.根据权利要求2所述的硅料装料方法,其特征在于,所述底部硅料与所述坩埚的底部之间限定出顶部敞开的多个所述第一气流槽,多个所述第一气流槽的一端连通、且另一端彼此间隔开;所述安装件包括第一安装件和多个第二安装件,所述第一安装件设在多个所述第一气流槽的所述一端,每个所述第二安装件设在相邻两个所述覆盖硅料之间。4.根据权利要求3所述的硅料装料方法,其特征在于,每个所述第一气流槽的所述另一端邻近所述坩埚的侧壁。5.根据权利要求3所述的硅料装料方法,其特征在于,多个所述第一气流槽的所述另一端沿周向均匀间...
【专利技术属性】
技术研发人员:王全志,
申请(专利权)人:包头阿特斯阳光能源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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