一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒制造技术

本发明专利技术提供一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒，所述组合套筒设于导流筒内，包括：内筒，所述内筒的最小内径大于晶棒的直径；套设于所述内筒外的外筒，所述外筒的一端形成有外凸缘，所述外凸缘用于与导流筒的底部搭接；设置于所述内筒和所述外筒之间的隔热层。根据本发明专利技术实施例的组合套筒，具备更优的调节晶棒轴向温度差的能力，调节范围广，有利于晶棒的无缺陷生长，从而提高晶棒的整体品质。从而提高晶棒的整体品质。从而提高晶棒的整体品质。

【技术实现步骤摘要】
一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒


[0001]本专利技术涉及晶棒制备
，具体涉及一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒。

技术介绍

[0002]随着微电子产业制程的不断提升，对硅晶圆材料的品质有了更高的要求，而好的品质意味着要管控好晶棒中的晶体缺陷。晶棒中的晶体缺陷主要分为两大类，一类是由过饱和的间隙(interstitial)聚集而成的间隙型缺陷，这类缺陷不会影响MOS元器件栅极氧化物完整性(gate oxide integrity，简称GOI)；另一类是由空位(vacancies)聚集而成的空位型缺陷，这类生长缺陷对GOI的良率影响很大，常见的间隙型缺陷有COPs(crystal originated particles)、FPD(flow pattern defects)、LSTDs(laser scattering tomography defects)等。这些缺陷的生成与晶棒的轴向温度差G有关，而轴向温度差G可以根据热场的设计进行调节。
[0003]热场中关于导流筒的设计至关重要，其直接影响了晶棒轴向温度差G和晶棒边缘处的轴向温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合套筒，其特征在于，设于导流筒内，包括：内筒，所述内筒的最小内径大于晶棒的直径；套设于所述内筒外的外筒，所述外筒的一端形成有外凸缘，所述外凸缘用于与导流筒的底部搭接；设置于所述内筒和所述外筒之间的隔热层。2.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述内筒的内径自一端向另一端逐渐减小。3.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述隔热层的侧壁均布有若干导热孔。4.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述外筒的外周面形成有若干环形凸纹，所述环形凸纹沿所述外筒的轴向间隔设置。5.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述内筒、所述隔热层以及所述外筒的同一侧部位开设有一监控缺口，所述监控缺口用于为晶棒直径监控装置提供监测通道。6.根据权利要求5所述的组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，沈福哲，宋振亮，毛勤虎，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：