护边料的装料方法技术

本发明专利技术公开了一种护边料的装料方法，所述护边料的装料方法包括以下步骤：在坩埚的内侧壁上铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第一护边料，并使相邻两个所述第一护边料之间具有第一间隙；在多个所述第一护边料的上方铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第二护边料，并使相邻两个所述第二护边料之间具有第二间隙，且每个所述第二护边料覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。根据本发明专利技术的护边料的装料方法，通过使每个第二护边料覆盖至少一个第一间隙的至少一部分，在保证保护坩埚内侧壁的涂层的同时，可以对气体的气路造成遮挡，从而可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。的质量。的质量。

【技术实现步骤摘要】
护边料的装料方法


[0001]本专利技术涉及光伏设备制造
，尤其是涉及一种护边料的装料方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，晶体硅中的氧碳含量主要是由于气体携带氧碳元素进入到硅料，硅料熔化后溶解到硅液，最终凝固沉积在晶体硅内部而成。然而，氧碳含量对晶体硅具有非常严重的影响，会极大地降低晶体硅的质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种护边料的装料方法，可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。
[0004]根据本专利技术实施例的护边料的装料方法，包括以下步骤：在坩埚的内侧壁上铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第一护边料，并使相邻两个所述第一护边料之间具有第一间隙；在多个所述第一护边料的上方铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第二护边料，并使相邻两个所述第二护边料之间具有第二间隙，且每个所述第二护边料覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。
[0005]根据本专利技术实施例的护边料的装料方法，通过使每个第二护边料覆盖至少一个第一间隙的至少一部分，在保证保护坩埚内侧壁的涂层的同时，可以对气体的气路造成遮挡，防止携带氧碳杂质的气体沿第一间隙或第二间隙直接流入硅料底部，从而可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第一护边料和多个所述第二护边料在所述坩埚的高度方向上交错设置，每个所述第二护边料覆盖对应的一个所述第一间隙的至少一部分。/>[0007]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第二护边料完全覆盖至少一个所述第一间隙。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述第一间隙的宽度为d1，所述第二间隙的宽度为d2，其中，所述d1、d2满足：d1≥1mm，d2≥1mm。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第二护边料中最上方的所述第二护边料的顶面与所述坩埚的顶面平齐。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第二护边料中最上方的所述第二护边料的顶面低于所述坩埚的顶面。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述坩埚包括：底板；多个围板，多个所述围板的下端均与所述底板的外周缘相连，且多个所述围板沿所述底板的周向依次首尾相连，多个所述第一护边料和多个所述第二护边料中邻近相邻两个所述围板的连接处的所述护边料彼此间隔开。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，相邻两个所述围板之间连接有连接段，多个所述第一
护边料和多个所述第二护边料中邻近所述连接段的所述护边料与所述连接段的对应边缘之间的距离大于等于零。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第二护边料中邻近所述连接段的所述第二护边料为第三护边料，多个所述第一护边料中邻近所述连接段的所述第一护边料为第四护边料，所述第三护边料的邻近所述连接段的侧边延伸至超出对应的所述第四护边料的邻近所述连接段的侧边。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，每个所述围板的内表面上均设有多个所述第一护边料和多个所述第二护边料。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述护边料的装料方法还包括：在多个所述第二护边料的上方铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第五护边料，并使至少一个所述第五护边料与至少一个所述第二护边料上下相对；和/或至少一个所述第五护边料覆盖对应的所述第二间隙。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一护边料和每个所述第二护边料均为硅料。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是根据本专利技术实施例的护边料的装料方法的流程示意图；
[0020]图2是根据本专利技术实施例的多个第一护边料和多个第二护边料的立体图；
[0021]图3是根据本专利技术实施例的多个第一护边料和多个第二护边料的结构示意图。
[0022]附图标记：
[0023]1：坩埚；11：底板；12：围板；13：连接段；
[0024]2：第一护边料；21：第一间隙；
[0025]3：第二护边料；31：第二间隙。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0027]下面参考图1-图3描述根据本专利技术实施例的护边料的装料方法。
[0028]如图1所示，根据本专利技术实施例的护边料的装料方法，包括以下步骤：
[0029]在坩埚1的内侧壁上铺设沿坩埚1的周向彼此间隔开的多个第一护边料2，并使相邻两个第一护边料2之间具有第一间隙21。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0030]例如，结合图2，多个第一护边料2可以直接靠在坩埚1的内侧壁上，结构简单，方便布置。当表面较为粗糙的多个硅料例如单晶碎片料或多晶碎片料放置在坩埚1内时，第一护边料2可以止挡在单晶碎片料或多晶碎片料与坩埚1的内侧壁之间。由此，通过设置上述的
第一护边料2，可以避免单晶碎片料或多晶碎片料与坩埚1的内侧壁直接接触，从而可以避免硅料对坩埚1的内侧壁的涂层造成损伤，避免硅料熔化后出现粘锅的现象。
[0031]在多个第一护边料2的上方铺设沿坩埚1的周向彼此间隔开的多个第二护边料3，并使相邻两个第二护边料3之间具有第二间隙31，且每个第二护边料3覆盖至少一个第一间隙21的至少一部分。
[0032]需要说明的是，“每个第二护边料3覆盖至少一个第一间隙21的至少一部分”指的是，第二护边料3可以覆盖多个第一间隙21中的其中一个的部分；或者，第二护边料3可以完全覆盖多个第一间隙21中的其中一个；又或者，第二护边料3可以覆盖每个第一间隙21的一部分；再或者，第二护边料3可以完全覆盖所有的第一间隙21；当然，还可以是多个第一间隙21中的其中一些被第二护边料3覆盖一部分，多个第一间隙21中的另外一些被第二护边料3完全覆盖。
[0033]例如，当携带有氧碳杂质的气体沿坩埚1的内侧壁自上而下流入时，由于至少一个第一间隙21的至少一部分被遮挡，可以减少气体流入硅料底部。由此，通过上述设置，可以对气体的气路造成遮挡，防止携带氧碳杂质的气体沿第一间隙21或第二间隙31直接流入硅料底部，从而可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。
[0034]根据本专利技术实施例的护边料的装料方法，通过使每个第二护边料3覆盖至少一个第一间隙21的至少一部分，在保证保护坩埚1内侧壁的涂层的同时，可以对气体的气路造成遮挡，防止携带氧碳杂质的气体沿第一间隙21或第二间隙31直接流入硅料底部，从而可以降低晶体硅中的氧碳含量，提升晶体硅的质量。
[0035]在本专利技术的一些实施例中，参照图2和图3，多个第一护边料2和多个第二护边料3在坩埚1的高度方向上交错本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种护边料的装料方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚的内侧壁上铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第一护边料，并使相邻两个所述第一护边料之间具有第一间隙；在多个所述第一护边料的上方铺设沿所述坩埚的周向彼此间隔开的多个第二护边料，并使相邻两个所述第二护边料之间具有第二间隙，且每个所述第二护边料覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。2.根据权利要求1所述的护边料的装料方法，其特征在于，多个所述第一护边料和多个所述第二护边料在所述坩埚的高度方向上交错设置，每个所述第二护边料覆盖对应的一个所述第一间隙的至少一部分。3.根据权利要求1所述的护边料的装料方法，其特征在于，每个所述第二护边料完全覆盖至少一个所述第一间隙。4.根据权利要求1所述的护边料的装料方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度为d1，所述第二间隙的宽度为d2，其中，所述d1、d2满足：d1≥1mm，d2≥1mm。5.根据权利要求1所述的护边料的装料方法，其特征在于，多个所述第二护边料中最上方的所述第二护边料的顶面与所述坩埚的顶面平齐。6.根据权利要求1所述的护边料的装料方法，其特征在于，多个所述第二护边料中最上方的所述第二护边料的顶面低于所述坩埚的顶面。7.根据权利要求1-6中任一项所述的护边料的装料方法，其特征在于，所述坩埚包括：底板；多个围板，多个所述围板的下端均与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，陈伟，李林东，唐珊珊，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：