硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件技术

本发明专利技术提出一种硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件，所述加工方法包括以下步骤：S1、将硅棒段进行剖方以得到多个矩形方棒；S2、对每个所述矩形方棒进行抛光；S3、沿所述矩形方棒的长度方向切割抛光后的所述矩形方棒以得到多个用于制备电池片的硅片。根据本发明专利技术的硅片的加工方法，通过采用上述步骤S1至步骤S3，可以通过切割矩形方棒直接获得多个小尺寸的硅片，节省了划片的过程，保证了电池片的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率，提高了单公斤硅棒段的硅片的出片量，同时可以避免切片后的硅片出现厚度不均、翘曲等问题。翘曲等问题。翘曲等问题。

【技术实现步骤摘要】
硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏电池
，尤其是涉及一种硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件。

技术介绍

[0002]随着全球节能减排意识的不断增长，人们对光伏设备的需求越来越大。然而，由于硅料的价格不断攀升，导致用于制造电池片的硅片的价格上涨，为了平衡硅料涨价对硅片加工成本的影响，需要增加单公斤硅料的硅片出片数，通过降低加工成本来增加收益。
[0003]相关技术中，半片硅片的加工流程为对硅块直接切片以得到完整硅片，然后对完整硅片进行二次加工，分割得到半片硅片。然而，从硅块上切割得到的硅片的厚度有越来越薄的倾向，当硅片的厚度越薄时，二次加工时硅片的碎片率会增加，且硅片的切割处的电子空穴复合增加，导致电池片的光电转换效率下降，同时硅片的薄片化还增加了切片后的硅片的厚度不均、翘曲等问题出现的概率。另外，当加工大尺寸的硅片时，由于硅片的表面张力增加，同样会增加硅片碎片和隐裂的几率。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种硅片的加工方法，通过切割矩形方棒直接获得硅片，节省了划片过程，保证了电池片的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率。
[0005]本专利技术的另一个目的在于提出一种包括上述加工方法制造而成的硅片的电池片。
[0006]本专利技术的再一个目的在于提出一种包括上述电池片的光伏组件。
[0007]根据本专利技术第一方面实施例的硅片的加工方法，包括以下步骤：
[0008]S1、将硅棒段进行剖方以得到多个矩形方棒；
[0009]S2、对每个所述矩形方棒进行抛光；
[0010]S3、沿所述矩形方棒的长度方向切割抛光后的所述矩形方棒以得到多个用于制备电池片的硅片。
[0011]根据本专利技术实施例的硅片的加工方法，通过采用上述步骤S1至步骤S3，可以通过切割矩形方棒直接获得多个小尺寸的硅片，节省了划片的过程，保证了电池片的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率，提高了单公斤硅棒段的硅片的出片量，同时可以避免切片后的硅片出现厚度不均、翘曲等问题。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，每个所述矩形方棒的横截面形状为矩形，所述矩形方棒的横截面上的短边为所述矩形方棒的横截面上的长边的N分之一，其中，所述N满足： 2≤N≤6，N为正整数。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，在步骤S3中，沿两个所述长边中的其中一个朝向两个所述长边中的另一个的方向切割抛光后的所述矩形方棒，以得到多个所述硅片。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，步骤S1具体包括：
[0015]S11、将所述硅棒段放置于剖方机构上，所述剖方机构的两个第一剖方件分别位于所述硅棒段的径向方向的两侧，两个所述第一剖方件相互平行，所述剖方机构的两个第二剖方件均与两个所述第一剖方件垂直，所述剖方机构的至少一个第三剖方件设在两个所述第一剖方件或两个所述第二剖方件之间；
[0016]S12、所述剖方机构沿所述硅棒段的轴向移动以将所述硅棒段切割为多个所述矩形方棒。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一剖方件在所述硅棒段上的投影长度等于每个所述第二剖方件在所述硅棒段上的投影长度。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述第三剖方件为多个，多个所述第三剖方件彼此间隔开地排布在两个所述第一剖方件或两个所述第二剖方件之间；或至少一个所述第三剖方件位于两个所述第一剖方件之间，其余的所述第三剖方件位于两个所述第二剖方件之间。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第三剖方件均匀间隔位于两个所述第一剖方件或两个所述第二剖方件之间。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，在步骤S1前，还包括：S0、将硅棒切割为多个所述硅棒段。
[0021]根据本专利技术第二方面实施例的电池片，包括根据本专利技术上述第一方面实施例所述的硅片的加工方法制造而成的硅片。
[0022]根据本专利技术第三方面实施例的光伏组件，包括根据本专利技术上述第二方面实施例所述的电池片。
[0023]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0024]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0025]图1是根据本专利技术实施例的硅片的加工方法的流程图；
[0026]图2是根据本专利技术实施例的剖方机构的示意图。
[0027]附图标记：
[0028]1‑
硅棒段；2
‑
矩形方棒；3
‑
硅片；4：剖方机构；
[0029]41
‑
第一剖方件；42
‑
第二剖方件；43
‑
第三剖方件。
具体实施方式
[0030]下面参照图1和图2描述根据本专利技术第一方面实施例的硅片3的加工方法。
[0031]如图1所示，根据本专利技术第一方面实施例的硅片3的加工方法，包括以下步骤：
[0032]S1、将硅棒段1进行剖方以得到多个矩形方棒2。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。此时每个矩形方棒2的长度方向的两个侧面为横截面积较小的矩形面。
[0033]S2、对每个矩形方棒2进行抛光。在该步骤中，通过对矩形方棒2进行抛光，可以磨削掉矩形方棒2表面的损伤层。
[0034]S3、沿矩形方棒2的长度方向切割抛光后的矩形方棒2以得到多个用于制备电池片
的硅片3。
[0035]例如，在图1的示例中，可以先将硅棒段1进行剖方以得到两个矩形方棒2，之后，对所得的两个矩形方棒2进行抛光，最后，对抛光后的两个矩形方棒2分别进行切割，可以直接得到多个半片硅片(即完整硅片的二分之一)。由此，与传统的硅片的加工流程相比，节省了划片的过程，从而可以保证电池片的光电转换效率，降低了硅片3的碎片率，进而可以提高单公斤硅棒段1的硅片3的出片量，降低了加工成本，同时通过切割矩形方棒2可以直接得到小尺寸的硅片3，可以避免切片后的硅片3出现厚度不均、翘曲等问题。
[0036]根据本专利技术实施例的硅片3的加工方法，通过采用上述步骤S1至步骤S3，可以通过切割矩形方棒2直接获得多个小尺寸的硅片3，节省了划片的过程，保证了电池片的光电转换效率，且降低了硅片3的碎片率，提高了单公斤硅棒段1的硅片3的出片量，同时可以避免切片后的硅片3出现厚度不均、翘曲等问题。
[0037]在一些可选的实施例中，每个矩形方棒2的横截面形状为矩形，矩形方棒2的横截面上的短边为矩形方棒2的横截面上的长边的N分之一，其中，N满足：2≤N≤6，N为正整数。参照图2，每个矩形方棒2的长度方向的两个侧面的横截面形状为矩形，其中，矩形方棒2的横截面上的短边可以为矩形方棒2的横截面上的长边的二分之一，此时硅棒段1直接剖方为两个矩形方棒2，且切割后的硅片3可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅棒段进行剖方以得到多个矩形方棒；S2、对每个所述矩形方棒进行抛光；S3、沿所述矩形方棒的长度方向切割抛光后的所述矩形方棒以得到多个用于制备电池片的硅片。2.根据权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，每个所述矩形方棒的横截面形状为矩形，所述矩形方棒的横截面上的短边为所述矩形方棒的横截面上的长边的N分之一，其中，所述N满足：2≤N≤6，N为正整数。3.根据权利要求2所述的硅片的加工方法，其特征在于，在步骤S3中，沿两个所述长边中的其中一个朝向两个所述长边中的另一个的方向切割抛光后的所述矩形方棒，以得到多个所述硅片。4.根据权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，步骤S1具体包括：S11、将所述硅棒段放置于剖方机构上，所述剖方机构的两个第一剖方件分别位于所述硅棒段的径向方向的两侧，两个所述第一剖方件相互平行，所述剖方机构的两个第二剖方件均与两个所述第一剖方件垂直，所述剖方机构的至少一个第三剖方件设在两个所述第一剖方件或两个所述第二剖方件之间；S12、所述剖方...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，王栩生，李林东，蔡旭，请求不公布姓名，李晶，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：