类单晶晶体品质评估方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明专利技术采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。规避掉对籽晶尺寸的依赖。规避掉对籽晶尺寸的依赖。

【技术实现步骤摘要】
类单晶晶体品质评估方法及系统


[0001]本专利技术涉及类单晶产品设计
，尤其是涉及一种类单晶晶体品质评估方法及系统。

技术介绍

[0002]目前，主要采用缺陷的面积比例来作为表征类单晶晶体品质的主要依据之一，缺陷的面积比例目前主要是通过PL(Photoluminescence，光致发光测试)的检测结果进行评估，而常规的检测方法是类单晶晶体，如硅锭开方后，对类单晶硅块的侧面进行PL测量，进而根据PL检测数据的平均值进行硅锭品质评估。
[0003]然而，上述品质表征方法受限于籽晶的拼缝位置，要求硅块开方下刀位置必须要与籽晶缝隙对应或者相邻，导致所开方硅块的尺寸受限于籽晶的尺寸。另外，晶体是垂直生长的，位错会沿着生长方向纵向延伸及横向生长，而缺陷在电池片中最直接的表征是横向，也就是硅片的水平表面的缺陷的面积比例，而不是硅片的纵向表面。因此，目前采用纵向检测的品质表征方法，存在较大误差，不能准确表征类单晶晶体，如硅锭的品质，同时，对于籽晶的依赖性较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，包括以下步骤：获取所述类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个所述头料和多个所述尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到所述晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估。2.根据权利要求1所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述预设方向为标识得到的正方向。3.根据权利要求2所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，标识所述正方向的方法，包括：对多个所述头料和多个所述尾料按照对应晶体块的标号进行标识，以标识所述正方向。4.根据权利要求1所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估，包括：对所述头部检测结果和尾部检测结果求取平均值，根据所述平均值对所述类单晶晶体品质进行评估。5.根据权利要求1
‑
5任一项所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述头料的厚度为25～32毫米，所述尾料的厚度为45～65毫米。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，陈伟，李林东，唐珊珊，张光春，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：