类单晶晶体品质评估方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明专利技术采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。规避掉对籽晶尺寸的依赖。规避掉对籽晶尺寸的依赖。

【技术实现步骤摘要】
类单晶晶体品质评估方法及系统


[0001]本专利技术涉及类单晶产品设计
，尤其是涉及一种类单晶晶体品质评估方法及系统。

技术介绍

[0002]目前，主要采用缺陷的面积比例来作为表征类单晶晶体品质的主要依据之一，缺陷的面积比例目前主要是通过PL(Photoluminescence，光致发光测试)的检测结果进行评估，而常规的检测方法是类单晶晶体，如硅锭开方后，对类单晶硅块的侧面进行PL测量，进而根据PL检测数据的平均值进行硅锭品质评估。
[0003]然而，上述品质表征方法受限于籽晶的拼缝位置，要求硅块开方下刀位置必须要与籽晶缝隙对应或者相邻，导致所开方硅块的尺寸受限于籽晶的尺寸。另外，晶体是垂直生长的，位错会沿着生长方向纵向延伸及横向生长，而缺陷在电池片中最直接的表征是横向，也就是硅片的水平表面的缺陷的面积比例，而不是硅片的纵向表面。因此，目前采用纵向检测的品质表征方法，存在较大误差，不能准确表征类单晶晶体，如硅锭的品质，同时，对于籽晶的依赖性较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本专利技术的一个目的在于提出一种类单晶晶体品质评估方法，该方法采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
[0006]为此，本专利技术的第二个目的在于提出一种类单晶晶体品质评估系统。
[0007]为实现上述目的，本专利技术第一方面的实施例公开了一种类单晶晶体品质评估方法，包括以下步骤：获取所述类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个所述头料和多个所述尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到所述晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估。
[0008]根据本专利技术实施例的类单晶晶体品质评估方法，获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料，对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测，将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。即，采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
[0009]另外，本专利技术上述实施例的类单晶晶体品质评估方法还可以包括如下附加技术特征：
[0010]在一些示例中，所述预设方向为标识得到的正方向。
[0011]在一些示例中，标识所述正方向的方法，包括：对多个所述头料和多个所述尾料按照对应晶体块的标号进行标识，以标识所述正方向。
[0012]在一些示例中，所述根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估，包括：对所述头部检测结果和尾部检测结果求取平均值，根据所述平均值对所述类单晶晶体品质进行评估。
[0013]在一些示例中，所述头料的厚度为25～32毫米，所述尾料的厚度为45～65毫米。
[0014]在一些示例中，所述类单晶晶体为硅锭。
[0015]为实现上述目的，本专利技术第二方面的实施例公开了一种类单晶晶体品质评估系统，包括：获取模块，用于获取所述类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；检测模块，用于对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；处理模块，用于将多个所述头料和多个所述尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到所述晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；评估模块，用于根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估。
[0016]根据本专利技术实施例的类单晶晶体品质评估系统，获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料，对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测，将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。即，采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
[0017]另外，本专利技术上述实施例的类单晶晶体品质评估系统还可以包括如下附加技术特征：
[0018]在一些示例中，所述预设方向为正方向，所述系统还包括：标识模块，用于标识得到的所述正方向。
[0019]在一些示例中，所述标识模块，用于：对多个所述头料和多个所述尾料按照对应晶体块的标号进行标识，以标识所述正方向。
[0020]在一些示例中，所述评估模块，用于：对所述头部检测结果和尾部检测结果求取平均值，根据所述平均值对所述类单晶晶体品质进行评估。
[0021]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0022]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0023]图1是目前一纵向PL检测示例示意图；
[0024]图2是目前一纵向PL检测示例侧面检测结果示意图；
[0025]图3是目前一纵向PL检测示例的PL位错结果示意图；
[0026]图4是图3所示示例对应的头部位置横截面的PL位错结果示意图；
[0027]图5是目前另一纵向PL检测结果示意图；
[0028]图6是图5所示示例对应的横截面积的PL检测结果示意图；
[0029]图7是根据本专利技术一个实施例的类单晶晶体品质评估方法的流程图；
[0030]图8是根据本专利技术一个具体实施例的晶体块的头部检测结果示意图；
[0031]图9是根据本专利技术一个具体实施例的晶体块的尾部检测结果示意图；
[0032]图10是根据本专利技术一个实施例的类单晶晶体品质评估系统的结构框图。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0034]下面参考图1
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图10描述根据本专利技术实施例的类单晶晶体品质评估方法及系统。
[0035]如前所述，目前在进行类单晶晶体，如硅锭的品质评估时，主要采用纵向PL检测的方法实现。举例而言，如图1所示，目前常规的纵向PL检测方法，是待硅锭开方后，将每一个小硅块的纵向四个截面进行PL检测。
[0036]专利技术人研究发现，类单晶硅锭的缺陷是沿着缝隙横向增值的，当开方位置正好与籽晶缝隙对齐时，所得到的侧面PL检测结果例如图2所示。而若是检测如图2所示的位置(即灰色面)得到的纵截面PL位错结果例如图3所示，其中，硅块A对应的PL缺陷为50.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，包括以下步骤：获取所述类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个所述头料和多个所述尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到所述晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估。2.根据权利要求1所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述预设方向为标识得到的正方向。3.根据权利要求2所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，标识所述正方向的方法，包括：对多个所述头料和多个所述尾料按照对应晶体块的标号进行标识，以标识所述正方向。4.根据权利要求1所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述根据所述头部检测结果和尾部检测结果对所述类单晶晶体品质进行评估，包括：对所述头部检测结果和尾部检测结果求取平均值，根据所述平均值对所述类单晶晶体品质进行评估。5.根据权利要求1
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5任一项所述的类单晶晶体品质评估方法，其特征在于，所述头料的厚度为25～32毫米，所述尾料的厚度为45～65毫米。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，陈伟，李林东，唐珊珊，张光春，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：