籽晶的铺设方法技术

本发明专利技术公开了一种籽晶的铺设方法，所述籽晶的铺设方法包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。根据本发明专利技术的籽晶的铺设方法，一方面，可以避免多个第一籽晶相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙进入籽晶阵列，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。升晶体硅的质量。升晶体硅的质量。

【技术实现步骤摘要】
籽晶的铺设方法


[0001]本专利技术涉及晶体硅铸锭
，尤其是涉及一种籽晶的铺设方法。

技术介绍

[0002]铸锭单晶(cast-mono wafer)是指采用多晶铸锭炉在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶的硅片。其中，单晶籽晶对铸造单晶的晶体硅质量起决定性作用。
[0003]相关技术中，籽晶层整体的四周由于受到应力容易产生多晶，导致铸造单晶四周有较多的多晶，且籽晶之间在铸锭过程中容易相互挤压导致生成位错，从而导致晶体硅的质量较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种籽晶的铺设方法，可以避免籽晶之间相互挤压生成位错，且可以避免产生多晶，从而可以提高晶体硅的质量。
[0005]根据本专利技术实施例的籽晶的铺设方法，包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。
[0006]根据本专利技术实施例的籽晶的铺设方法，通过使相邻两个第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙，并在籽晶阵列的至少一个侧边处铺设第二籽晶且使至少一个第二籽晶覆盖至少一个第一间隙的至少一部分，一方面，可以避免多个第一籽晶相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙进入籽晶阵列，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述第二籽晶包括沿所述籽晶阵列的所述侧边的延伸方向依次设置的多个子籽晶。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶一一对应。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，每个所述子籽晶包括沿朝向所述籽晶阵列的中心依次设置的第一籽晶条和至少一个第二籽晶条，多个所述子籽晶中相邻两个所述第二籽晶条彼此间隔开以限定出第二间隙，所述第二间隙与对应的所述第一间隙连通，多个所述子籽晶中相邻两个所述第一籽晶条接触。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述第一间隙的宽度为h1、所述第二间隙的宽度为h2，其中，所述h1、h2满足：0.5mm≤h1≤5mm，0.5mm≤h2≤5mm。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，每个所述子籽晶中的相邻两个所述籽晶条接触。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶沿所述侧边的延伸方向错开设置，以使每个所述子籽晶覆盖至少一个所述第一间隙。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，每个所述子籽晶的端面与对应的所述第一籽晶的端面错开的距离为a，其中，所述a满足：0.5mm≤a≤5mm。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，多个所述子籽晶间隔设置，每个所述子籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的多个第三籽晶条。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，每个所述子籽晶中的相邻两个所述第三籽晶条接触。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述第二籽晶为多个，所述籽晶阵列的四个侧边分别设有至少一个所述第二籽晶。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述籽晶阵列的四个角中的至少一个处设有籽晶块，所述籽晶块位于相邻两个所述第二籽晶的端部之间。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一籽晶为方形籽晶，每个所述第一籽晶的边长为L，其中，所述L满足：125mm≤L≤210mm。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述第二籽晶的长度为b，所述第二籽晶的宽度为c，其中，所述b、c满足：125mm≤b≤210mm,5mm≤c≤40mm。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一籽晶的厚度为s1，所述第二籽晶的厚度为s2，其中，所述s1、s2满足：5mm≤s1≤30mm，5mm≤s2≤30mm。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，多个所述第一籽晶呈X行Y列阵列排布，其中，所述X、Y分别满足：4≤X≤9，4≤Y≤9。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述第二籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的N个第四籽晶条，其中，所述N满足：1≤N≤5。
[0023]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0024]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0025]图1a是根据本专利技术实施例的籽晶的铺设方法的流程示意图；
[0026]图1b是根据本专利技术实施例的籽晶阵列和第二籽晶的结构示意图；
[0027]图2是根据本专利技术一个实施例的籽晶阵列和第二籽晶的局部结构示意图；
[0028]图3是根据本专利技术另一个实施例的籽晶阵列和第二籽晶的局部结构示意图。
[0029]附图标记：
[0030]1：籽晶阵列；11：第一籽晶；12：第一间隙；13：籽晶块；
[0031]2：第二籽晶；21：子籽晶；211：第一籽晶条；
[0032]212：第二籽晶条；213：第二间隙；214：第三籽晶条。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0034]下面参考图1a-图3描述根据本专利技术实施例的籽晶的铺设方法。籽晶的铺设方法可以用于铺设单晶籽晶。在本申请下面的描述中，以籽晶的铺设方法用于铺设单晶籽晶为例进行说明。
[0035]如图1a-图3所示，根据本专利技术实施例的籽晶的铺设方法，包括：
[0036]以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶11以构成籽晶阵列1，并使相邻两个第一籽晶11之间彼此间隔开以限定出第一间隙12。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。由此，可以避免由于铸锭过程多个第一籽晶11相互挤压产生应力而在高温下生成位错，从而避免缺陷的产生，可以提高晶体硅质量。
[0037]例如，在图1b的示例中示出了二十五个第一籽晶11，二十五个第一籽晶11可以呈五行五列的矩形阵列排布。可以理解的是，图1b中显示了二十五个第一籽晶11用于示例说明的目的，但是普通技术人员在阅读了本申请的技术方案之后、显然可以理解将该方案应用到其它数量的第一籽晶11的技术方案中，这也落入本专利技术的保护范围之内。
[0038]在籽晶阵列1的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶2，并使第二籽晶2沿籽晶阵列1的上述至少一个侧边延伸，且至少一个第二籽晶2覆盖至少一个第一间隙12的至少一部分。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。2.根据权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二籽晶包括沿所述籽晶阵列的所述侧边的延伸方向依次设置的多个子籽晶。3.根据权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶一一对应。4.根据权利要求3所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述子籽晶包括沿朝向所述籽晶阵列的中心依次设置的第一籽晶条和至少一个第二籽晶条，多个所述子籽晶中相邻两个所述第二籽晶条彼此间隔开以限定出第二间隙，所述第二间隙与对应的所述第一间隙连通，多个所述子籽晶中相邻两个所述第一籽晶条接触。5.根据权利要求4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度为h1、所述第二间隙的宽度为h2，其中，所述h1、h2满足：0.5mm≤h1≤5mm，0.5mm≤h2≤5mm。6.根据权利要求4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述子籽晶中的相邻两个所述籽晶条接触。7.根据权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶沿所述侧边的延伸方向错开设置，以使每个所述子籽晶覆盖至少一个所述第一间隙。8.根据权利要求7所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述子籽晶的端面与对应的所述第一籽晶的端面错开的距离为a，其中，所述a满足：0....

【专利技术属性】
技术研发人员：黎晓丰，陈伟，李林东，唐珊珊，王全志，
申请(专利权)人：包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：