高速烧制用导体膏制造技术

本发明专利技术提供一种高速烧制用导体膏，其为被供给在陶瓷生片上，与该生片一起，以从室温到最高烧制温度的升温速度为６００℃／ｈｒ以上的高速升温条件进行烧制的高速烧制用导体膏。该膏作为导体形成用粉末材料，含有以镍粉末为主要成分的导电性金属粉末、和作为添加剂的平均粒径为１０ｎｍ～８０ｎｍ的钛酸钡类陶瓷粉末。相对于１００质量份的上述导电性金属粉末，上述陶瓷粉末的含量是５～２５质量份。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在叠层陶瓷电容器和其它陶瓷电子部件(包括各种电路元件)中形成导体(内部电极等)的用途中使用的导体膏。 另外，本申请主张基于2007年9月26日申请的日本专利申请第2007—249070号的优先权，将该申请的全部内容写入本说明书中作为参照。
技术介绍
随着近年来电子机器的小型化、精密化，希望在其中使用的叠层陶瓷电容器(以下称为“MLCC”)等陶瓷电子部件的小型化、高容量化和高性能化。作为用于实现该目的的方案之一，可以列举出使陶瓷电子部件所具备的电极或配线等膜状导体(通常称为形成为薄层状的导体，下同)高性能化的方案。 形成上述膜状导体的一个代表性的方法为，在陶瓷生片(未烧制的陶瓷基材)上供给使导电性金属粉末分散在适当介质(媒介物)中的导体膏，然后将该供给的导体膏与上述生片一起进行烧制(同时烧制)，得到具有膜状导体的烧结体的方法。作为形成MLCC的内部电极的导体膏，优选使用上述导电性金属粉末主要为镍粉末(指由镍或以镍为主要成分的合金构成的金属粉末，以下也记为“Ni粉末”)的导体膏。作为关于MLCC的制造中使用的导体膏的现有技术文献，可以列举出日本专利申请公开第2000本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高速烧制用导体膏，其为被供给在陶瓷生片上，与该生片一起，以从室温到最高烧制温度的升温速度为６００℃／ｈｒ以上的高速升温条件进行烧制的高速烧制用导体膏，其特征在于：　作为导体形成用粉末材料，含有以镍粉末为主要成分的导电性金属粉末、和作为添加剂的平均粒径为１０ｎｍ～８０ｎｍ的钛酸钡类陶瓷粉末，　相对于１００质量份的所述导电性金属粉末，所述陶瓷粉末的含量是５～２５质量份。

【技术特征摘要】
JP 2007-9-26 2007-2490701.一种高速烧制用导体膏，其为被供给在陶瓷生片上，与该生片一起，以从室温到最高烧制温度的升温速度为600℃/hr以上的高速升温条件进行烧制的高速烧制用导体膏，其特征在于作为导体形成用粉末材料，含有以镍粉末为主要成分的导电性金属粉末、和作为添加剂的平均粒径为10nm～80nm的钛酸钡类陶瓷粉末，相对于100质量份的所述导电性金属粉末，所述陶瓷粉末的含量是5～25质量份。2.如权利要求1所述的导体膏，其特征在于所述导电性金属粉末的平均粒径是0.05μm～0.5μm。3.如权利要求1所述的导体膏，其特征在于当将所述导体膏供给在陶瓷生片上，按照以3600℃/hr的升温速度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉村健一，平尾和久，
申请(专利权)人：诺利塔克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]