叠层陶瓷电子元件的制造方法技术

不受由烧成时陶瓷积层体产生的有机物分解气的影响，保持烧成炉内的环境气氛稳定。具有对在内部由陶瓷层７和内部电极５，６数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体３进行烧成的工序。在该烧成工序中，相对于单位时间内送入烧成炉内的陶瓷积层体３的有机物量，以２００～１２００Ｌ／ｇ，最好３００～９００Ｌ／ｇ的环境气流量比，一边将环境气通入烧成炉２１内，一边在烧成炉２１内对陶瓷积层体１３进行烧成。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于积层陶瓷电容器等，特别是关于将未烧成陶瓷积层体进行烧成制造积层陶瓷电子元件的方法。在制造积层陶瓷电子元件的过程中，对未烧成的陶瓷积层体进行烧成时，一般使用隧道式炉。从降低电极原材料价格等目的出发，开发了具有由Ni等贱金属膜构成内部电极的积层陶瓷电子元件。在这样的积层陶瓷电子元件中，为了防止因内部电极氧化引起内部电阻的增大，为获得所要求的特性，必须在还原性或中性环境气中进行烧成。为此，多年来开发、利用在还原性或中性环境气中进行烧成的各种环境气的隧道炉。在这些环境气的隧道炉中，使用了用棚板的台架，将陶瓷积层体载置在棚板上，以此状态将台架送入隧道炉内，对陶瓷积层体进行烧成。然而，当在炉内有环境气存在下对未烧成的陶瓷积层体进行烧成时，由于热，陶瓷积层体会产生分解的气体状有机物，使烧成炉内的环境气部分发生变化，结果产生的问题是由于载置处所的不同，使烧成后的积层电容器产生烧成偏差。本专利技术的目的是提供一种制造方法，在对陶瓷积层体烧成时，即使由陶瓷积层体产生有机物，也能不受其影响，而保持烧成炉内的环境气稳定，据此能减少烧成偏差，结果能制造出电特性偏差很小的积层陶瓷电子元件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层（７）和内部电极（５）、（６）的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体（３）进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体（３）的有机物量，以２００－１２００Ｌ／ｇ的环境气流量比，将环境气通入烧成炉（２１）内，同时在烧成炉（２１）内对陶瓷积层体（３）进行烧成。

【技术特征摘要】
JP 1999-6-30 186315/99;JP 1999-8-11 227129/991．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层(7)和内部电极(5)、(6)的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，以200-1200L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉(21)内，同时在烧成炉(21)内对陶瓷积层体(3)进行烧成。2．根据权利要求1记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，环境气的流量比为300～900L/g。3．根据权利要求1或2中记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是使烧成炉(21)内的环境气与陶瓷积层体(3)的送入方向相反的方向通入。4．根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：大盐稔，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]