【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种能够提高介电常数和降低介电损耗，并且当电介质层很薄时，也具有极好的电容-温度特性的多层陶瓷片状电容器，及其制备方法。多层陶瓷片状电容器广泛用作电子元件，由于其尺寸小，电容大以及可靠性高。大量的也用于单个的电子装置。近年来，随着装置的尺寸逐渐减小和性能逐渐增高，迫切要求进一步减小多层陶瓷片状电容器的尺寸，提高电容，并且提高可靠性。多层陶瓷片状电容器通常是通过层叠法、印刷法等将内电极糊剂和绝缘材料糊剂叠加，并且将其共焙烧而制备的。通常Pd或Pd合金用作内电极的导电材料。Pd成本高，所以现在使用比较便宜的Ni或Ni合金或其他碱金属。当使用碱金属作为内电极的导电材料时，如果在空气中焙烧的话，内电极层结果氧化，因此有必要将电介质层和内电极层在还原气氛中共焙烧。但是，如果在还原气氛中焙烧的话，电介质层被还原，其电阻率结果变得更低。因此，正在开发一种非还原绝缘材料。为了减小多层陶瓷片状电容器的尺寸和/或提高其电容，有必要使电介质层变得更薄和/或增加层的数量。而且，有必要使用具有高介电常数的绝缘材料。此时，降低了层的厚度，而使层与层之间小于3μm。但是，如...
【技术保护点】
一种制备多层陶瓷片状电容器的方法，该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体，该方法包括：使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层，在Ｘ－射线衍射图形中，该粉末组分的（２００）面的衍射线的峰强度Ｉ↓［（２００）］相对于（００２）面的衍射线的峰点的角与（２００）面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度Ｉｂ的比值Ｉ↓［（２００）］／Ｉｂ为４－１６。
【技术特征摘要】
JP 2000-3-31 98507/00;JP 2001-2-22 46406/011．一种制备多层陶瓷片状电容器的方法，该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体，该方法包括使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层，在X-射线衍射图形中，该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度I(200)相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度Ib的比值I(200)/Ib为4-16。2．一种如权利要求1所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中钛酸钡的粉末组分在其中混入焙烧后形成第一亚成分即氧化硅的第一亚成分组分。3．一种如权利要求2所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中当焙烧后通过将包含于电介质层中的钛酸钡转换成BaTiO3，氧化硅转换成SiO2来计算摩尔比时，第一亚成分与100摩尔的主要成分BaTiO3的摩尔比不小于2摩尔，且不大于12摩尔。4．一种如权利要求1所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中钛酸钡的粉末组分在其中混入焙烧后形成其中R是选自Sc、Y、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素类型的第二亚成分即R氧化物的第二亚成分组分。5．一种如权利要求4所述的制备多层片状电容器的方法，其中当焙烧后通过将包含于电介质层中的钛酸钡转换成BaTiO3，和R氧化物转换成R2O3来计算摩尔比时，第二亚成分与100摩尔的主要成分BaTiO3的摩尔比为从0至不大于5摩尔。6．一种如权利要求1所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中钛酸钡的粉末组分在其中混入焙烧后形成第三亚成分即氧化镁、氧化锌和氧化铬中的至少一种的第三亚成分组分。7．一种如权利要求6所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中当焙烧后通过将包含于电介质层中的钛酸钡转换成BaTiO3，氧化镁转换成MgO、氧化锌转换成ZnO和氧化铬转换成1/2(Cr2O3)来计算摩尔比时，第三亚成分与100摩尔的主要成分BaTiO3的摩尔比为从0至不大于3摩尔。8．一种如权利要求1所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中钛酸钡粉末组分在其中混入焙烧后形成第四亚成分即氧化锰的第四亚成分组分。9．一种如权利要求8所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中当焙烧后通过将包含于电介质层中的钛酸钡转换成BaTiO3，和氧化锰转换成MnO来计算摩尔比时，第四亚成分与100摩尔的主要成分BaTiO3的摩尔比为从0至不大于1摩尔。10．一种如权利要求1所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中钛酸钡的粉末组分在其中混入焙烧后形成第五亚成分即氧化钡、氧化钙和氧化锶中的至少一种的第五亚成分组分。11．一种如权利要求10所述的制备多层陶瓷片状电容器的方法，其中当焙烧后通过将包含于电介质层中的钛酸钡转换成BaTiO3，氧化钡转换成B...
【专利技术属性】
技术研发人员：增宫薰里，增田健，野村武史，中野幸惠，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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