单片陶瓷电子元件及其制造方法技术

提供一种单片陶瓷电子元件以及制造方法。该单片陶瓷电子元件具有烧结电极层、中间电镀层和镀层依次层叠的外电极，在高温载荷测试中不会轻易产生绝缘电阻失效并且具有高度的可靠性。在具有内电极（２）和（３）的陶瓷烧结体（４）的两个边缘表面（４ａ）和（４ｂ）上，形成有外电极（５）和（６）。外电极（５）和（６）的每一个都具有烧结电极层（５ａ）和（６ａ）、中间电解镀层（５ｂ）和（６ｂ）以及电解镀层（５ｃ）和（６ｃ）依次层叠的结构。在烧结电极层（５ａ）和（６ａ）的外表面上，显露出基于在烧结电极层中包含的玻璃磨料的绝缘氧化物（７）的显露表面部分（７ａ）。在金属（８）淀积在显露表面部分（７ａ）上的条件下，采用电解镀敷来形成中间电解层（５ｂ）和（６ｂ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及诸如单片电容器的单片陶瓷电子元件以及制造这些元件的方法。本专利技术特别涉及到包括采用电镀层置于烧结层之上结构的外电极的单片电子元件，并且还涉及到制造该元件的方法。
技术介绍
众所周知，诸如单片陶瓷电容器等的单片陶瓷电子元件都具有一种将多个镀层排列在烧结电极层上的结构。例如，在如下引用的专利文献1中揭示的已知技术中，例如，由Ni制成的中间电镀层置于具有一定后的烧结层上，并且由Sn或Sn合金制成的镀层置于中间电镀层上。这是因为由Sn或Sn合金制成的镀层在可焊性上有所加强，并且中间电镀层可用于防止烧结电极层的氧化和焊料腐蚀。众所周知，如果在形成中间电镀层和外部镀Sn层的步骤中，电镀液穿透烧结电极层，则单片陶瓷电容器的各种属性就会变差。特别是在包括在内电极之间设置的多个薄的陶瓷层的大容量单片陶瓷电容器中，会出现一个问题在镀Sn层形成之后，在高温载荷测试期间其可靠性会降低。这可能是因为烧结电极层没有被由Ni制成的中间电镀层完全覆盖住。即，用于形成镀Sn层的电镀液可能流经镀Ni层中的缝隙，溶解了在烧结电极层中包含的诸如玻璃的氧化物，穿透过烧结电极层而到达陶瓷体。这样会导致绝缘电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片陶瓷电子元件，包括第一外电极、第二外电极、以及包括一内电极的单片陶瓷组件，所述第一和第二外电极置于所述单片陶瓷组件的两个端面上，其中，每个所述外电极包括：置于所述单片陶瓷组件上并包含氧化物的相应烧结电极层，每一个都置于相应烧 结电极层上的中间电镀层，以及每一个都置于相应中间电镀层上的镀层；所述氧化物出现在所述烧结电极层的表面部分；所述氧化物具有从所述烧结电极层中显露的外露表面区域；并且所述外露表面区域具有置于其上的金属，它作为形成覆盖所述外露表面区域的中间电镀层的晶核。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-2-27 054807/20041.一种单片陶瓷电子元件，包括第一外电极、第二外电极、以及包括一内电极的单片陶瓷组件，所述第一和第二外电极置于所述单片陶瓷组件的两个端面上，其中，每个所述外电极包括置于所述单片陶瓷组件上并包含氧化物的相应烧结电极层，每一个都置于相应烧结电极层上的中间电镀层，以及每一个都置于相应中间电镀层上的镀层；所述氧化物出现在所述烧结电极层的表面部分；所述氧化物具有从所述烧结电极层中显露的外露表面区域；并且所述外露表面区域具有置于其上的金属，它作为形成覆盖所述外露表面区域的中间电镀层的晶核。2.如权利要求1所述的单片陶瓷电子元件，其特征在于，在所述氧化物的外露表面区域和所述中间电镀层之间出现的金属，其硬度小于所述氧化物的硬度。3.如权利要求1或2所述的单片陶瓷电子元件，其特征在于，在所述氧化物的外露表面区域和所述中间电镀层之间出现的金属，其电离倾向低于所述中间电镀层中所含金属的电离倾向。4.如权利要求1或2所述的单片陶瓷电子元件，其特征在于，所述中间电镀层是镀Ni层。5.如权利要求1或2所述的单片陶瓷电子元件，其特征在于，在所述氧化物的外露表面区域和所述中间电镀层之间出现的金属是由Sn或Sn合金制成的。6.一种用于制造单片陶瓷电子元件的方法，所述单片陶瓷电子元件包括第一外电极、第二外电极以及包括延伸到其端面上的内电极的单片陶瓷组件，所述第一和第二外电极置于所述单片陶瓷组件的两个端面上，所述方法包括通过将包含氧化物的导电膏涂在单片陶瓷组件上然后热处理所述膏来形成烧结电极层的步骤；将金属淀积在从所述烧结电极层的表面部分显露出的氧化物外露表面区域的步骤，所述金属用作形成覆盖所述氧化物外...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀江重之，同前友宏，野路孝志，古泽达雄，河合孝明，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]