电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种小型、且可实现电容密度提高、制造过程简化、ＥＳＬ降低的电容器及其制造方法。电容器元件１２由具有规定厚度的电介质１４、其表面１４Ａ上形成的一对大致成梳型的表面电极１６、２０、和多个大致成柱状的内部电极１８、２２构成，所述内部电极１８、２２一端与上述表面电极１６、２０连接，另一端向电介质１４厚度方向延长。由于在电介质１４中形成孔后向该孔中填充电极材料，所以制造过程简化。另外，由于内部电极１８、２２纵横比高，所以使决定电容的面积增加，可以实现电容器１０的高电容化。进而，由于交替配置上述梳齿状部１６Ａ、２０Ａ，所以在同一面的最近处电流方向相反，磁场抵消的效果大，ＥＳＬ大幅度降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体而言，本专利技术涉及一种电容密度提高、制造过程简化、ESL (等效串联电感)降低的电 容器及其制造方法。
技术介绍
作为目前广泛使用的电容器，已知有Al电解电容器或层合陶瓷电 容器。Al电解电容器中使用电解液，故存在漏液等问题。另外，层合陶 瓷电容器中必须进行烧成，存在电极和电介质间的热收缩等问题。作为 实现小型且大电容的电容器的技术，例如有下述专利文献1所述的层合 电子部件的制造方法、或专利文献2所示的。上述专利文献l中公开了一种层合电子部件的制造方法，所述层合 电子部件具有配置多个内部电极使其通过陶瓷层相互对置的结构。具体 而言，所述制造方法具有以下工序在基体上形成金属膜的工序；通过 光刻法修整上述金属膜形成作为内部电极的规定电极图案的工序；和采 用干式电镀法在上述电极图案的空隙部形成作为功能元件部的陶瓷的 工序。另外，上述专利文献2中公开了下述电容器。具体而言，所述电 容器包括以下部分在半导体基板上形成的第1电极，所述第1电极包 含第1通孔(via)和与该第1通孔连接的金属层，与上述半导体基板的 第1区域电连接；在上述半导体基板上形成的第2电极，所述第2电极 包含第2通孔和与该第2通孔连接的金属层，与上述半导体基板的第2 区域电连接；在上述第1电极和第2电极间配置的高介电常数电介质。[专利文献l]特开平9-45577号公报[专利文献2]特表2006- 512787公报然而，上述
技术介绍
存在以下课题。首先，上述专利文献l所述的 技术，通过蚀刻基体上形成的金属膜形成电极。因此，难于使Z方向(厚 度方向)的纵横比增加。另外，上述专利文献2所述的技术也通过蚀刻 形成电极，因此也难于使Z方向的纵横比增加。如上所述，在通过蚀刻 形成电极的技术中，存在难于使电极部的Z方向的纵横比增加、难以使 规定电容的面积增大的课题。
技术实现思路
本专利技术着眼于以上问题，其目的在于提供一种小型、且可提高电容 密度的。另外，本专利技术的目的还在于提供一种可简本专利技术的第1技术手段涉及一种电容器，所述电容器具有由金属的阳极氧化物形成的具有规定厚度的电介质；在该电介质的同一主面上形 成的、多个梳齿状部的一端侧与基部连接的大致成梳型的一对表面电 极；和一端与该一对表面电极的各梳齿状部连接、另一端沿着上述电介 质的厚度方向延长的大致成柱状的多个内部电极。并且在上述电介质表 面设置上述一对表面电极，使各梳齿状部通过上述电介质交替地平行排 列。作为主要方案之一的电容器中，上述内部电极的另一端在与上述表 面电极形成面对置的电介质主面上露出，同时在该电介质主面上设置绝 缘层。由此可以实现上述目的。根据本专利技术，在由金属的阳极氧化物构成的具有规定厚度的电介质 的表面，形成一对大致成梳型的表面电极，使各梳齿状部以规定的间隔 交替地平行排列，同时设置一端与上述梳齿状部连接、另一端向上述电 介质厚度方向延长的大致成柱状的多个内部电极。因此，能够增加决定 电容的面积，实现高电容化。另外，本专利技术具有以下效果，即，与不同表面电极连接的各内部电 极由于电流方向相反，所以磁场抵消的效果增大，可以降低ESL。本专利技术的第2技术手段涉及一种电容器的制造方法，包含如下工序 工序1:在具有规定厚度的金属基材的主面形成多个梳齿状部的一端侧与基部连接的大致成梳型的的 一对凹状图案，使各梳齿状部通过上述金属基材交替地平行排列；工序2:将上述金属基材阳极氧化，形成具有 从上述凹状图案的梳齿状部向上述金属基材的厚度方向延长的多个孔 的电介质。还包含工序3:使上述电介质中形成的孔的端部开口在上述 电介质主面，同时在上述电介质主面形成覆盖该开口的种子层(Seed Layer);工序4:利用上述种子层，在上述孔的内侧埋入导电体，形成 大致成柱状的内部电极。还包含工序5:除去上述种子层的同时，在上 述一对凹状图案内设置导电体，形成大致成梳型的一对表面电极，使沿 着各凹状图案的梳齿状部排列的多个内部电极导通。由此可以实现上述 目的。根据本专利技术，在电介质中形成孔后填充电极材料，故制造过程简化。 作为主要方案之一的电容器的制造方法还包含工序6:用绝缘体被 覆在上述工序5中除去种子层后露出的电介质的主面。通过以下的详细 说明及附图可以明确本专利技术的上述及其它目的、特征及优点。附图说明[图1]表示本专利技术的实施例1, (A)为表示电容器元件的电极结构的 斜视图，(B)为电容器的外观斜^L图。[图2]表示上述实施例1的制造工序的一例。[图3]表示上述实施例1的制造工序的一例。 [符号i兌明]10:电容器12:电容器元件14:电介质14A:表面14B:背面16, 20:表面电才及16A, 20A:梳齿状部16B, 20B:基部18, 22:内部电才及 24:绝缘体层 26A, 26B:导体图案 28A， 28B:导线 30:基材 30A:表面 32， 34:凹状图案 32A, 34A:梳齿状部 32B， 34B:基部 36:孑L (hole) 36A, 36B:端部 38:种子层具体实施方式以下，基于实施例详细地说明用于实施本专利技术的最佳方案。 [实施例1]首先，参考图1~图3说明本专利技术的实施例1。图l(A)为表示本实 施例的电容器元件的电极结构的斜视图，图l(B)为本实施例的电容器的 外观斜视图。图2及图3表示本实施例的制造工序的一例。如图1所示， 本实施例的电容器IO以长方体状电容器元件12为中心构成。上述电容 器元件12由以下部分构成，即，具有规定厚度的电介质14;在该电介 质14的表面14A上形成的一对大致成梳型(交叉指型)的表面电极16、 20;从上述表面电极16、 20向上述电介质14的背面14B延长的多个大 致成柱状的内部电极18、 22。可以根据需要在电介质背面14B上设置绝 缘体层24。上述电介质14通过金属基材的阳极氧化处理形成，上述内部电极 18、 22通过在沿上述电介质14的厚度方向形成的孔36 (参见图2(C)) 中填充电极材料而形成。上述内部电极18、 22纵横比大(即，z方向具 有高纵横比)，能够增加决定电容的面积。另外，上述表面电极16中大致平行地排列的多个为线状的梳齿状部16A的一端侧与和该梳齿状部 16A大致垂直的基部16B连接。另一表面电极20也相同地使多个梳齿 状部20A的一端侧与基部20B连接。上述表面电极16、 20形成在上述 电介质表面14A上，使橫L齿状部16A、 20A二者通过电介质14以身见定 的间隔交替排列。如图l(B)所示，上述结构的电容器元件12通过与上 述表面电极16、 20的基部16B、 20B连接的导体图案26A、 26B,与导 线28A、 28B等连接，引出到外部。需要说明的是，为了便于引出，上 述基部16B、 20B实际如图l(B)所示大范围地形成。作为上述电介质14,可以4吏用阀金属(例如，Al、 Ta、 Nb、 Ti、 Zr、 Hf、 Zn、 W、 Sb等)的氧化物，作为表面电极16及20，可以使用 各种金属(例如，Cu、 Ni、 Cr、 Ag、 Au、 Pd、 Fe、 Sn、 Pb、 Pt、 Ir、 Rh、 Ru、 Al等)。另外，作为内部电极18及22,可以使用上述的各种金属， 特别是可以使用可电镀的金属(Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，其特征在于，所述电容器具有以下部分，由金属的阳极氧化物形成的具有规定厚度的电介质；在该电介质的同一主面上形成的、多个梳齿状部的一端侧与基部连接的大致成梳型的一对表面电极；和　一端与该一对表面电极的各梳齿状部连接、另一端向所 述电介质厚度方向延长的大致成柱状的多个内部电极；在所述电介质表面设置所述一对表面电极，所述一对表面电极的各梳齿状部通过所述电介质交替地平行排列。

【技术特征摘要】
JP 2007-6-14 2007-158084;JP 2008-4-23 2008-1132561、一种电容器，其特征在于，所述电容器具有以下部分，由金属的阳极氧化物形成的具有规定厚度的电介质；在该电介质的同一主面上形成的、多个梳齿状部的一端侧与基部连接的大致成梳型的一对表面电极；和一端与该一对表面电极的各梳齿状部连接、另一端向所述电介质厚度方向延长的大致成柱状的多个内部电极；在所述电介质表面设置所述一对表面电极，所述一对表面电极的各梳齿状部通过所述电介质交替地平行排列。2、 如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述内部电极的另 一端在与形成所述表面电才及的面相对的电介质主面上露出，同时在该电 介质主面设置绝缘层。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田秀俊，河野健二，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]