【技术实现步骤摘要】
半导体装置的电容器及用于其的分布式模型电路
[0001]本文公开的技术和实现总体上涉及半导体装置的电容器以及用于该电容器的分布式模型电路，并且更具体地涉及一种用于包括用于减小噪声的电容器的半导体装置的技术。
技术介绍
[0002]能够极大地影响半导体装置的性能或吞吐量的重要变量包括更高的集成度、更低的操作电压和更高的操作速度。近年来，随着设计为以较低电压操作的半导体装置的数量迅速增加，这种半导体装置也需要各种电源电压。然而，当通过接收电源电压使半导体装置通电时，在半导体装置中不可避免地出现噪声，并且这种噪声可能改变半导体装置的信号传输(Tx)特性(即，延迟值)。近来，已经在半导体装置的外围电路区域中形成用于消除噪声的一个或更多个大体积电容器(即，大容量电容器)。
技术实现思路
[0003]所公开的技术的各种实施方式涉及半导体装置的电容器及用于该电容器的分布式模型电路，其能够将由电容器的布线图案引起的电阻变化反映在等效串联电阻(ESR)中。
[0004]根据所公开的技术的实施方式，一种半导体装置的电容器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的电容器，该半导体装置的电容器包括：下电极层；多个上电极层，所述多个上电极层在第三方向上设置在所述下电极层上方；多个电介质层，所述多个电介质层设置在所述下电极层和所述多个上电极层中的每一个之间，每个电介质层被配置为包括多个储存节点；多个配线层，所述多个配线层设置在所述多个上电极层中的至少一个上电极层上方，并且被配置为接收用于测量等效串联电阻ESR的电压；以及多个接触件，所述多个接触件将所述多个配线层电联接至所述多个上电极层中的所述至少一个上电极层，其中，由所述多个配线层和所述多个接触件在布线图案中的位置信息所导致的电阻对应于所述等效串联电阻ESR。2.根据权利要求1所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个上电极层中的每一个还包括：延伸区域，所述延伸区域从边缘区域沿第二方向延伸，其中，所述延伸区域在所述第三方向上与所述下电极层不交叠。3.根据权利要求2所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个配线层在所述第三方向上设置在所述多个上电极层中的所述至少一个上电极层的所述延伸区域上方。4.根据权利要求1所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个配线层设置在所述多个上电极层的中央区域中，并且在所述多个上电极层上方沿第一方向延伸。5.根据权利要求1所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个配线层被设置为在第一方向上穿越所述多个上电极层。6.根据权利要求1所述的半导体装置的电容器，其中，被配置为接收用于测量ESR的电压的所述多个配线层在沿第一方向延伸的同时彼此平行地设置于所述多个上电极层上方，并且所述多个配线层中的每一个具有线形状。7.根据权利要求6所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个配线层在第二方向上彼此间隔开预定距离。8.根据权利要求1所述的半导体装置的电容器，其中，所述多个上电极层包括：第一上电极层，所述第一上电极层在所述第三方向上设置于所述下电极层上方；以及第二上电极层，所述第二上电极层在所述第三方向上设置于所述下电极层上方，并在第一方向上与所述第一上电极层间隔开预定距离。9.根据权利要求8所述的半导体装置的电容器，其中，第一配线层被配置为接收第一电压作为输入，并通过第一接触件电联接至所述第一上电极层，并且第二配线层被配置为接收第二电压作为输入，并通过第二接触件电联接至所述第二上电极层。10.根据权利要求9所述的半导体装置的电容器，其中，所述第一电压和所述第二电压具有不同的电压电平。
11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵雄基，全庸济，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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