层叠电感器制造技术

本发明专利技术提供一种能够提高直流叠加特性，并且能够防止电感值的降低的层叠电感器。利用以阻碍通过线圈内侧的磁通的方式配置的磁通通过抑制层（１１ｃ）来抑制磁通密度的增加，因此，能够抑制在外加了直流电流时的磁饱和而提高直流叠加特性。而且，通过使磁通通过抑制层（１１ｃ）的线圈中心部分的厚度比导体层近旁部分的厚度薄，能够降低磁通密度低的线圈中心部分的磁阻，防止电感值受该磁阻的影响而降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层叠电感器。
技术介绍
闭磁路型层叠电感器具有形成线圈的多个导体层间隔磁性体层进行了层叠的结构，但在外加预定值以上的直流电流时，发生电感由于磁饱和而降低的现象。这种现象可以通过将闭磁路型层叠电感器变成开磁路而得到改善，具体而言，可以通过如图20所示那样使非磁性的绝缘层体1c夹设于层叠体1的磁性体层1b之间而得到改善。其中，图20中的2为1对外部电极，1a为构成线圈的多个导体层。专利文献1日本特开昭56-155516号公报
技术实现思路
使非磁性的绝缘体层1c存在于磁性体层1b之间的图20的层叠电感器，能够利用非磁性体的绝缘层1c来抑制磁饱和，提高直流叠加特性。但是，当存在于磁性体层1b之间的非磁性的绝缘体层1c的厚度均匀时，存在如下的问题，即在磁通密度低的线圈中心部分磁阻也高，导致电感值受该磁阻的影响而降低。本专利技术是鉴于上述情况而作出的，目的在于提供一种能够提高直流叠加特性，并且能够防止电感值的降低的层叠电感器。为了实现上述目的，本专利技术提供一种层叠电感器，具有形成线圈的多个导体层间隔磁性体层进行了层叠的结构，其特征在于，以阻碍通过线圈内侧的磁通的方式设置至少1个磁通通过抑制层，该磁通通过抑制层的线圈中心部分的厚度比导体层近旁部分的厚度薄。按照该层叠电感器，利用以阻碍通过线圈内侧的磁通的方式配置的磁通通过抑制层来抑制磁通密度的增加，因此，能够抑制在外加了直流电流时的磁饱和，提高直流叠加特性。而且，通过使磁通通过抑制层的线圈中心部分的厚度比导体层近旁部分的厚度薄，能够降低磁通密度低的线圈中心部分的磁阻，防止电感值受该磁阻的影响而降低。按照本专利技术，能够提高直流叠加特性，而且，能够防止电感值的降低。本专利技术的上述目的和除此之外的目的、结构特征、以及作用效果，将由以下的说明和附图得到明确。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的层叠电感器的斜视图。图2是图1的a1-a1线剖视图。图3是图1的a2-a2线剖视图。图4是图1所示的层叠体的分解斜视图。图5是表示图1所示的层叠电感器的制造步骤的一部分的部分斜视图。图6是表示图1所示的层叠电感器的制造步骤的一部分的部分斜视图和a3-a3线剖视图。图7是表示图1所示的层叠电感器的直流叠加特性的图。图8是表示图1所示的层叠电感器的电感变化率的图。图9是表示制造步骤的变形例的部分斜视图。图10是表示制造步骤的变形例的部分斜视图和a4-a4线剖视图。图11是表示制造步骤的其他变形例的剖视图。图12是表示本专利技术的第2实施方式的层叠电感器的斜视图。图13是图12的b1-b1线剖视图。图14是图12的b2-b2线剖视图。图15是图12所示的层叠体的分解斜视图。图16是表示图12所示的层叠电感器的制造步骤的一部分的部分斜视图。图17是表示图12所示的层叠电感器的制造步骤的一部分的部分斜视图和b3-b3线剖视图。图18是表示制造步骤的变形例的部分斜视图。图19是表示制造步骤的变形例的部分斜视图和b4-b4线剖视图。图20是表示现有例的层叠电感器的剖视图。具体实施例方式〔第1实施方式〕图1～图11表示本专利技术的第1实施方式。图1是层叠电感器的斜视图，图2是图1的a1-a1线剖视图，图3是图1的a2-a2线剖视图，图4是图1所示的层叠体的分解斜视图，图5和图6是表示图1所示的层叠电感器的制造步骤的一部分的部分斜视图和a3-a3线剖视图，图7是表示图1所示的层叠电感器的直流叠加特性的图，图8是表示图1所示的层叠电感器的电感变化率的图，图9和图10是表示制造步骤的变形例的部分斜视图和a4-a4线剖视图，图11是表示制造步骤的其他变形例的剖视图。首先，参照图1～图3对层叠电感器10的结构进行说明。层叠电感器10，包括长方体形状的层叠体11；和设置于层叠体11的长方向的两端部，由Ag等金属材料构成的外部电极12、12。层叠体11具有构成线圈的多个导体层11a间隔磁性体层11b进行了层叠的结构，以在该层叠体11的层叠方向中央与1个磁性体层11b进行置换的方式夹装有磁通通过抑制层11c。在这里，参照图4说明层叠体11的层结构。层叠体11包括由Ni-Zn-Cu类铁氧体材料等构成的高导磁率的磁性体层S11～S13、S15～S18；和由Zn-Cu类铁氧体材料等构成，导磁率低于磁性体层S11～S13、S15～S18的磁通通过抑制层S14。在各磁性体层S11～S13、S15～S17的上侧，配置有由Ag等金属材料构成的コ字型的线圈用导体层C11～C13、C15～C17。而且，在各磁性体层S11～S13、S15～S16，以与线圈用导体层C11～C13、C15～C16的端部重合的方式形成有用于分别经由磁性体层S11～S13、S15～S16连接上侧与下侧的线圈用导体层的通孔H11～H13、H15～H16。此处，所谓的通孔H11～H13、H15～H16，是指在预先形成于磁性体层的孔中填充了与线圈用导体层相同的材料的通孔。磁性体层S18用于确保上、下部的裕度(margin)，在该磁性体层S18上没有形成线圈导体和通孔。在磁通通过抑制层S14的上侧，配置有由Ag等金属材料构成的コ字型的线圈用导体层C14。而且，在磁通通过抑制层S14，以与线圈用导体层C14的端部重合的方式形成有用于经由磁通通过抑制层S14连接上侧与下侧的线圈用导体层的通孔H14。此处，所谓的通孔H14，是指在预先形成于磁性体层的孔中填充了与线圈用导体层相同的材料的通孔。线圈用导体层C11～C17通过通孔H11～H16连接，构成螺旋状的线圈。在构成线圈的最上面的线圈用导体层C11和最下面的线圈用导体层C17设置有引出部C11a、C17a。各引出部C11a、C17a中的一者与外部电极12、12中的一者连接，另一者与外部电极12、12中的另一者连接。如由图2和图3可以明确的那样，上述磁通通过抑制层11c的线圈中心部分(厚度薄的部分TP)的厚度形成得比导体层近旁部分的厚度薄。具体而言，磁通通过抑制层11c的位于线圈内侧的部分的厚度从导体层近旁部分朝线圈中心部分逐渐变薄。如果要举具体的数值例，则在各磁性体层11b的厚度为大约15μm时，磁通通过抑制层11c的导体层近旁部分的厚度为大约15μm，线圈中心最薄部分的厚度为大约10μm。接着，参照图5和图6对上述层叠电感器10的制造步骤进行说明。其中，表示制造步骤的一部分的图5和图6仅表示对应于1个层叠体的部分。在制造时，制造用于构成高导磁率的磁性体层S11～S13、S15～S18的第1铁氧体片(省略图示)，上述高导磁率的磁性体层S11～S13、S15～S18由Ni-Zn-Cu类铁氧体材料等构成。具体而言，在以FeO2、CuO、ZnO、NiO作为主材料的煅烧粉碎后的铁氧体微细粉末中加入乙基纤维素、萜品醇(terpineol)，将这些进行混合，获得第1铁氧体浆后，利用刮涂法(doctor blade method)等方法将该第1铁氧体浆加工成片(sheet)状，获得第1铁氧体片。此外，制造由Zn-Cu类铁氧体材料等构成，用于构成导磁率低于磁性体层S11～S13、S15～S18的磁通通过抑制层S14的第2铁氧体片F11(参照图6(C))。具体而言，在以FeO2、CuO、ZnO作为主材料的煅烧粉碎后的铁氧体微细粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠电感器，具有形成线圈的多个导体层间隔磁性体层进行了层叠的结构，其特征在于：以阻碍通过线圈内侧的磁通的方式设置至少１个磁通通过抑制层，该磁通通过抑制层的线圈中心部分的厚度比导体层近旁部分的厚度薄。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-5 350557/20051.一种层叠电感器，具有形成线圈的多个导体层间隔磁性体层进行了层叠的结构，其特征在于以阻碍通过线圈内侧的磁通的方式设置至少1个磁通通过抑制层，该磁通通过抑制层的线圈中心部分的厚度比导体层近旁部分的厚度薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：野木谦一郎，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]