【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及层叠陶瓷电子器件和制造层叠陶瓷电子器件的方法。
技术介绍
1、在高频通信系统(诸如移动电话)中使用层叠陶瓷电容器(mlcc)以去除噪声(例如，参见专利文献1、2)。
2、相关现有文献：
3、专利文献1：日本专利申请公开第2008-258468号
4、专利文献2：日本专利申请公开第2014-150240号
技术实现思路
1、近年来，人们越来越需要安装在电子电路板上的更大电容的层叠陶瓷电容器。为增加层叠陶瓷电容器的电容，希望电介质层较薄且多层，并希望增大电介质颗粒的粒径。然而，如果电介质层更薄并且粒径增大，则各个电介质层的颗粒数量会减少，导致担心层叠陶瓷电容器的可靠性恶化，诸如绝缘电阻降低和耐受电压降低。因此，电介质粒径的构造控制变得极其重要。
2、例如，在专利文献1中，靠近内部电极层的外周部的电介质颗粒的平均粒径小于靠近内部电极层的中央部的电介质颗粒的平均粒径，从而防止短路缺陷和可靠性缺陷。专利文献2则提出一种创建位于内部电极层之间的电介质层的最外部、中心部以两者之间的电介质颗粒的粒径的特殊分布来改善cr产品的技术。
3、然而，这些都是用于增大中央部的电介质颗粒的尺寸的技术，并且存在耐受电压变低的问题。
4、本专利技术是鉴于上述问题做出的，本专利技术的目的是提供一种能够提高耐受电压的层叠陶瓷电子器件及其制造方法。
5、本专利技术的附加的或单独的特征和优点将在下面的描述中阐明并且部分地从描
6、为实现这些和其它优点并根据本专利技术的目的，如具体实施和广泛描述的，在一个方面，本专利技术提供一种层叠陶瓷电子器件，其包括：主体，主体包括层叠部，在层叠部中层叠有多个电介质层和多个内部电极层；以及设置在主体的表面上的一对外部电极，其中，在电连接到一对外部电极中的一个外部电极的内部电极层和电连接到一对外部电极中的另一个外部电极的内部电极层彼此面对的电容部中，中央部的电介质层中的电介质颗粒的平均粒径d小于位于中央部的外侧的外周部的至少一部分中的电介质层中的电介质颗粒的平均粒径d。
7、在层叠陶瓷电子器件中，平均粒径d和平均粒径d可以满足1.05≤d/d＜2。
8、在层叠陶瓷电子器件中，平均粒径d和平均粒径d可以是125nm以上且250nm以下。
9、在层叠陶瓷电子器件中，多个电介质层可以具有由通式abo3表示的钙钛矿结构，其中a/b比例为0.90以上且0.98以下。
10、在层叠陶瓷电子器件中，多个电介质层可以包含钛酸钡。
11、在层叠陶瓷电子器件中，多个内部电极层可以由镍或含有镍作为主成分的合金制成。
12、在另一方面，本专利技术提供一种制造层叠陶瓷电子器件的方法，包括以下步骤：获得多个陶瓷生片，每个陶瓷生片通过涂覆浆料而形成，浆料通过将b位固溶元素与具有由通式abo3表示的钙钛矿结构的主材料粉末混合使得a/b比例为0.90以上且0.98以下而获得；在每个陶瓷生片上形成内部电极图案；层叠多个在其上形成有内部电极图案的陶瓷生片以获得层叠结构；在10-5至10-8atm的氧分压和1150℃至1250℃的温度范围下对层叠结构进行烧制以获得主体；以及在主体上形成外部电极。
13、在上述方法中，b位固溶元素可以是钛和锆中的至少一种。
14、在上述方法中，形成外部电极可以包括将外部电极膏施加到层叠结构上；之后，在烧制层叠结构的同时烧制外部电极膏。
15、根据本专利技术，可提供一种能够提高耐受压的层叠陶瓷电子器件及其制造方法。
16、应理解，上述的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的专利技术的进一步说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种层叠陶瓷电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和所述平均粒径D满足1.05≤D/d＜2。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和平均粒径D均为125nm以上且250nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构，并且其中A/B比例为0.90以上且0.98以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层包含钛酸钡。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个内部电极层由镍或含有镍作为主成分的合金制成。
7.一种用于制造层叠陶瓷电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述B位固溶元素是钛和锆中的至少一种。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，形成所述外部电极包括：
【技术特征摘要】
1.一种层叠陶瓷电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和所述平均粒径d满足1.05≤d/d＜2。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和平均粒径d均为125nm以上且250nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层具有由通式abo3表示的钙钛矿结构，并且其中a/b比例为0.90以上且0.98以下。
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