层叠陶瓷电子器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种层叠陶瓷电子器件，包括：主体，主体包括层叠部，在层叠部中层叠有多个电介质层和多个内部电极层；和一对外部电极，一对外部电极设置在主体的表面上，其中，在电连接到一对外部电极中的一个外部电极的内部电极层和电连接到一对外部电极中的另一个外部电极的内部电极层彼此面对的电容部中，中央部的电介质层中的电介质颗粒的平均粒径d小于位于中央部的外侧的外周部的至少一部分中的电介质层中的电介质颗粒的平均粒径D。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层叠陶瓷电子器件和制造层叠陶瓷电子器件的方法。

技术介绍

1、在高频通信系统(诸如移动电话)中使用层叠陶瓷电容器(mlcc)以去除噪声(例如，参见专利文献1、2)。

2、相关现有文献：

3、专利文献1：日本专利申请公开第2008-258468号

4、专利文献2：日本专利申请公开第2014-150240号

技术实现思路

1、近年来，人们越来越需要安装在电子电路板上的更大电容的层叠陶瓷电容器。为增加层叠陶瓷电容器的电容，希望电介质层较薄且多层，并希望增大电介质颗粒的粒径。然而，如果电介质层更薄并且粒径增大，则各个电介质层的颗粒数量会减少，导致担心层叠陶瓷电容器的可靠性恶化，诸如绝缘电阻降低和耐受电压降低。因此，电介质粒径的构造控制变得极其重要。

2、例如，在专利文献1中，靠近内部电极层的外周部的电介质颗粒的平均粒径小于靠近内部电极层的中央部的电介质颗粒的平均粒径，从而防止短路缺陷和可靠性缺陷。专利文献2则提出一种创建位于内部电极层之间的电介质层的最外部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠陶瓷电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和所述平均粒径D满足1.05≤D/d＜2。

3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和平均粒径D均为125nm以上且250nm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构，并且其中A/B比例为0.90以上且0.98以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层包含钛酸钡。

6.根据权利要求1至5中任...

【技术特征摘要】

1.一种层叠陶瓷电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和所述平均粒径d满足1.05≤d/d＜2。

3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述平均粒径d和平均粒径d均为125nm以上且250nm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠陶瓷电子器件，其中，所述多个电介质层具有由通式abo3表示的钙钛矿结构，并且其中a/b比例为0.90以上且0.98以下。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本康宏，森田浩一郎，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：