球形倒装微型LED及其制造方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种球形倒装微型LED及其制造方法、显示面板，其中，球形倒装微型LED包括发光结构体、支撑结构体、第一电极和第二电极和绝缘保护层，所述支撑结构体为透明结构；所述第一电极和所述第二电极与分别与所述发光结构体电连接；所述绝缘保护层覆盖于所述发光结构体，所述发光结构体、所述支撑结构体和所述绝缘保护层组成球体结构。与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：除了设置有发光结构体外，还设置有透明的支撑结构体，通过发光结构体、支撑结构体和绝缘保护层形成设定尺寸球形结构，同时保证球形倒装微型LED的正常发光。同时保证球形倒装微型LED的正常发光。同时保证球形倒装微型LED的正常发光。

【技术实现步骤摘要】
球形倒装微型LED及其制造方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示技术和LED
，涉及一种球形倒装微型LED及设置有球形倒装微型LED的显示面板，同时涉及一种球形倒装微型LED的制作方法。

技术介绍

[0002]微型LED即Micro LED，具有比一般LED更理想的光电效率、亮度和对比度以及更功耗。为了实现显示功能，需要将多个Micro LED装载入背板上，形成微型LED阵列，微型LED的单个芯片尺度小于20μm，其制备难度极大，因此，巨量转移技术是形成Micro LED阵列的过关键所在。
[0003]目前巨量转移技术主要包括静电转移、微印和流体组装等。其中，流体组装是利用刷桶在衬底上滚动，使得Micro LED置于液体悬浮液中，通过流体力，让LED落入衬底上对应的装载阱中。一般的Micro LED均为长方体或圆柱体结构，受限于其结构，容易出现Micro LED无法嵌入装载阱的问题。
[0004]针对此问题，相关技术提出了球形LED来提升流体组装效率。然而，LED的外延层的厚度限制了球形LED的尺寸。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种球形倒装微型LED及其制造方法、显示面板，通过设置有支撑结构体，能够形成设定尺寸的球形结构，同时保证球形倒装微型LED的正常发光。
[0006]本专利技术解决技术问题所采用的技术方案如下：
[0007]一种球形倒装微型LED，包括：
[0008]发光结构体；r/>[0009]支撑结构体，所述支撑结构体为透明结构；
[0010]第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极与分别与所述发光结构体电连接；
[0011]绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖于所述发光结构体，所述发光结构体、所述支撑结构体和所述绝缘保护层组成球体结构。
[0012]与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：除了设置有发光结构体外，还设置有透明的支撑结构体，通过发光结构体、支撑结构体和绝缘保护层形成设定尺寸球形结构，同时保证球形倒装微型LED的正常发光。
[0013]进一步地，所述发光结构体的密度大于所述支撑结构体的密度。
[0014]采用上述方案的有益效果是：发光结构体的密度大于支撑结构体的密度，使得整个倒装微型LED形成一个类似于不倒翁的结构，更加有利于实现高效率的巨量转移。
[0015]进一步地，所述发光结构体包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；
[0016]所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
[0017]采用上述方案的有益效果是：通过第一半导体层和第二半导体层向发光层释放电子和空穴，电子和空穴在发光层复合，并且以光子的形式释放能量，从而实现发光功能。
[0018]进一步地，所述发光结构体还包括ITO电流扩展层，所述ITO电流扩展层设置于所述第二半导体层和所述支撑结构体之间；
[0019]所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极通过所述ITO电流扩展层与所述第二半导体层电连接。
[0020]采用上述方案的有益效果是：通过ITO电流扩展层能够增大第二电极和第二半导体层的实际接触面积，有利于通过第二半导体层释放更多的空穴，从而提升发光效率。
[0021]进一步地，所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层和所述ITO电流扩展层形成半球体结构，所述支撑结构体为半球体结构；
[0022]所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层上贯穿设置有电极容纳通孔，所述电极容纳通孔垂直于所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层；所述第二电极设置于所述电极容纳通孔内，所述第二电极的一端与所述ITO电流扩展层电连接，所述第二电极的另一端露出于所述发光结构体所形成的半球体结构的表面以外；
[0023]所述绝缘保护层覆盖于所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层和所述ITO电流扩展层的外侧表面，所述绝缘保护层还覆盖于所述电极容纳通孔的内侧表面；
[0024]所述绝缘保护层上开设有电极容纳窗口；所述第一电极设置于所述电极容纳窗口内，所述第一电极的一端与所述第一半导体层电连接，所述第一电极的另一端露出于所述发光结构体所形成的半球体结构的表面以外。
[0025]采用上述方案的有益效果是：在容纳通孔内设置有第二电极以通过ITO电流扩展层电连接第二电极，在第一半导体层、发光层、第二半导体层和ITO电流扩展层的外侧表面覆盖有绝缘保护层以防止第一电极和第二电极之间相互短接，再在绝缘保护层上开设有电极容纳窗口内设置有第一电极以连接第一半导体层。
[0026]进一步地，所述第一电极露出于半球体结构的表面的一端和所述第二电极露出于半球体结构的表面的一端上设置有热熔导电材料。
[0027]采用上述方案的有益效果是：通过热熔导电材料，能够有效提高球形倒装微型LED的电连接效果。
[0028]进一步地，所述第二电极为磁性材料，或者所述第二电极的部分表面涂覆有磁性材料。
[0029]采用上述方案的有益效果是：通过磁性材料使得第二电极具有磁性，有利于提高巨量转移的效率和准确率。
[0030]进一步地，所述支撑结构体的材料为SiO2或者透明固体树脂。
[0031]采用上述方案的有益效果是：便于光出射。
[0032]一种球形倒装微型LED的制作方法，包括以下步骤：
[0033]在衬底上依次形成发光结构层和支撑结构层；
[0034]通过蚀刻工艺，在所述支撑结构层上蚀刻出支撑结构体，所述支撑结构体为半球体结构，所述支撑结构体为透明结构；
[0035]上下反转并剥离所述衬底，通过蚀刻工艺，将所述发光结构层蚀刻成半球体结构；
[0036]在所述发光结构层所形成的半球体结构上穿孔，得到电极容纳通孔；
[0037]沉积得到绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖于所述发光结构层的外侧表面，所述绝缘保护层还覆盖于所述电极容纳通孔的内侧表面；
[0038]在所述绝缘保护层上蚀刻出电极容纳窗口；
[0039]沉积得到第一电极和第二电极。
[0040]与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：在制备发光结构体的基础上，还制备有透明的支撑结构体，通过发光结构体、支撑结构体和绝缘保护层形成设定尺寸球形结构，同时保证球形倒装微型LED的正常发光。
[0041]一种微型LED显示面板，包括：
[0042]背板，所述背板上设置有第一连接线和第二连接线；
[0043]球形倒装微型LED，所述球形倒装微型LED为上述任一项所述的球形倒装微型LED，所述球形倒装微型LED的第一电极和第二电极分别与所述第一连接线和所述第二连接线电相连。
[0044]与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：在形倒装微型LED上，除了设置有发光结构体外，还设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种球形倒装微型LED，其特征在于，包括：发光结构体；支撑结构体，所述支撑结构体为透明结构；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极与分别与所述发光结构体电连接；绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖于所述发光结构体，所述发光结构体、所述支撑结构体和所述绝缘保护层组成球体结构。2.根据权利要求1所述的一种球形倒装微型LED，其特征在于：所述发光结构体的密度大于所述支撑结构体的密度。3.根据权利要求1所述的一种球形倒装微型LED，其特征在于：所述发光结构体包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。4.根据权利要求3所述的一种球形倒装微型LED，其特征在于：所述发光结构体还包括ITO电流扩展层，所述ITO电流扩展层设置于所述第二半导体层和所述支撑结构体之间；所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极通过所述ITO电流扩展层与所述第二半导体层电连接。5.根据权利要求4所述的一种球形倒装微型LED，其特征在于：所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层和所述ITO电流扩展层形成半球体结构，所述支撑结构体为半球体结构；所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层上贯穿设置有电极容纳通孔，所述电极容纳通孔垂直于所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层；所述第二电极设置于所述电极容纳通孔内，所述第二电极的一端与所述ITO电流扩展层电连接，所述第二电极的另一端露出于所述发光结构体所形成的半球体结构的表面以外；所述绝缘保护层覆盖于所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层和所述ITO电流扩展层的外侧表面，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐彪，许时渊，刘海平，冯中山，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：