外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，包括：ａ）由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；ｂ）由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；ｃ）顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；ｄ）顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。本发明专利技术不采用传统的与半导体ＣＭＯＳ匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入，大大简化了存取存储器的结构，从而降低了存取存储器的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种由最近发展起来的磁电阻效应多层薄膜可构成随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)中的记忆单元，这种RAM即是所谓的磁电阻随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)，简称MRAM，本专利技术还涉及一种实现MRAM中信息读写的方法。
技术介绍
一、MRAM中的磁性存储单元作为MRAM的存储单元，磁性薄膜中至少包含这样的一个薄膜结构[F1/NF/F2]。其中F1和F2表示两个磁性材料层，NF表示非磁性材料层，NF层介于F1层和F2层之间。F1和F2中有且仅有一层的磁化方向被外界某层或数层的材料所固定(称为被钉扎层)，因而不能在小的外磁场作用下随意变化；而另外一层为软磁层，其磁化方向可在小的外磁场作用下发生变化(称为自由层)。非磁性材料层的厚度很小，典型的厚度在0.5nm与3.0nm之问。以这样的磁性薄膜作为存储单元，当F1、F2的磁化方向相同时，磁性薄膜存储单元表现出低的电阻状态；而当F1、F2的磁化方向相反时，磁性薄膜存储单元则表现出高的电阻状态。因此，磁性薄膜存储单元存在着两个稳定的电阻状态，通过改变磁性薄膜存储单元中自由层相对于被钉扎层的磁化方向，即可使之记录信息；而通过检测磁性薄膜存储单元的电阻状态，即可获取其保存的信息。二、典型的MRAM单元结构目前通常采用的磁性薄膜存储单元的结构如图1所示。该MRAM结构配置在半导体衬底上，共需要三个金属布线层M1、M2、M3和一个过渡金属层TM。除了读字线RWL，接地线GND、写字线WWL和位线BL分别处于不同的金属布线层中。磁性薄膜存储单元通过过渡金属层TM、金属布线层M2、M1以及相关接触孔与晶体管ATR的漏区相连接，而晶体管ATR的源区则和地线GND连接，晶体管ATR的栅极即为读字线RWL。磁性薄膜存储单元中信息的写入由位线BL和写字线WWL来协同完成。当位线BL和写字线WWL以一定的时序关系通过写入工作电流时，两者的电流所产生的磁场的合成磁场将使磁性薄膜存储单元中自由层的磁化方向翻转到特定的方向，该磁化方向在撤销位线BL、写字线WWL的电流之后能够稳定在其两个稳定状态中被期望的一个状态。由此即实现了磁性薄膜存储单元中信息的写入并保存。读取磁性薄膜存储单元中的信息则由读字线RWL来控制。在允许读取时，控制读字线RWL在一个合适的电平上，使得晶体管ATR导通。此时存在一个由位线BL(金属布线层M3)经磁性薄膜存储单元、过渡金属层TM、接触孔、金属布线层M2、接触孔、金属布线层M1、接触孔、晶体管ATR漏区、晶体管ATR源区而至地线GND的电气通路。因此，由位线BL给一个合适的读电流，即可提取磁性薄膜存储单元当前的电阻状态。由此即实现了磁性薄膜存储单元中信息的读出。如上所述，该种结构的MRAM需要多达三个的金属布线层以及一个过渡金属层来形成其电气连接，使得MRAM的制造工艺复杂、成本高。另外，在制造磁性薄膜存储单元之前，衬底上已经经过了数次的沉积、布线、打孔、绝缘介质填埋等工艺操作，使得磁性薄膜存储单元制造面的表面平整性较差，必须进行特殊的表面抛平工艺处理(比如化学机械抛光CMP，Chemical-Mechanical Polishing)才能满足磁性薄膜存储薄膜对其衬底表面平整性的特殊要求，这也是一个增加工艺难度和制造成本的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，该存取存储器不采用传统的与半导体CMOS匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入。为实现上述目的，本专利技术提供的一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器它包括a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元(MTJ)构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线(Read Line)和底电极写字线(Write Line)相互正交，磁性薄膜存储单元(MTJ)位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。进一步地，所述磁性薄膜存储单元的基本结构由两层磁性材料层以及介于两磁层之间的非磁性材料层构成，存储信息由磁性材料层的相对磁化状态来表示并保存。进一步地，所述磁性薄膜存储单元的至少一个磁性材料层的易磁化方向沿所述顶电极读字线和底电极写字线的纵向方向。进一步地，所述底电极写字线布置在所述磁性薄膜存储单元的正下方。进一步地，所述顶电极读字线布置在所述底电极写字线的上方，即所述磁性薄膜存储单元的正上方，并且所述顶电极读字线与所述底电极写字线由绝缘掩埋介质隔离。进一步地，所述写电流为两路有一定时序的脉冲电流构成，其脉冲宽度与脉冲强度均连续可调。本专利技术不采用传统的与半导体CMOS匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入，大大简化了存取存储器的结构，从而降低了存取存储器的生产成本。本专利技术也可单独使用，配上单片机就可以显示英语或者汉语内容，进行容量较小的信息存取，非常适宜于诸如户外可编辑广告牌等，具有很广泛的应用前景。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1是现有技术的磁随机存取存储器MRAM单元结构的三维示意图。图2是具有正交电极的信息存取单元阵列示意图。图3是通过电位平衡来辅助实现阵列选址的示意图。图4是写入电流时序示意图。图5是本专利技术采用的外围电路总的原理示意图。图6是信息读取示意图。图7是信息写入示意图1(平行方向)。图8是信息写入示意图2(反平行方向)。具体实施例方式本专利技术中所谓的外围电路平衡驱动指的是仅取磁性薄膜作为存储单元，不采用传统的与半导体CMOS匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入。制备磁性薄膜时在其顶端和底端做两条相互正交的金属线分别作为读字线和写字线。我们采用350纳米厚10微米宽的铜金属线作为导电层，通过计算及随后的试验表明，其能够在额定的电流范围内提供足够的磁场来完成自由层的翻转，并且其热稳定性良好，在我们许可的范围之内，其产生的热量没有明显影响到磁性薄膜的电阻值。底电极写字线位于磁性薄膜存储单元的正下方，而顶电极读字线位于磁性薄膜存储单元的正上方。这样的单元可组成一个阵列，可以采取行线作为读字线，列线作为写字线的方法。这样不同的存储单元分别位于不同的读字线和写字线之间。制备磁性薄膜存储单元时让其易磁化方向沿所述顶电极读字线和底电极写字线的纵向方向，这样可以保证以尽可能小的磁场完成对自由层的翻转。顶电极读字线与底电极写字线之间由二氧化硅绝缘隔离。读字线和写字线之间设置电压跟随器以保证读电流或者写电流能全部从选中的磁性存储单元通过而不被分流。通过电位平衡可实现控制不同的存储单元，即所谓的寻址。信息读取时，电流由磁性薄膜顶端的读字线垂直流过磁性薄膜，由于磁性薄膜在磁矩平行状态与反平行状态时电阻高低不同，因此可以定义高电阻状态为1，定义低电阻状态为0。从而实现信息的读取。读电流0.05～10mA可调，设置一旁路预先调整其大小，步长为0.05mA。读电流过小会增大噪音，从而不能检测到良好的信号；读电流过大首先可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，其特征在于，包括：ａ）由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；ｂ）由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列 ；ｃ）顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；ｄ）顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。

【技术特征摘要】
1.一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，其特征在于，包括a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。2.如权利要求1所述的外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁性薄膜存储单元的基本结构由两层磁性材料层以及介于两磁层之间的非磁性材料层构成，存储信息由其中磁性材料层的相对磁化状态来表示并保存。3.如权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏红祥，杨捍东，彭子龙，翟光杰，韩秀峰，詹文山，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]