闪速存储器更新数据的方法技术

技术编号:3089177 阅读:175 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种闪速存储器更新数据的方法,在特定数据预留可改写的存储区域,然后搜寻闪速存储器需修改数据的最近修改数据的地址,修改最近修改的正确数据的备份,检查修改的数据与最近修改的正确数据相同时,则数据不进行更新,当两者数据不同时,再检查无空白区预留的存储区域时,则进行该数据所在区块整个区块的更新,当有空白区预留的存储区域时,则接续最近修改的数据的地址,将修改的数据,写入预留的存储区域中,以完成更新数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种闪速存储器更新的方法,尤其是以直接写入的方式,修改闪速存储器所存储系统参数数据的方法。
技术介绍
传统电子装置修改存储在闪速存储器(Flash ROM)上的数据时,以区块(Sector)为单位,需要擦除整个区块的数据,再写入进行整个区块的更新。请参考图1所示,为闪速存储器的更新流程,当开始更新数据步骤1时,电子装置寻找需要更新数据的地址,并将该需要更新数据所在的区块,以步骤2将整个区块读出进行备份,接着以擦除(Errase)的步骤3,将闪速存储器该区块内所有的数据加以清除,然后以步骤4进行检查是否已完全擦除数据?如未擦除数据,则以重试步骤5?选择是否要再重试,如要进行重试,则回至擦除步骤3,重复执行;如不要进行重试,则形成擦除失败的步骤6,并进入结束更新步骤12。当步骤4检查已完全擦除数据时,进入步骤7修改备份区块中的数据,再将修改后的整个备份区块的数据,以步骤8写入(Write)闪速存储器,并以加总(Check Sum)的方式,形成检查码置在区块数据之后,作为检查修改后区块数据正误的根据,更新闪速存储器该特定区块,然后进行步骤9检查是否已完全写入数据?假如未完全写入数据,则进入重试步骤10?选择是否要再重试,如要进行重试,则回至擦除步骤3,重复执行;如不要进行重试,则形成写入失败的步骤11,并执行结束更新步骤12。假如将修改的数据完全写入该特定区块,即可达到修改区块数据的目的,而以步骤12结束更新。然而,前述传统电子装置以读取(Read)-擦除(Erase)-修改(Modify)-写入(Write)的步骤,修改存储在闪速存储器数据的方式,闪速存储器必需先清除区块数据,才能重新写入数据,即使为了修改区块内单一参数,也必需进行前述以区块为最小单位的区块更新步骤。因此,传统闪速存储器进行数据更新时,不仅浪费相当多的时间在擦除及写入的步骤上,尤其大区块所需要的时间更多,影响电子装置的效能,而且,在擦除失败及写入失败时,也会造成已擦除区块的数据,无法恢复,而影响电子装置正常运作。同时,在进行修改备份区块数据时,如突然遭遇到断电等不可预期的状况,将使备份数据丧失,导致整个区块所存储的信息遗失,产生电子装置无法运作的损失。因此,公知电子装置闪速存储器更新区块数据的方法,仍有问题有待解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在提供一种,通过无需经由擦除区块数据,修改闪速存储器的数据,以避免区块数据遗失。本专利技术另一目的在提供一种,利用预留可写入的格式,使修改的数据依序直接写入,以提高更新的效率。本专利技术再一目的在提供一种,仅修正区块中的数据,不需整个区块重新编排,以节省更新时间。为了达到前述专利技术的目的,本专利技术在特定数据预留可改写的存储区域,然后搜寻闪速存储器需修改数据的最近修改数据的地址,修改最近修改的正确数据的备份,检查修改的数据与最近修改的正确数据相同时,则数据不进行更新,当两者数据不同时,再检查无空白区预留的存储区域时,则进行该数据所在区块整个区块的更新,当有空白区预留的存储区域时,则进入步骤接续最近修改的数据的地址,将修改的数据,写入预留的存储区域中。然后,检查修改的数据已完全写入存储区域,则结束更新操作,当无法完全写入时,则选择重试回至步骤(1)重复执行更新步骤,当选择不重试时,数据又未完全写入,则保留该批错误的数据在存储区域,再结束更新操作。本专利技术即可经由事先在该多个特定数据地址之后,预留多个单位可写入的区域,修改的数据时,不需经擦除,接续原有数据之后,直接写入,以更新闪速存储器的数据。附图说明图1为传统闪速存储器的更新数据的流程图。图2(a)-(d)为本专利技术更新闪速存储器数据过程的示意图。图3为本专利技术第一实施例更新闪速存储器数据的流程图。图4为本专利技术第二实施例更新闪速存储器数据的流程图。主要元件符号说明第一实施例20开始更新步骤21寻找最近更新数据的地址步骤22修改备份区块数据步骤23检查数据是否不同步骤24不更新步骤25接续最近更新数据的地址写入步骤26检查是否已写入的步骤27重试步骤28写入失败步骤29结束更新步骤第二实施例30开始更新步骤31寻找最近更新数据的地址步骤32修改备份区块数据步骤33检查数据是否不同步骤34不更新步骤35检查是否有空白区的步骤36区块更新步骤37接续最近更新数据的地址写入步骤38检查是否已写入的步骤39重试步骤40写入失败步骤41结束更新步骤A预留存储区域具体实施方式有关本专利技术为达成上述目的,所采用的技术手段及其功效,现举较佳实施例,并配合附图加以说明如下。本专利技术,在更新电子装置存储在闪速存储器中的系统参数,利用闪速存储器的数据位可由1改写为0,但由0要变为1,必需靠擦除闪速存储器的数据,才能修改的特性。亦即闪速存储器上的数据假如是0xFF,也就是8位的[11111111],则可以将任意数据正确写入闪速存储器该0xFF数据位,而不需经由擦除的程序。请参考图2(a)-(d),为本专利技术实际修正电子装置闪速存储器区块数据过程的示意图。本专利技术,针对电子装置所需修改的特定数据,在闪速存储器中规划预留一存储区域A,供修改该特定数据使用,如图2(a)所示,为存储区域A起始状态的数据内容。该存储区域A的起始数据,除第一批数据的起始值,例如出厂值及其检查码[F7]外,其余的内容全部为0xFF数据形式。如图2(b)所示,假如该参数数据需要修改时,首先搜寻该参数最近修改数据的地址,并确定所在的存储区域A,修改备份的参数数据,例如第二批更新值及产生一加总的检查码[FC],再进一步检查与该参数最近修改数据有否不同?假如数据相同,不进行数据更新,否则找到存储区域A最后被写入的位置,也就是最近被修改的参数数据的检查号[F7],接着直接将修改备份的参数数据接续在检查号后,写入作为第二批参数更新数据。当电子装置在运转时,就会搜寻最新的更正的该参数数据,并以检查码检查该参数数据是否正确?假如检查正确,就作为运转值。如图2(c)所示,当该参数再需要修改时,相同于图2(b)的过程,将修改备份的参数数据,例如第三批更新值及检查码,接续在第二批更新值检查号[FC]后,写入作为第三批参数更新数据。假如第三批更新值参数数据写入时出现异常状况,造成写入失败。当电子装置运转时,将搜寻最新更正的第三批参数数据,并以检查码检查第三批参数数据是否正确?一发现错误,即以前一批参数数据更新值,作为运转值。让电子装置不因写入失败等异常状况所产生的参数数据遗失,仍可照常运转,以等待下一次的更新操作。请续参图2(d),当发现错误参数数据需要修改时,相同于图2(b)的过程,将修改备份的参数数据,例如第四批更新值及检查码[FA],接续在第二批更新值检查号后,写入作为第四批参数更新数据。以改正前次写入失败所造成的错误参数数据。因此,利用预留可写入的格式,不需经由擦除区块数据,本专利技术即可更新闪速存储器中的参数。为进一步说明本专利技术,如图3所示,为本专利技术第一实施例的流程图,其详细步骤如下步骤20开始进行更新闪速存储器所存储的参数数据。步骤21搜寻该参数在闪速存储器中存储所在的存储区域,由以往修正所存储的几批参数数据,找出最近修改的参数数据的存储地址。步骤22读取最近修改的正确参数数据作为备份,并依需要修改备份的参数数据,形成更新的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种闪速存储器更新数据的方法,其步骤包含:(1)搜寻闪速存储器需修改数据的最近修改数据的地址;(2)修改最近修改的正确数据的备份;(3)检查修改的数据与最近修改的正确数据是否不同?当两者相同时,则数据不进行更新,当两 者数据不同时,进入下一步骤;以及(4)接续最近修改的数据的地址,将修改的数据,写入预留的存储区域中。

【技术特征摘要】
1.一种闪速存储器更新数据的方法,其步骤包含(1)搜寻闪速存储器需修改数据的最近修改数据的地址;(2)修改最近修改的正确数据的备份;(3)检查修改的数据与最近修改的正确数据是否不同?当两者相同时,则数据不进行更新,当两者数据不同时,进入下一步骤;以及(4)接续最近修改的数据的地址,将修改的数据,写入预留的存储区域中。2.根据权利要求1所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该步骤(1)由数批数据中找出最近修改的数据的存储地址。3.根据权利要求1所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该步骤(2)修改备份的数据,更新数据值及加总产生的检查码,形成更新的参数数据。4.根据权利要求3所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该步骤(2)以检查码检查数据是否正确?当正确时以该批最近修改的数据为修改对象,当发现错误时,依序往前一批数据为运转值。5.根据权利要求1所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该步骤(3)不进行参数数据更新时,保留原最近修改的数据,作为运转值。6.根据权利要求1所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该步骤(4)预留的存储区域起始状态为可改写格式。7.根据权利要求6所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该存储区域可改写的格式为0xFF格式。8.根据权利要求6所述的闪速存储器更新数据的方法,其中该存储区域的起始状态,第一批数据为出厂值及检查码。9....

【专利技术属性】
技术研发人员:朱修明
申请(专利权)人:广明光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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