【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非易失性存储器的编程与擦除方法,其特征是,该方法包括:施加正源极电压于源极上,以产生相对于衬底的逆向偏压于源极与衬底界面处;以及分别施加第一与第二正电压于控制栅与漏极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄文谦,王立中,林信章,张浩诚,
申请(专利权)人:亿而得微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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